http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.
변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.
Cd1-xCoxIn₂Se₄ 단결정의 광학적 Energy Gaps
최성휴(Sung- Hyu Choe) 한국진공학회(ASCT) 1994 Applied Science and Convergence Technology Vol.3 No.2
Cd_(1-x)Co_xIn₂Se₄(x=0.00, 0.01, 0.05, 0.10, 0.50) 단결정을 수직 Bridgman 방법으로 성장시키고, 성장된 단결정의 조성 및 결정구조를 조사하고, 광학적 특성을 연구하였다. 성장된 단결정은 pseudocubic 구조이고, 격자상수는 조성 x가 증가함에 따라 약간씩 감소하였다. 기초 흡수단 영역에서의 광흡수 spectra 측정에서 이 단결정들은 간접전이 및 직접전이 energy gap을 갖고 있으며, 이들 energy gap은 조성 x가 증가함에 따라 감소하였다. Cd_(1-x)Co_xIn₂Se₄ 단결정에서 격자상수의 조성 의존성 및 energy gap의 조성 의존성은 조성이 x=0.00에서 x=0.016까지는 기울기가 같고, x=0.016에서 기울기가 변화되어서 x=0.016에서 x=0.50까지는 같은 기울기를 갖고 있다. 이러한 현상은 x=0.016에서부터 CdIn₂Se₄ 내에 cobalt를 포함한 새로운 물질이 형성되고, 이 물질과 α-CdIn₂Se₄ 사이에 고체 고용체를 형성하기 때문이다. Cd_(1-x)Co_xIn₂Se₄(x=0.00, 0.01, 0.05, 0.10, 0.50) single crystals which substituted cobalt for cadmium in CdIn₂Se₄. were grown by the vertical Bridgman technique. The composition and structure of Cd_(1-x)Co_xIn₂Se₄ single crystals were analyzed, and the optical absorption were measured. The grown single crystals have a pseudocubic structure and a lattice constant α which decreases slightly by increasing the composition x. The optical 3bsorption spectra obtained near the fundamental absorption edge showed that these compounds have a direct and an indirect energy band gap and its value is decreased by increasing the composition x. The composition dependence of the lattice constant and the optical energy gap in Cd_(1-x)Co_xIn₂Se₄ single crystals showed that the slope was the same from x=0.00 to x=0.016 varied at x=0.016, and was equal from x=0.016 to x=0.50. These phenomena revealed that solid solution is formed between CdIn₂Se₄ and CoIn₂Se₄ when x≥0.016.
최성휴(Sung-Hyu Choe) 한국진공학회(ASCT) 1994 Applied Science and Convergence Technology Vol.3 No.3
Cd_(1-x)Co_xIn₂Se₄(x=0.50)결정을 수직 Bridgman 방법으로 성장시키고, 성장된 결정의 결정구조 및 XPS 특성을 연구하였다. 성장된 결정은 pseudocubic구조이고, 격자상수는 a=5.778Å으로 주어졌다. Cd_(1-x)Co_xIn₂Se₄결정의 각 성분원소인 cadmium, cobalt, indium, 그리고 selenium에 대한 XPS spectrum으로 부터 결함에너지와 결합상태를 조사하였다. Cd_(1-x)Co_xIn₂Se₄결정과 결합하지 않는, 각 성분원소인 cadium, cobalt, indium, 그리고 selenium에 대한 core level의 XPS spectrum과 비교하면, 각 성분원소사이의 결합에 의한 chemical shift현상 때문에 core level의 결합에너지가 0.10~4.87eV 차이가 있다. Cd_(1-x)Co_xIn₂Se₄ 결정에서 Co 2P_(3/2) core level의 주 peak 와 statellite peak와의 결합에너지 차이로부터 cadmium과 치환된 cobalt 는 Co^(2+) ion으로 T_d symmetry점에 위치함을 알 수 있다. Cd_(1-x)Co_xIn₂Se₄ (x=0.50) crystal was grown by the vertical Bridgman technique. The crystal structure of Cd_(1-x)Co_xIn₂Se₄ and XPS properties of this compound were studied. The grown crystal has a pseudocubic structure and a lattice constant a=5.778Å. The binding energy of core level has the difference of 0.10~4.87 eV between the each elements of Cd_(1-x)Co_xIn₂Se₄ and the pure elements comparing with the XPS spectrum of the each core levels. Co 2 p_(3/2) peaks in Cd_(1-x)Co_xIn₂Se₄ crystal were observed by the XPS spectrum. By comparing of Co 2 p_(3/2) peaks of CoGa₂S₄ and CoS in which cobalt occupies only T_d and O_h symmetry sites, respectively, it was confirmed that cobalt in Cd_(1-x)Co_xIn₂Se₄ crystal was sited at T_d symmetry.
