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미세피치용 Cu/SnAg 더블 범프 플립칩 어셈블리의 신뢰성에 관한 연구
손호영,김일호,이순복,정기조,박병진,백경욱,Son, Ho-Young,Kim, Il-Ho,Lee, Soon-Bok,Jung, Gi-Jo,Park, Byung-Jin,Paik, Kyung-Wook 한국마이크로전자및패키징학회 2008 마이크로전자 및 패키징학회지 Vol.15 No.2
In this study, reliabilities of Cu (60 um)/SnAg (20 um) double-bump flip chip assemblies were investigated for the flip chip interconnections on organic substrates with 100 um pitch. After multiple reflows at $250^{\circ}C\;and\;280^{\circ}C$, bump contact resistances were almost same regardless of number of reflows and reflow temperature. In the high temperature storage test, there was no bump contact resistance change at $125^{\circ}C$ up to 2000 hours. However, bump contact resistances slightly increased at $150^{\circ}C$ due to Kirkendall voids formation. In the electromigration test, Cu/SnAg double-bump flip chip assemblies showed no electromigration until about 600 hours due to reduced local current density. Finally, in the thermal cycling test, thermal cycling failure mainly occurred at Si chip/Cu column interface which was found out the highest stress concentration site in the finite element analysis. As a result, Al pad was displaced out under thermal cycling. This failure mode was caused by normal compressive strain acting Cu column bumps along perpendicular direction of a Si chip.
3D 유한요소 해석 기반 단면 형상 별 곡선 보의 내진성능 평가
손호영,주부석,박성관,소우빈,전준태 한국재난정보학회 2018 한국재난정보학회 학술대회 Vol.2018 No.11
본 연구에서는 곡선 보의 거동에 많은 영향을 끼치는 매개 변수가 단면 형상이라 판단하여 I-Shpae, T-Shape, Box-Shape의 단면을 갖는 곡선 보의 동적 거동을 분석하였다. ABAQUS Platform을 이용하여 단면적인 동일한 I-Shape, T-Shape, Box-Shaep의 곡선 보를 3D Shell 유한요소 모델로 구축하였으며 경 주, 포항, Northridge 지진을 적용하여 시간이력 해석을 수행하였다. 모든 형상의 곡선 보에서 경주 지진을 적용하였을 때 가장 큰 응력이 발생하였으며 형상별로는 T-Shape 곡선 보에서 큰 값을 보였다. 이것은 곡 선 보의 고유 진동수가 경주 지진의 탁월진동수 대역에 위치하기 때문인 것으로 판단된다.
