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As 이온이 주입된 단결정 실리콘(100)의 전기적 활성화 연구
이동건(D. K. Lee),문영희(Y. H. Mun),손정식(J. S. Son),김동렬(D. Y. Kim),배인호(I. H. Bae),김말문(M. M. Kim),한병국(B. K. Han),정광화(K. H. Chung) 한국진공학회(ASCT) 1995 Applied Science and Convergence Technology Vol.4 No.1
Hall 효과 측정을 이용하여 As^+이 주입된 단결정 실리콘의 열처리 조건에 따른 활성화 과정을 연구하였다. 주입된 이온의 농도 분포는 SIMS(Secondary Ion Mass Spectroscopy)와 SUPREM Ⅳ 모의 실험으로 조사하였다. 열처리 온도가 증가함에 따라 활성층의 전자 면 농도 증가가 뚜렷이 나타났으며, Hall 이동도의 온도 의존성 측정으로 주입된 도우즈에 따라 이온 주입층의 활성화에 필요한 열처리 온도가 달라져야함을 알 수 있었다. 그리고, 접합 손실전류의 감소는 800℃ (30분)의 열처리에서 현저하게 나타났다. We studied activation process of As^+ implanted Si(l00) according to annealing conditions by using Hall effect measurement. Depth profiles were measured by SIMS(secondary ion mass spectroscopy) and SUPREM Ⅳ computer simulation. It was found that sheet carrier concentration become different clearly in proportion to the increasing of annealing temperature, and that the annealing temperature has to vary according to dose for activation of implanted layer by measuring temperature dependence of Hall mobility. And, decreasing of junction leakage current was shown clearly above 800℃ (30 min).