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      • KCI등재

        Ag의 두께에 따른 비정질 As-Ge-Se-S의 홀로그래픽 특성연구

        김충혁,Kim, Chung-Hyeok 한국전기전자재료학회 2012 전기전자재료학회논문지 Vol.25 No.3

        In this study, we have investigated the holographic grating formation on Ag-doped amorphous As-Ge-Se-S thin films. The dependence of diffraction efficiency as afunction of Ag layer thickness has been investigated in this amorphous chalcogenide films. Holographic gratings was formed using [P:P] polarized Diode Pumped Solid State laser (DPSS, 532.0 nm). The diffraction efficiency was obtained by +1st order intensity. The results were shown that the diffraction efficiency of Ag/AsGeSeS double layer thin films for the Ag thickness, the maximum grating diffraction efficiency using 60 nm Ag layer is 0.96%.

      • KCI등재

        As2Se3 기반 Resistive Random Access Memory의 채널 직선화를 통한 신뢰성 향상

        김충혁,남기현 한국전기전자재료학회 2016 전기전자재료학회논문지 Vol.29 No.6

        Resistive random access memory (ReRAM) of metallic conduction channel mechanism is based on the electrochemical control of metal in solid electrolyte thin film. Amorphous chalcogenide materials have the solid electrolyte characteristic and optical reactivity at the same time. The optical reactivity has been used to improve the memory switching characteristics of the amorphous As2Se3-based ReRAM. This study focuses on the formation of holographic lattices patterns in the amorphous As2Se3 thin film for straight conductive channel. The optical parameters of amorphous As2Se3 thin film which is a refractive index and extinction coefficient was taken by n&k thin film analyzer. He-Cd laser (wavelength: 325 nm) was selected based on these basic optical parameters. The straighten conduction channel was formed by holographic lithography method using He-Cd laser. Ag+ ions that photo-diffused periodically by holographic lithography method will be the role of straight channel patterns. The fabricated ReRAM operated more less voltage and indicated better reliability. 금속성 전도경로 메커니즘의 ReRAM은 고체전해질 박막 내부에 금속의 전기화학적 조절에 기인한다. 비정질 칼코게나이드 재료는 고체전해질 특성과 광학적 반응성을 함께 가진다. 비정질 As2Se3 기반 ReRAM의 메모리 특성을 향상시키기 위해 광학적 반응성을 이용하였다. 본 연구는 전도경로의 직선화를 위해 비정질 As2Se3 박막에 홀로그래픽 격자 모양의 패턴을 형성하는 것에 초점이 맞춰져 있다. 굴절률, 흡수계수와 같은 광학적 파라미터들은 n&k 박막 분석장치를 이용해 얻었으며, 이런 기본적 광학 파라미터를 근거로 He-Cd 레이저 (파장 : 325 nm)를 선택하였다. 금속성 채널 패턴은 He-Cd 레이저를 이용한 홀로그래픽 리쏘그래피 방법에 의해 형성되었다. 홀로그래픽 리쏘그래피 방법에 의해 주기적으로 광확산된 Ag+ 이온들은 직선 채널 패턴의 역할을 하게 될 것이다. 제작된 ReRAM은 동작 전압의 감소와 보다 좋은 신뢰성을 확인할 수 있었다.

      • KCI등재

        와전류 기법을 이용한 가공전력선 열화 진단

        김충혁,김탁용,오용철,최운식,조춘남,Kim, Chng-Hyeok,Kim, Tag-Yong,Oh, Yong-Cheul,Choi, Woon-Sik,Jo, Choon-Nam 한국전기전자재료학회 2014 전기전자재료학회논문지 Vol.27 No.5

        Internal corrosion of the distribution line can be detected in order to develop techniques of non-destructive inspection methods that operate only on the metal track eddy current diagnosis is possible by applying the technique investigated. Sensor for the production of a finite element method modeled by using an eddy current sensor, a distribution line by using an accelerated aging samples of sodium hydroxide was prepared. Sheathed cables for internal corrosion studies detected using an eddy current sensor is considered to be possible.