ZnIn₂Se₄ 및 ZnIn₂Se₄: Co 단결정의 광학적 특성
최성휴(Sung-Hyu Choe),방태환(Tae-Hwan Bang),박복남(Bok-Nam Park) 한국진공학회(ASCT) 1997 Applied Science and Convergence Technology Vol.6 No.2
ZnIn₂Se₄ 및 ZnIn₂Se₄: Co 단결정을 합성된 ingot를 사용하여 수직 Bridgman 방법으로 성장시키고, 성장된 단결정의 결정구조와 광학적 특성을 연구하였다. 성장된 단결정은 공간군이 142 m인 사방정계구조를 가지고 있다. 기초 흡수단 영역에서의 광흡수 spectra 측정으로부터 이 단결정들은 간접전이형 에너지띠 구조를 갖고 있으며, 이 화합물 반도체의 직접전이형 및 간접전이형 에너지 간격은 10K에서 300K로 측정 온도를 변화시킬 때 감소하였다. 직접전이 energy gap의 온도계수는 ZnIn₂Se₄ 단결정의 경우는 α=3.57×10^(-4) eV/K, β=519K이고, ZnIn₂Se₄: Co 단결정의 경우는 α=2.31×10^(-4) eV/K 및 β=421 K로 각각 주어졌다. 또한 간접전이 energy gap의 온도 계수는 ZnIn₂Se₄ 단결정의 경우는 α=2.31×10^(-4) eV/K 및 β=285K이며, ZnIn₂Se₄: Co 단결정의 경우는 α=3.71×10^(-4) eV/K와 β=609 K 이였다. ZnIn₂Se₄: Co 단결정에서 cobalt 불순물에 기인한 6개의 불순물 광흡수 peak가 나타났다. 이들 불순물 광흡수 peak들은 불순물로 첨가된 cobalt가 모체결정의 T_d symmetry site에 Co^(2+) ion으로 위치하고, Co^(2+) ion의 분리된 전자에너지 준위들 사이의 전자전이에 의해 나타난 peak들로 해석된다. Undoped and Co-doped ZnIn₂Se₄ single crystals crystallized in the tetragonal space group I42m, with lattice constants a=5.748 Å and c=11.475 Å, and a=5.567 Å and c=11.401 Å. The optical absorption measured near the fundamental band edge showed that the optical energy band structure of these compounds had an indirect band gap, the direct and the indirect energy gaps of these compounds decreased as temperature changed from 10 to 300 K. The temperature coefficients of the direct energy gaps were found to be α=3.57×10^(-4) eV/K and β=519 K for ZnIn₂Se₄ and α=2.79×10^(-4) eV/K and β= 421 K for ZnIn₂Se₄: Co. The temperature coefficients of the indirect energy gaps were also found to be α=2.31×10^(-4) eV/K and β=285 K for ZnIn₂Se₄, and α=3.71×10^(-4) eV/K and β=609 K for ZnIn₂Se₄: Co, respectively. Six impurity optical absorption peaks due to cobalt are observed in ZnIn₂Se₄: Co single crystal. These impurity optical absorption peaks can be attributed to the electronic transitions between the split energy levels of Co^(2+) ions located at T_d symmetry site of ZnIn₂Se₄ host lattice. The 1st order spin-orbit coupling constant (λ), Racah parameter (B), and crystal field parameter (Dq) are given as -243 ㎝^(-1), 587 ㎝^(-1) and 327 ㎝^(-1), respectively.
