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우형주,정성계 대한전기학회 1967 전기의 세계 Vol.16 No.4
1965년 8월 8일 발생한 춘천시 감전사 사건과 1967년 4월 28일 목포 극장에서 발생한 화재사건에 있어서 법원으로 부터 이들 사건이 전기로 인한 사고인지의 여부에 대한 감정의뢰가 있어 아래와 같이 감정서를 작성하였다. 여러 회원들에게 다소라도 참고가 되면 다행으로 생각하는 바이며 본 감정서에 대한 의견이 있으시면 본인들에게 제의하여 주시기 바랍니다.
우형주,김기동,최한우,김준곤 한국물리학회 2012 THE JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY Vol.60 No.3
We have investigated the evolution of GaN phase nanocrystallite formation in a GaAs matrix by using nitrogen-ion implantation and subsequent rapid thermal annealing. A semi-insulating GaAs (100) wafer was implanted with 50-keV nitrogen ions at fluences in the range of 0.5 4.0 × 1017 cm−2 at temperatures of room temperature, 500 C and 700 C, followed by postimplantation annealing at 500 900 C under a pure nitrogen gas flow. In the case of hightemperature implantation, there were no significant changes in the UV-VIS absorption spectra after high-temperature annealing compared with the spectra of the as-implanted sample. On the other hand, microscopic blistering and/or exfoliation is preferred after post-implantation annealing at high temperatures above 600 C. As a consequence, low-temperature implantation (<200 C is recommended in order to keep a morphologically-clean sample surfaces especially at an implantation fluence of 2 × 1017 cm−2 or more. Formation of nanometer-sized GaN crystallites was confirmed by using X-ray diffraction, cross-sectional transmission electron microscopy and low-temperature photoluminescence spectroscopy, and the effects of different annealing conditions on the evolution of the structures of the crystallites are described.
청평발전소 제3호 발전기 설치장소 폭파작업에 관한 기본조사
우형주 대한전기학회 1966 전기의 세계 Vol.15 No.5
본 조사연구는 한국전력주식회사의 위탁에 의하여 1967년 1월 초순에서 중순에 걸쳐, 서울대학교공과대학 응용과학연구소의 염영하, 현병구, 김동기 제교수와 같이 실시한 것이다. 즉 청평발전소 제3호 발전기(40,000KW) 설치장소의 굴착작업이 이전시설 특히 제1호와 제2호 발전기 및 그 부대시설에 미치는 영향을 조사하고, 굴착의 최적작업방법을 제시한 것이다.
우형주,최한우,배영호,최우범,Woo H-J,Choi H-W,Bae Y-H,Choi W-B 한국진공학회 2005 Applied Science and Convergence Technology Vol.14 No.2
양성자 주입과 웨이퍼접합기술을 접목한 ion-cut기술로서 SOI 웨이퍼를 제조하는 기술을 개발하였다. SRIM 전산모사에 의하면 일반 SOI 웨이퍼 (200nm SOI, 400nm BOX) 제조에는 65keV의 양성자주입이 요구된다. 웨이퍼분리를 위한 최적 공정조건을 얻기 위해 조사선량과 열처리조건(온도 및 시간)에 따른 blistering 및 flaking 등의 표면변화를 조사하였다. 실험결과 유효선량범위는 $6\~9times10^{16}H^+/cm^2$이며, 최적 아닐링조건은 $550^{\circ}C$에서 30분 정도로 나타났다. RCA 세정법으로서 친수성표면을 형성하여 웨이퍼 직접접합을 수행하였으며, IR 조사에 의해 무결함접합을 확인하였다 웨이퍼 분리는 예비실험에서 정해진 최적조건에서 이루어졌으며, SOI층의 안정화를 위해 고온열처리($1,100^{\circ}C,\;60$분)를 시행하였다. TEM 측정상 SOI 구조결함은 발견되지 않았으며, BOX(buried oxide)층 상부계면상의 포획전하밀도는 열산화막 계면의 낮은 밀도를 유지함을 확인하였다. The silicon-on-insulator (SOI) wafer fabrication technique has been developed by using ion-cut process, based on proton implantation and wafer bonding techniques. It has been shown by SRIM simulation that 65keV proton implantation is required for a SOI wafer (200nm SOI, 400nm BOX) fabrication. In order to investigate the optimum proton dose and primary annealing condition for wafer splitting, the surface morphologic change has been observed such as blistering and flaking. As a result, effective dose is found to be in the $6\~9\times10^{16}\;H^+/cm^2$ range, and the annealing at $550^{\circ}C$ for 30 minutes is expected to be optimum for wafer splitting. Direct wafer bonding is performed by joining two wafers together after creating hydrophilic surfaces by a modified RCA cleaning, and IR inspection is followed to ensure a void free bonding. The wafer splitting was accomplished by annealing at the predetermined optimum condition, and high temperature annealing was then performed at $1,100^{\circ}C$ for 60 minutes to stabilize the bonding interface. TEM observation revealed no detectable defect at the SOI structure, and the interface trap charge density at the upper interface of the BOX was measured to be low enough to keep 'thermal' quality.