낮은 저항온도계수를 갖는 박막 저항체 제작 및 신뢰성 특성 평가

이붕주,Lee, Boong-Joo 한국전기전자재료학회 2007 전기전자재료학회논문지 Vol.20 No.4

The Ni/Cr/Al/Cu (51/41/4/4 wt%) thin films were deposited by using DC magnetron sputtering method for the application of the resistors having low TCR (temperature coefficients of resistance) and high resistivity from the former printed-results[3]. The TCR values measured on the as-deposited thin film resistors were less than ${\pm}10\;ppm/^{\circ}C$ and $-6{\sim}+1\;ppm/^{\circ}C$ after annealing and packaging process. The TCR values were $-3{\sim}1\;ppm/^{\circ}C$ (ratio of variation : about 0.02 %) and $-30{\sim}20\;ppm/^{\circ}C$ (ratio of variation : about $0.5{\sim}1\;%$) for the thermal cycling and PCT (pressure cooker test), respectively. It was confirmed that the reliability properties of the thin film resistor were good for electronic components.

CVD로 제작된 SiO₂ 산화막의 투습특성

이붕주,신현용,Lee, Boong-Joo,Shin, Hyun-Yong 한국전자통신학회 2010 한국전자통신학회 논문지 Vol.5 No.1

본 논문에서는 유기발광다이오드 적용을 위한 보호막 혹은 barrier 적용을 위하여 화학증착방법(CVD)를 이용한 실리콘 산화막을 형성하고, 산화막의 특성에 영향을 미치는 공정조건을 변화시켰다. 이로부터 HDP-CVD를 활용한 $SiO_2$박막 증착을 위한 최적의 공정조건은 $SiH_4:O_2$=30:60[sccm]유량, 소스와 기판과의 거리가 70 [mm], 기판에 Bias를 가하지 않은 조건인 경우 8~10[mtorr] 공정압력에서 매우 안정된 플라즈마 형성이 가능한 최적의 공정조건을 얻었다. 얻어진 공정조건으로 제작된 $SiO_2$산화막의 모콘테스트를 통한 투습율(WVTR)을 조사한 결과 2.2 [$g/m^2$_day]값으로 HDP-CVD로 제작된 $SiO_2$산화막은 유기발광다이오드용 보호막으로의 적용이 어려울 것으로 생각된다. In this paper, we have fabricated $SiO_2$ oxidation thin films by HDP-CVD(high density plasma-chemical vapor deposition) method for passivation layer or barrier layer of OLED(organic light emitting diode). We have control and estimate the deposition rate and relative index characteristics with process parameters and get optimized conditions. They are gas flow rate($SiH_4:O_2$=30:60[sccm]), 70 [mm] distance from source to substrate and no-bias. The WVTR(water vapor transmission rate) is 2.2 [$g/m^2$_day]. Therefore fabricated thin film can not be applied as passivation layer or barrier layer of OLED.

공정압력 및 기판바이어스 인가유무에 따른 PMMA 플라즈마중합박막의 전기적 특성

이붕주,Lee, Boong-Joo 한국전자통신학회 2011 한국전자통신학회 논문지 Vol.6 No.5

본 논문에서는 유기박막트랜지스터용 절연막에 활용코자 플라즈마중합방법을 이용하여 PMMA 절연막을 제작하였다. 기판의 바이어스인가 및 증착중 압력변화에 따른 전기적특성을 파악한 결과, 플라즈마중합법에 의한 MMA절연막의 증착조건 RF100[W], Ar20[sccm], 5[mtorr], RF bias 20[W] 에서 3.4의 유전율, 8.6[nm/min]의 높은 증착율 및 높은 절연특성을 얻을수 있다. 이처럼 얻어진 플라즈마 중합막은 유기트랜지스터 및 유기메모리의 절연막으로 충분히 활용가능함을 알 수 있다. In this paper, We have fabricated PMMA thin films by plasma polymerization method for organic thin film transistor's insulator layer. In the electrical characteristic results with deposition pressures and substrate RF bias power in thin film deposition process, we have got dielectric constant of 3.4, high deposition rate of 8.6 [nm/min] and high insulation characteristics in condition of RF100 [W], Ar20 [sccm], 5 [mtorr], RF bias 20 [W]. Therefore, the fabricated thin films are possible as insulation layer of OTFT and organic memory.

고분자 습도센서의 내수성 결함 원인분석에 대한 연구

이붕주,Lee, Boong-Joo 한국전자통신학회 2011 한국전자통신학회 논문지 Vol.6 No.1

본 논문에서는 현재 사용되어지고 있는 고분자 습도센서의 내수성 특성 결함현상을 파악하고, 불량의 원인규명을 목적으로 한다. 또한, 유추된 불량의 원인에 대한 진행과정을 구현하고자 불량시료와 개선된 고분자습도센서를 제작하여 불량시편과 개선시편에 대해 고온고습($60^{\circ}C/95%$) 시험조건을 기준으로 하여 모의시험을 행하였다. 그 결과를 통해 내수성 결함 및 그에 대한 원인을 파악 하였고, 결함 메커니즘을 제시하였다. In this paper, We have investigated the weak waterproofing defection characteristic of polymer humidity sensor and identified the cause of failure. In high temperature and high humidity conditions(($60^{\circ}C/95%$), the defecting process is simulated about defective and improved samples which are modified for the crosslinking polymer structure's aspect. It is aimed at the defecting reason and suggestion of defection process mechanism.

