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Report - 미국 개정법에 따른 First to File 제도 해설
함윤석,Ham, Yun-Seok 한국발명진흥회 2012 發明特許 Vol.37 No.2
America Invents Act (이하 'AIA')는 미국의 특허법 역사상 가장 파격적인 수정법이라고 할 수 있다. 많은 규정이 변경되거나, 새로 제정되었는데, 그 중에서도 First-to-Invent(이하 'FTI')로부터 First-to-File(이하 'FTF') 제도로의 변화가 가장 중요한 변화이다. 다만, 미국의 새로운 FTI 제도는 여타 국가의 선출원 제도와 선출원을 한 출원인이 특허를 취득하게 된다는 기본 성격은 공유하되, 예외 규정을 두어 궁극적으로는 사뭇 틀린 독특한 제도를 채택하고 있다. 이 독특한 규정들을 정리해 보면 다음과 같다. 미국의 FTI는 엄격하게 말해 First-Inventor-to-File(이하 'FITF')이라 칭해지고 있다. 여기에는 여타국가와 달리 "Inventor"라는 것이 포함되어 있어 여전히 종전의 "True Inventorship"을 중요한 가치로 여긴다. 따라서, First-to-File이긴 하나, 여전히 진정한 발명자만이 특허를 취득할 수 있게 하는 제도라 할 수 있다.
Sputtered a-Si 의 성장조건이 미치는 영향에 관한 연구
성영권,송진수,함윤석,민병무 고려대학교 공학기술연구소 1985 고려대학교 생산기술연구소 생기연논문집 Vol.21 No.1
The electrical and optical properties, such as, deposition rate, dark conductivities, and optical band gap, of sputtered deposited amorphous silicon (a-Si) films have been systematically investigated for deposition parameters for the case of pure Ar sputtering gas in rf diode system as a series of pre-studies for the sputter deposition a-Si:H films in Ar/ H₂ mixtures. The variation of the Ar gas pressure (P_(Ar)) from 5 to 40m Torr controllably and reproducibly decrease the film dark conductivity 5 orders of magnitude, and significantly increases the optical band gap. The variation of the rf power from 200w to 400w increases the dark conductivity 0.5 orders of magnitude and decrease the optical band gap. The P_(Ar) has an strong effect on the a-Si films more than that of the rf power, and the influence of gas pressure has been linked to Ar ion bombardment of the growing film which appears responsible for both high dangling-bond densities and incorporated gas. The optimization of deposition conditions result in remarkalby good electrical and optical properties for nonhydrogenated a-Si.