      • KCI등재

        Microstructures and Dielectric Properties of SrTiO$_3$-Based BL Capacitor with Content of Ca

        김충혁,최운식,이준웅 한국전기전자재료학회 1999 전기전자재료학회논문지 Vol.12 No.1

        Microstructures and dielectric properties of (Sr$\_$1-x/Ca$\_$x/) TiO$_3$-0.006Nb$_2$O$\_$5/ (0.05$\leq$x$\leq$0.2) boundary layer ceramics were investigated. The samples fired in a reducing atmosphere(N$_2$) were painted on the surface with CuO paste for the subsequent grain boundary diffusion, and then annealed at 1100$^{\circ}C$ for 2 hrs. The metal oxide of CuO infiltrated by thermal diffusion from surface of sample presents continuously in not grain but only grain boundary, and makes up thin boundary phase. The SEM photo, and EDAX revealed that CuO was penetrated rapidly into the bulk along the grain boundaries during the annealing. The average grain sizes is continuously increased as the content of substitutional Ca is increased from 5[mol%] to 15[mol%], but the average grain size of the sample with content of 20[mol%] Ca is slightly decreased. In the samples with content of 10∼15[mol%] Ca, excellent dielectric properties were obtained as follows; dielectric constant <25000, dielectric loss <0.3[%], and capacitance change rate as a function of temperature <${\pm}$10[%], respectively. All samples in this study exhibited dielectric relaxation with frequency as a functior of the temperature.

      • $(Sr.Pb)TiO_3$계 세라믹의 전기전도 및 DC절연파괴 특성

        김충혁,정일형,이준웅 한국전기전자재료학회 1992 電氣電子材料學會誌 Vol.5 No.4

        본 연구에서는 (Sr.Pb)TiO$_{3}$계 세라믹을 고압용 세라믹 캐패시터로 응용하기 위하여 일반적인 세라믹 소성법으로 제작하였으며 Bi$_{2}$O$_{3}$. 3TiO$_{2}$의 첨가량에 따른 전기전도 및 DC 절연파괴 특성을 조사하였다. 전도전류는 측정온도의 상승과 Bi$_{2}$O$_{3}$.3TiO$_{2}$의 첨가량이 증가함에 따라 상승하였다. 실온에서 전도전류는 전계에 따라 3영역으로 나누어졌다. 전계 15[kV/cm]이하의 영역에서는 오음의 법칙이 성립하는 이온전도가 나타났으며 전계 15[kV/cm]~40[kV/cm]인 영역에서는 전계에 강요된 강유전성 분극의 반전게에 기인하여 전류의 포화현상이 나타났다. 전계 40[kV/cm] 이상의 영역에서는 공간전하제한전류에 관련된 차일드법칙이 성립하였다. DC 절연파괴 강도는 측정온도의 상승과 Bi$_{2}$O$_{3}$.3TiO$_{2}$의 첨가량이 증가함에 따라 감소하였다. 온도 100[.deg.C] 이하에서는 전자적파괴가 일어났으며 100[.deg.C] 이상에서는 주울열과 유전손실에 의한 열적파괴가 나타났다.

      • 유전체 해석용 유한요소법을 위한 프로그램의 개발

        김충혁 광운대학교 신기술연구소 1996 신기술연구소논문집 Vol.25 No.-

        본 연구에서는 고성능 PC를 사용하면서도 메모리를 다루는데 편리한 경제적인 프로그래밍 환경을 구축하여 이에 따른 Program-Routine을 개발하였다. 연구에서 얻어진 결과는 경제적인 Ma-chine의 도입이 가능하고 메모리 처리가 어렵지 않은 만족할 만한 처리속도를 얻을 수 있었다. In this study, a program routine using high performance PC which follows to economic programing environment and easy memory access mode is developed. The result from this study shows the possibility of economic machine utility and memory independent program-ming.

      • 원적외선의 방사와 응용 (II)