고정밀급 박막저항을 위한 NiCr/NiCrSi박막의 제조 및 전기적 특성

이붕주,Lee, Boong-Joo 한국전기전자재료학회 2007 전기전자재료학회논문지 Vol.20 No.6

In order to acquire fundamental informations to fabricate high precision thin film resistors, NiCr/NiCrSi alloy films were prepared using Ni and Cr targets. Effect of composition on the electrical properties of the NiCr/NiCrSi alloy film were then investigated. Considering the effect of Si doping on the electrical and material characteristics, the lower TCR (temperature coefficient of resistance) values could be achieved for samples with Ni/Cr ratio of $0.8{\sim}1.5$ (in a range of relative higher specific resistivity and Cr composition of $40\;wt%{\sim}55\;wt%$) and with Si doping. Consequently, the sample prepared using a DC power showed a good TCR of $-25\;ppm/^{\circ}C$, which implies that increase of specific resistivity and decrease of TCR would be achieved more efficiently not for Ni-Cr binary material but for Si doped Ni-Cr ternary material, and not using RF power but using DC power in the sputtering process.

전극 구조에 따른 유기 트랜지스터 특성

이붕주,Lee, Boong-Joo 한국전자통신학회 2013 한국전자통신학회 논문지 Vol.8 No.1

본 논문에서는 유기박막트랜지스터용 절연막에 활용코자 플라즈마 중합방법을 이용하여 PMMA 절연막을 제작하였다. 유기트랜지스터 성능향상을 위해 전극구조에 따른 특성을 파악하고자 트랜지스터의 이동도 및 출력특성을 본결과, 상부전극구조의 경우 최대 이동도는 $8{\times}10^{-3}[cm^2V^{-1}s^{-1}]$을 보이고 하부전극구조의 경우 $2{\times}10^{-4}[cm^2V^{-1}s^{-1}]$의 낮은 이동도 값을 얻었으며, 하부전극구조의 경우 off current값이 증가되는 특성을 볼 수 있다. 그러므로 유기트랜지스터의 전극구조는 상부전극 방식이 좋은 것 알 수 있었다. In this paper, We have fabricated PMMA thin films by plasma polymerization method for organic thin film transistor's insulator layer. For improving the characteristics of organic transistor, we tested transistor's mobility and output values with organic transistor's electrode structures. As a results, the mobility of top contact was $8{\times}10^{-3}[cm^2V^{-1}s^{-1}]$, that of bottom contact was $2{\times}10^{-4}[cm^2V^{-1}s^{-1}]$. Also, off current of bottom contact was increased. Therefore, we recommend the top contact electrode structure of organic transistor.

진공증착중합법에 의해 제조된 폴리이미드박막의 절연파괴특성

이붕주,김형권,김종석,한상옥,박강식,김영봉,이덕출 ( Boong Joo Lee,Hyeong Gweon Kim,Jong Suk Kim,San Ok Han,Kang Sik Park,Young Bong Kim,Duck Chool Lee ) 한국전기전자재료학회 1997 한국전기전자재료학회 춘계학술대회논문집 Vol.1997 No.0

학습효과 증진을 위한 조명설계에 대한 기초연구

이붕주(Boong-Joo Lee) 한국산학기술학회 2020 한국산학기술학회논문지 Vol.21 No.4

본 연구에서는 수학영역, 언어영역 및 창의영역에서 학습효과 증진을 위한 교육용 조명체험실의 조명설계를 위한 기초연구를 진행하였다. 조명환경을 직접 체험할 수 있는 공간 내부는 실험자가 자연스럽게 공부할 수 있는 환경으로 설계하였고, 실험 진행 중 설정조명 외의 다른 색의 영향을 최대한 받지 않도록 외부의 빛은 완벽히 차단하였다. LED조명의 색온도와 조도를 변화시키면서 동일한 방식으로 조명변화에 따른 뇌파의 변화를 분석하였다. 이때 사용되어진 뇌파분석기는 EMOTIV社를 활용하였다. 가변 RGB LED조명에서 색을 변화시키며 상황별에 따른 실험자의 뇌파를 측정하고, 가변 색온도 LED조명에서는 색온도(3000[K], 4500[K]. 6000[K])와 빛의 세기(50%-250[lux], 70%-350[lux], 100%-500[lux])의 값을 변화시키며 상황별에 따른 실험자의 뇌파를 측정하였다. 그결과, 수리영역의 경우 색온도가 높은 경우가 집중도가 좋은 결과를 보였고 6000[K]의 색온도와 350[lux]의 조도인 조명환경에서 집중도가 가장 높은 결과를 얻었다. 언어영역의 경우 4500[K]의 색온도와 500[lux]조도일때 최적조건이고 창의영역의 경우 3000[K]의 색온도와 500[lux]의 조도일 때 최적 조명환경 조건을 얻었다. 감성조명이 가능한 LED조명원을 활용하는 경우 얻어진 색온도와 조도를 기준하여 조명 환경을 설계한다면 언어, 수리, 창의학습시 집중도가 높아짐을 알았다. This study conducted basic research on an LED lighting design to improve the learning effect from brain wave analysis. The ideal environments of mathematics, language, and creative region can be different. Inside the space where the lighting environment can be experienced directly, the test subject consisted of common elements. Other lighting was blocked completely in controlled lighting conditions. The brain waves were analyzed according to the change in color temperature and illumination. The analyzer used was fabricated by EMOTIV Company. In the variable RGB LED light, the color of the light was measured, and the brain wave of each subject was determined. LED lights have variable color temperature (3000 [K], 4500 [K]. 250 [lux], 70% -350 [lux], 100% -500 [lux]). As research results, the highest concentration in a mathematics study was in the general condition of a high color temperature, in which the optimal condition was a 6000[K] color temperature and 350[lux] illumination. The optimal condition for a language study was a 4500[K] color temperature and 500[lux] illumination, and that of the creative study was 3000[K] color temperature and 500[lux] illumination. Overall, the possibility of emotional ability and concentrated learning efficiency can be improved by the LED lighting design with the color temperature and illumination.