Photoferroelectric 반도체의 광학적 특성연구 Ⅱ : (BiSI, BiseI, BiSI : Co 및 BiseI : Co 단결정의 광학적 특성에 관한 연구)
고재모(Jae-Mo Goh),윤상현(Sang-Hyun Yun),김화택(Wha-Tek Kim),최성휴(Sung-Hyu Choe),김형곤(Hyung-Gon Kim),김창대(Chang-Dae Kim),권숙일(Sook-Il Kwun) 한국진공학회(ASCT) 1992 Applied Science and Convergence Technology Vol.1 No.2
BiSI, BiSI : Co, BiseI 및 BiseI : Co 단결정을 고순도의 성분원소와 8.6 mole% 과잉의 Iodine를 투명석영관내에 넣고 진공봉입하여 합성한 ingot를 사용하여 수직 Bridgman 방법으로 성장시켰다. 성장된 단결정은 orthorhombic 구조였고, energy band 구조는 간접전이형으로 293K 에서 광학적 energy gap은 각각 1.590eV, 1.412eV, 1.282eV 및 1.249eV로 주어지며, energy gap의 온도의존성은 Varshni 방정식으로 잘 표현된다. Cobalt를 첨가할 때 나타나는 불순물 광흡수 peak는 T_d Symmetry 점에 위치한 Co^(2+), Co^(3+) ion의 energy 준위들 사이의 전자전이에 의해서 나타난다. Single crystals of BiSI, BiSI : Co, BiSel, and BiSel : Co were grown by the vertical Bridgman method using the initial ingots obtained from the stoichiometric mixture of Bi, S, Se, and I (excess of 8.6 mole%) elements of a high purity. It has been found that these single crystals have an orthorhombic structure and indirect optical transitions. At 293 K the indirect-band gap of these crystals is given by 1.590 eV for BiSI, 1.412 eV for BiSI : Co, 1.282 eV for BiSel, and 1.249 eV for BiSel : Co, respectively. The temperature dependence of the optical energy gaps is well fitted with the Varshni equation. The optical absorption peaks of cobalt impurity in these single crystals are attributed to the electronic transitions between the split energy levels of CO^(2+) and Co^(3+) ions located at T_d sites of the host material.
김화택(Wha-Tek Kim),윤상현(Sang-Hyun Yun),현승철(Seung-Cheol Hyun),김미양(Mi-Yang Kim),김용근(Yong-Geun Kim),김형곤(Hyung-Gon Kim),최성휴(Sung-Hyu Choe),윤창선(Chang-Sun Yoon),정해문(Hae-Mun Jeong) 한국진공학회(ASCT) 1994 Applied Science and Convergence Technology Vol.3 No.1
SbSBr, BiSBr, SbSBr : Co, BiSBr : Co, SbSBr : Ni 및 BiSBr : Ni 단결정을 수직 Bridgman 방법으로 성장시켰다. 성장된 단결정의 구조는 orthorhombic 구조이며, 광학적 energy band gap 구조는 간접전이형이었고, energy gap의 온도의존성은 일차 및 이차 상전이점에서 anomalous한 특성이 나타났다. 불순물로 첨가한 cobalt와 nickel은 T_d 대칭점에 Co^(2+) ion, Co^(3+) ion 및 Ni^(2+) ion으로 위치하며, 이들 ion의 energy 준위간의 전자전이에 의하여 불순물 광흡수 peak들이 나타난다. SbSBr, BiSBr, SbSBr : Co, BiSBr : Co, SbSBr : Ni and BiSBr : Ni single crystals were grown by the vertical Bridgman technique. The grown single crystals were crystallized in orthorhombic. The optical energy band gap of them was the indirect structure, and the temperature dependence of the energy gap showed anomalous properties at the first order phase transition and the second order one. Cobalt and nickel doped with a impurity are sited at the T_d symmetry points as the states of Co^(2+) or CO^(3+) and Ni^(2+) ions.
현승철,오석균,윤상현,김화택,김형곤,최성휴,김창대,윤창선,권숙일,Hyun, Seung-Cheol,Oh, Seok-Kyun,Yun, Sang-Hyun,Kim, Wha-Tek,Kim, Hyung-Gon,Choe, Sung-Hyu,Kim, Chang-Dae,Yoon, Chang-Sun,Kwun, Sook-Il 한국진공학회 1993 Applied Science and Convergence Technology Vol.2 No.2
$SbS_{1-x}Se_xI,\;BiS_{1-x}Se_xI,\;Sb_{1-x}Bi_xSI,\;Sb_{1-x}Bi_xSeI,\;SbS_{1-x}Se_xI:Co,\;BiS_{1-x}Se_xI:Co,\;Sb_{1-x}Bi_xSI:Co$, and $Sb_{1-x}Bi_xSeI:Co$ single crystals were grown by the vertical Bridgman method using the ingots. It has been found that these single crystals have an orthorhombic structure and indirect optical transition. The composition dependences of energy gaps are given by $E_g(x)=E_g(0)-Ax+Bx^2$. The impurity optical absorption peaks due to cobalt deped with impurity are attributed to the electron transitions between the split energy levels of $Co^{2+}$ and $Co^{3+}$ ions sited at $T_d$symmetry of the host lattice.
