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AlAsxSb1-x 단계 성분 변화 완충층을 이용한 Si (100)기판 상 Al0.3Ga0.7As/GaAs 다중 양자 우물 형성
이은혜,송진동,연규혁,배민환,오현지,한일기,최원준,장수경 한국진공학회 2013 Applied Science and Convergence Technology Vol.22 No.6
The AlAsxSb1-x step-graded buffer (SGB) layer was grown on the Silicon (Si) substrate to overcome lattice mismatch between Si substrate and Al0.3Ga0.7As/GaAs multiple quantum wells (MQWs). The value of root-mean-square (RMS) surface roughness for 5 nm- thick GaAs grown on AlAsxSb1-x step-graded buffer layer was ∼1.7 nm. Al0.3Ga0.7As/GaAs MQWs with AlAs/GaAs short period superlattice (SPS) were formed on the AlAsxSb1-x/Si substrate. Photoluminescence (PL) peak at 10 K for the Al0.3Ga0.7As/GaAs MQW structure showed relatively low intensity at ∼813 nm. The RMS surface roughness of the Al0.3Ga0.7As/GaAs MQW structure was ∼42.9 nm. The crystal defects were observed on the cross-sectional transmission electron microscope (TEM) images of the Al0.3Ga0.7As/GaAs MQW structure. The decrease of PL intensity and increase of RMS surface roughness would be due to the formation of the crystal defects. 실리콘(Silicon, Si) 기판과 Al0.3Ga0.7As/GaAs 다중 양자 우물(multiple quantum wells, MQWs) 간의 격자 부정합 해소를 위해 AlAsxSb1-x 층이 단계 성분 변화 완충층(step-graded buffer, SGB)으로 이용되었다. AlAsxSb1-x 층 상에 형성된 GaAs 층의 RMS 표면 거칠기(root-mean-square surface roughness)는 10×10 μm 원자 힘 현미경(atomic force microscope,AFM) 이미지 상에서 약 1.7 nm로 측정되었다. AlAsxSb1-x/Si 기판 상에 AlAs/GaAs 단주기 초격자(short period superlattice,SPS)를 이용한 Al0.3Ga0.7As/GaAs MQWs이 형성되었다. Al0.3Ga0.7As/GaAs MQW 구조는 약 10 켈빈(Kalvin, K)에서 813 nm 부근의 매우 약한 포토루미네선스(photoluminescence, PL) 피크를 보였고, Al0.3Ga0.7As/GaAs MQW 구조의 RMS 표면 거칠기는 약 42.9 nm로 측정되었다. 전자 투과 현미경(transmission electron microscope, TEM) 단면 이미지 상에서AlAs/GaAs SPS 로부터 Al0.3Ga0.7As/GaAs MQWs까지 격자 결함들(defects)이 관찰되었고, 이는 격자 결함들이 Al0.3Ga0.7As/GaAs MQW 구조의 표면 거칠기와 광 특성에 영향을 주었음을 보여준다.
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이은혜,송진동,연규혁,배민환,오현지,한일기,최원준,장수경,Lee, Eun Hye,Song, Jin Dong,Yoen, Kyu Hyoek,Bae, Min Hwan,Oh, Hyun Ji,Han, Il Ki,Choi, Won Jun,Chang, Soo Kyung 한국진공학회 2013 Applied Science and Convergence Technology Vol.22 No.6
실리콘(Silicon, Si) 기판과 $Al_{0.3}Ga_{0.7}As$/GaAs 다중 양자 우물(multiple quantum wells, MQWs) 간의 격자 부정합 해소를 위해 $AlAs_xSb_{1-x}$ 층이 단계 성분 변화 완충층(step-graded buffer, SGB)으로 이용되었다. $AlAs_xSb_{1-x}$ 층 상에 형성된 GaAs 층의 RMS 표면 거칠기(root-mean-square surface roughness)는 $10{\times}10{\mu}m$ 원자 힘 현미경(atomic force microscope, AFM) 이미지 상에서 약 1.7 nm로 측정되었다. $AlAs_xSb_{1-x}$/Si 기판 상에 AlAs/GaAs 단주기 초격자(short period superlattice, SPS)를 이용한 $Al_{0.3}Ga_{0.7}As$/GaAs MQWs이 형성되었다. $Al_{0.3}Ga_{0.7}As$/GaAs MQW 구조는 약 10 켈빈(Kalvin, K)에서 813 nm 부근의 매우 약한 포토루미네선스(photoluminescence, PL) 피크를 보였고, $Al_{0.3}Ga_{0.7}As$/GaAs MQW 구조의 RMS 표면 거칠기는 약 42.9 nm로 측정되었다. 전자 투과 현미경(transmission electron microscope, TEM) 단면 이미지 상에서 AlAs/GaAs SPS 로부터 $Al_{0.3}Ga_{0.7}As$/GaAs MQWs까지 격자 결함들(defects)이 관찰되었고, 이는 격자 결함들이 $Al_{0.3}Ga_{0.7}As$/GaAs MQW 구조의 표면 거칠기와 광 특성에 영향을 주었음을 보여준다. The $AlAs_xSb_{1-x}$ step-graded buffer (SGB) layer was grown on the Silicon (Si) substrate to overcome lattice mismatch between Si substrate and $Al_{0.3}Ga_{0.7}As$/GaAs multiple quantum wells (MQWs). The value of root-mean-square (RMS) surface roughness for 5 nm-thick GaAs grown on $AlAs_xSb_{1-x}$ step-graded buffer layer was ~1.7 nm. $Al_{0.3}Ga_{0.7}As$/GaAs MQWs with AlAs/GaAs short period superlattice (SPS) were formed on the $AlAs_xSb_{1-x}$/Si substrate. Photoluminescence (PL) peak at 10 K for the $Al_{0.3}Ga_{0.7}As$/GaAs MQW structure showed relatively low intensity at ~813 nm. The RMS surface roughness of the $Al_{0.3}Ga_{0.7}As$/GaAs MQW structure was ~42.9 nm. The crystal defects were observed on the cross-sectional transmission electron microscope (TEM) images of the $Al_{0.3}Ga_{0.7}As$/GaAs MQW structure. The decrease of PL intensity and increase of RMS surface roughness would be due to the formation of the crystal defects.
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