        김충혁,송민종,박춘배,이준웅 대한전기학회 1992 전기의 세계 Vol.41 No.10

        원적외선의 이용은 에너지절약을 목적으로한 효율이 높은 열전파형태로서 주로 응용되고 있다. 따라서 방사체의 적외선 방사특성과 피가열체의 적외선 흡수특성과의 관계가 먼저 명확하게 규명되어야 한다. 그러면, 그 흡수특성과 정합된 원적외선 방사세라믹스의 제작도 가능하게 되어갈 것이므로 원적외선의 작용효과가 각종 분야에서 이용되어 갈 것이다. 예를들면 의료분야에서 과거에는 인체의 일부를 가온할 필요가 있을 때에는 고주파전류, 마이크로파 또는 환부를 유동 파라핀속에 넣어 환부를 따뜻하게 하는 방법 등이 있지만 만약 어떤파장의 원적외선이 인체의 피부 깊숙이 투과가 가능하다면 마이크로파 방생장치 대신에 원적외선의 발생장치가 값이 저렴하고 기온부를 국소로 제한 할 수 있으므로 널리 사용되어질 것이다. 또 식품분야에서는 에너지절약의 관점에서 뿐만아니라 조리의 관점에서도 원적외선의 이용이 진전되어 갈 것으로 생각된다. 한편 원적외선센서의 진전은 놀랄만하여 앞으로 초전도세라믹스를 이용한 원적외선 검출의 죠셉슨센서는 더욱 진전되어 질것으로 생각된다. 어떻든 각종 원적외선방사 세라믹스의 개발과 원적외선 영역에서의 파장 특성에 대한 측정법이 확립되어짐에 따라서 원적외선 이용은 앞으로 각종방면에 진전되어질 것이다.

      • KCI등재

        $Bi_2O_3{\cdot}3TiO_2$의 첨가량에 따른 $(SrPb)(CaMg)TiO_3$ 세라믹의 전기적 특성

        김충혁,Kim, Chung-Hyeok 한국전기전자재료학회 1998 전기전자재료학회논문지 Vol.11 No.2

        In this paper, the $(SrPb)(CaMg)TiO_3$ ceramics with paraelectric properties were fabricated by the mixed oxide method. It was investigated that which the variation of contents of $Bi_2O_3{\cdot}3TiO_2$ effects on structural, dielectrical and electrical properties of specimens. As a result, the grain size were grown with increasing the contents of $Bi_2O_3{\cdot}3TiO_2$. The relative dielectric constants were increased up to 4[mol%] of $Bi_2O_3{\cdot}3TiO_2$, and decreased more or less at a low temperature in the specimens which had more than. But the temperature coefficient. of capacitance were showed ${\pm}25$[%]. The dielectric loss were less than 0.05 in all specimens which had more than 4[mol%] of $Bi_2O_3{\cdot}3TiO_2$. In order to investigate the behavior of charged particles, the characteristics of electrical conduction were measured. As a result, the conduction current was divided into the three steps as a function of DC electric field. The first step was Ohmic region due to ionic conduction, below 15[kV/cm]. The second step was showed a saturation which seems to be related to a depolarizing field occuring in field-enforced ferroelectric phase, between 15[kV/cm] and 40[kV/cm]. The third step was attributed to Child's law related to space charge which injected from electrode, above 40[kV/cm].

      • 폴리 불화 비닐덴 박막의 코로나 일렉트렛트

        김충혁,권병휘,홍진웅,이준응 한국전기전자재료학회 1988 電氣電子材料學會誌 Vol.1 No.3

        본 논문에서는 두께 50[.mu.m]의 미연신 .alpha.형 폴리비닐덴 후로라이드 필름을 시료로 선정, .+-.4~.+-.6[kV]사이의 코로나대전 전압을 인가하여 얻은 코로나 일렉트렛트로 부터 온도 범위 -100[.deg.C]-100[.deg.C] 사이에서 열자격전류를 측정한 결과, 저온으로 부터 .delta., ..gamma., .betha. 및 .alpha.인 4개의 TSC 피크를 얻었다. 이들 피크의 기원을 정성적으로 고찰한 결과, .delta., .gamma.피크는 비정질 영역에서 카보닐기, 주쇄 및 극성기들에 의한 쌍극자의 탈분극으로 또 70[.deg.C]부근에서 관측된 .betha.피크는 비정질 영역 또는 비정질과 결정질의 경계면에서 전극으로 부터 공간전하의 탈트랩으로 그리고 180[.deg.C]근방에서 관측된 .alpha.피크는 결정영역에 깊이 트랩된 캐이어들의 탈트랩으로 각각 피크가 나타나는 것으로 사료된다. .delta., .gamma., .betha.및 .alpha.인 4개의 TSC 피크에 대하여 초기 상승법으로 얻은 활성화 에너지는 각각 0.54[eV], 0.24[eV], 0.99[eV] 및 1.26[eV]를 얻었다.

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