플라즈마 표면처리에 따른 유기트랜지스터 특성

이붕주(Boong-Joo Lee) 한국전자통신학회 2013 한국전자통신학회 논문지 Vol.8 No.6

본 논문에서는 플라즈마 중합법에 의해 유기절연막을 제작 후 이를 이용한 유기박막트랜지스터의 특성향상을 위해 반도체박막의 표면처리를 하였다. 그 결과 반도체층의 O2 플라즈마을 활용하여 30 [sec]동안 표면처리시 박막의 표면에너지는 38 mJ/m2값에서 72 mJ/m2값으로 증가되었으며, 이에 따른 유기트랜지스터의 이동도는 평균값 기준하여 29% 증가된 0.057 cm2V-1s-1의 값으로 증가된 값을 얻을 수 있었다. 이로부터 반도체박막표면개질에 의한 유기트랜지스터의 이동도 특성향상이 가능함을 알았다. In this paper, we fabricated insulator thin films by plasma polymerization method for organic thin film transistor's insulator layer. For improving the electrical characteristics of organic transistor, we treated the semiconductor thin film with O2 plasma. As results, the surface energy of organic transistor was increased from 38 mJ/m2 to 72 mJ/m2 and the mobility of organic transistor was increased 0.057 cm2V-1s-1, that is increased 29% average ratio. Therefore, we have known that oragnic transistor's mobility can improve with plasma treatment of semiconductor thin film's surface

플로팅 게이트형 유기메모리 동작특성

이붕주(Lee, Boong-Joo) 한국산학기술학회 2014 한국산학기술학회논문지 Vol.15 No.8

유기메모리 제작을 위해 플라즈마 중합법에 의해 절연박막, 터널링 박막을 제작하였고, Au 메모리박막을 이용하여 플로팅게이트형 유기메모리를 제작하였다. 플로팅 게이트형 유기메모리의 메모리층의 전하충전 및 방전에 따른 유기메모리 동작특성을 생각해 보았고, 이를 증명하고자 게이트전압에 따른 히스테리전압 및 메모리전압을 측정하였다. 그 결과 게이트 전압의 인가에 따른 메모리층의 동작 이론을 증명하고자 게이트전압이 증가함에 따른 소스-드레인 전류의 히스테리시스 현 상이 심해지는 것을 확인하였고, -60∼60[V]전압 인가시 26[V]의 큰 히스테리시스 전압값을 보였다. 또한 게이트 전극에 쓰 기전압인가에 따른 현상을 본 결과, 60[V]의 쓰기 전압을 인가하였을 시 13[V]의 memory 전압을 나타내었고, 80[V]의 쓰기 전압을 인가하였을 시 18[V]로 memory 전압이 약 40[%] 향상된 수치를 보였다. 이로부터 메모리층의 전하 충전 및 방전에 따른 메모리 동작특성 이론을 실험적으로 검증하였다. Organic memory devices were made using the plasma polymerization method. The memory device consisted of ppMMA(plasma polymerization MMA) thin films as the tunneling and insulating layer, and a Au thin film as the memory layer, which was deposited by thermal evaporation. The organic memory operation theory was developed according to the charging and discharging characteristics of floating gate type memory, which would be measured by the hysteresis voltage and memory voltage with the gate voltage values. The I-V characteristics of the fabricated memory device showed a hysteresis voltage of 26 [V] at 60 ∼ -60 [V] double sweep measuring conditions. The programming voltage was applied to the gate electrode in accordance with the result of this theory. A programming voltage of 60[V] equated to a memory voltage of 13[V], and 80[V] equated to a memory voltage of 18[V]. The memory voltage of approximately 40 [%]increased with increasing programming voltage. The charge memory layer charging or discharging according to the theory of the memory was verified experimentally.