오석균,현승철,윤상현,김화택,김형곤,최성휴,윤창선,권숙일,Oh, Seok-Kyun,Hyun, Seung-Cheol,Yun, Sang-Hyun,Kim, Wha-Tek,Kim, Hyung-Gon,Choe, Sung-Hyu,Yoon, Chang-Sun,Kwun, Sook-Il 한국진공학회 1993 Applied Science and Convergence Technology Vol.2 No.2
SbSI : V, SbSeI : V, BiSI : V, BiSeI : V, SbSI : Cr, SbSeI : Cr, BiSI : Cr, BiSeI : Cr, SbSI : Ni, SbSeI : Ni, BiSI : Ni, 및 BiSeI : Ni 단결정을 고순도(99.9999%)의 성분원소에 혼합물을 투명석 영관내에 넣고, $1{\times}10^{-6}mmHg$의 진공에서 봉입하여 합성한 ingot를 사용하여, 수직 Bridgman 방법으로 성장시켰다. 성장된 단결정의 구조는 orthorhombic 구조이며, 광학적 energy band gap 구조는 간접전이형 이었고, energy gap의 온도의존성은 상전이에 관계되는 2개의 변곡점이 나타났으며, 연속된 영역에서는 Varshni 방정식을 만족하였다. 첨가한 3d 불순문(V, Cr, Ni)은 모결정의 $T_d$ 대칭을 갖는 주격자점에 +2가 ion으로 위치하며, 이들 ion의 energy 준위간의 전자전이에 의하여 불순물 광흡수 peak가 나타난다. Single crystals, SbSI : V, SbSeI : V, BiSI : V, BiSeI : V, SbSI : Cr, SbSeI : Cr, BiSI : Cr, BiSeI : Cr, SbSI : Ni, SbSeI : Ni, BiSI : Ni, and BiSeI : Ni were grown by the vertical Bridgman method. It is found that the grown single crystals have an orthorhombic structure and the indirect optical transitions. The temperature dependence of energy gap shows the two reflection point related with the phase transitions and is well fitted with Varshni equation in the continuous region. The optical absorption peaks due to the doped impurities (V, Cr and Ni) are respectively attributed to the electron transitions between the split energy levels of $V^{+2}$, $Cr^{+2}$ and $Ni^{+2}$ ions sited at $T_d$ symmetry of the host lattice.
현승철(Seung-Cheol Hyun),오석균(Seok-Kyun Oh),윤상현(Sang-Hyun Yun),김화택(Wha-Tek Kim),김형곤(Hyung-Gon Kim),최성휴(Sung-Hyu Choe),김창대(Chang-Dae Kim),윤창선(Chang-Sun Yoon),권숙일(Sook-Il Kwun) 한국진공학회(ASCT) 1993 Applied Science and Convergence Technology Vol.2 No.2
SbS_(1-x)Se_xI, BiS_(1-x)Se_xI, Sb_(1-x)Bi_xSI, Sb_(1-x)Bi_xSel, SbS_(1-x)Se_xI : Co, BiS_(1-x)Se_xI : Co, Sb_(1-x)Bi_xSI : Co, 및Sb_(1-x)Bi_xSeI : Co 단결정을 성장시키기 위하여, 투명석영관내에 고순도의 성분원소 혼합물을 넣고 진공봉입하여 iogot를 합성하였다. 합성된 ingot를 사용하여 수직 Bridgman 방법으로 이들 단결정을 성장시켰다. 성장된 단결정의 구조는 orthorhombic 구조이었고, energy band 구조는 간접전이형으로 주어졌으며, 조성 X에 따른 energy gap의 조성의존성은 E_g(x)=E_g(0)-Ax+BX²으로 주어진다. 불순물로 cobalt를 첨가할 때 나타나는 불순물 광흡수 peak는 모결정의 T_d 대칭점을 갖는 격자점에 첨가한 cobalt 가 Co²+, Co³+ ion으로 위치하고, 이들 ion의 energy 준위들 사이의 전자전이에 의해서 나타남을 확인하였다. SbS_(1-x)Se_xI, BiS_(1-x)Se_xI, Sb_(1-x)Bi_xSI, Sb_(1-x)Bi_xSel, SbS_(1-x)Se_xI : Co, BiS_(1-x)Se_xI : Co, Sb_(1-x)Bi_xSI : Co, and Sb_(1-x)Bi_xSeI : Co single crystals were grown by the vertical Bridgman method using the ingots. It has been found that these single crystals have an orthorhombic structure and indirect optical transition. The composition dependences of energy gaps are given by E_g(x)=E_g(0)-Ax+Bx². The impurity optical absorption peaks due to cobalt doped with impurity are attributed to the electron transitions between the split energy levels of Co²+ and Co³+ ions sited at T_d symmetry of the host lattice.