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Physically Adsorbed Block Copolymers as Neutral Layers
Du Yeol Ryu(류두열),이우섭,김영식,조승연,안형주 한국고분자학회 2021 한국고분자학회 학술대회 연구논문 초록집 Vol.46 No.1
A physically adsorbed layer of PS-b-PMMA can effectively act as an excellent neutral layer towards the overlying PS-b-PMMA film which is completely identical to itself. The surface neutrality is valid when the correlation length (ξ) of the adsorbed layer is shorter that the domain spacing (L0) of the BCP. Subsequently, we proved that this approach can also be applied in the case of high-χ PS-b-P2VP. Based on the order-to-disorder transition behavior of the overlying PS-b-P2VP film, surface neutrality provided by the physically adsorbed PS-b-P2VP layer with its optimal thickness was even better than that of the adsorbed P(S-r-2VP) random copolymers. Our strategy enables the preparation of a high-quality neutral layer for BCP nanopatterning without any necessity of the specially designed random copolymer mats or brushes.
P(S-r-BCB-r-MMA) 게이트 절연체를 이용한 저전압 구동용 펜타센 유기박막트랜지스터
구송희 ( Song Hee Koo ),( Thomas P. Russell ),( Craig J. Hawker ),류두열 ( Du Yeol Ryu ),이화성 ( Hwa Sung Lee ),조정호 ( Jeong Ho Cho ) 한국공업화학회 2011 공업화학 Vol.22 No.5
유기박막트랜지스터 개발의 중요한 이슈 중 하나는 용액 공정이 가능한 저전압구동용 고분자 게이트 절연체의 개발이다. 따라서 본 연구에서는 고성능의 저전압구동이 가능한 유기박막트랜지스터를 위한 우수한 성능의 고분자 게이트 절연체 재료인 poly(styrene-r-benzocyclobutene-r-methyl methacrylate) (P(S-r-BCB-r-MMA))을 합성하였다. P(S-r-BCB-r-MMA)는 경화과정에서 부피의 변화가 거의 없기 때문에 우수한 절연특성을 가지는 매우 얇은 고분자 절연체를 제조할 수 있으며, 이는 주파수에 따른 전기용량 변화를 통해 확인할 수 있다. 펜타센 유기반도체를 기반으로 한 유기박막 트랜지스터 소자를 제작하였을 경우 전계효과이동도 0.25 cm 2 /Vs, 문턱전압 -2 V, 점멸비 ~10 5 , 그리고 sub-threshold swing 400 mV/decade로 우수한 성능을 보인다. 본 연구에서 새롭게 소개된 P(S-r-BCB-r-MMA)는 유연 디스플레이와 같은 미래형 전자소자의 구현을 위한 게이트 절연체 소재로서 하나의 가능성을 제공할 것이다. One of the key issues in the research of organic field-effect transistors (OFETs) is the low-voltage operation. To address this issue, we synthesized poly(styrene-r-benzocyclobutene-r-methyl methacrylate) (P(S-r-BCB-r-MMA)) as a thermally cross-linkable gate dielectrics. The P(S-r-BCB-r-MMA) showed high quality dielectric properties due to the negligible volume change during the cross-linking. The pentacene FETs based on the 34 nm-thick P(S-r-BCB-r-MMA) gate dielectrics operate below 5 V. The P(S-r-BCB-r-MMA) gate dielectrics yielded high device performance, i.e. a field-effect mobility of 0.25 cm 2 /Vs, a threshold voltage of -2 V, an sub-threshold slope of 400 mV/decade, and an on/off current ratio of ~10 5 . The thermally cross-linkable P(S-r-BCB-r-MMA) will provide an attractive candidate for solution-processable gate dielectrics for low-voltage OFETs.