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황성주,임승태,박대훈,윤영수,Hwang, Seong-Ju,Im, Seung-Tae,Park, Dae-Hun,Yun, Yeong-Su 대한화학회 2006 대한화학회지 Vol.50 No.4
도핑된 망간 산화물을 저온 산화환원반응을 통하여 합성하였다. 분말X선 회절분석 결과는 황이 도핑된 화합물이 층상 birnessite 구조로, 그리고 셀레늄 도핑 시료는 터널 -MnO2 구조로 결정화 되어 있음을 나타낸다. 이와 대조적으로 텔루륨이 도핑된 시료는 비정질상으로 잘 발달된 회절 피크를 보이지 않는다. EDS분석으로부터 칼코겐 원소가 망간 산화물 격자 내에 망간원소에 대해 4-7%의 농도로 도핑되었음을 확인하였다. 이들 물질을 이루는 구성원소의 화학결합상태를 X선 흡수 분광분석법 (XAS)을 이용하여 조사하였다. Mn K-흡수단 XAS 결과로부터 +3/+4가 혼합 원자가 상태를 가지는 망간 이온이 산소 팔면체 자리에 안정화 되어 있다는 사실을 확인하였다. Se K-와Te L1-흡수단 XAS 분석 결과는 중성인 Se과 Te 원소가 산화제인 KMnO4와의 반응을 통해 +6가 양이온으로 산화되었음을 보여준다. 결정구조와 망간의 산화상태를 감안하면 이들이 리튬 이차전지용 전극물질로서 응용 가능할 것으로 기대된다. manganese oxides have been prepared by Chimie Douce redox reaction between permanganate and chalcogen element fine powder under acidic condition (pH = 1). According to powder X-ray diffraction analyses, the S- and Se-doped manganese oxides are crystallized with layered birnessite and tunnel-type -MnO2 structures, respectively. On the contrary, Te-doped compound was found to be X-ray amorphous. According to EDS analyses, these compounds contain chalcogen dopants with the ratio of chalcogen/manganese = 4-7%. We have investigated the chemical bonding character of these materials with X-ray absorption spectroscopic (XAS) analysis. Mn K-edge XAS results clearly demonstrated that the manganese ions are stabilized in octahedral symmetry with the mixed oxidation states of +3/+4. On the other hand, according to Se K- and Te L1-edge XAS results, selenium and tellurium elements have the high oxidation states of +6, which is surely due to the oxidation of neutral chalcogen element by the strong oxidant permanganate ion. Taking into account their crystal structures and Mn oxidation states, the obtained manganese oxides are expected to be applicable as electrode materials for lithium secondary batteries.
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Post-CMOS MEMS 공정을 위한 다결정 실리콘 미세 구조물의 저온 도핑 및 열처리 공정 개발
박명규,이영주,전국진 경북대학교 센서기술연구소 1997 센서技術學術大會論文集 Vol.8 No.1
Polysilicon doping and annealing process at 850℃, which is compatible to CMOS fabrication, is developed. In case of monolithic integration of the surface micromachined polysilicon structures with on-chip circuitry, especially CMOS-first approach, high temperature process must be avoided to minimize the effect on circuits. In this study, we developed the doping process with POCl_(3) liquid source at low temperature for 2μm thick polysilicon. We also studied the effect on mechanical and electrical properties of polysilicon for doping temperatures(850℃~1000℃), temperatures of polysilicon deposition(585℃, 625℃), and the type of sacrificial layers(undoped TEOS oxide, TEOS oxide doped with POCl_(3), PSG). Low tensile stress(53με) and low stress gradient(+1.28MPa/μm) are obtained by varying doping time at 850℃. Low resistivity(<1mΩ-cm) and uniform doping profile of polysilicon are also obtained in this work. We also studied the effect of doping temperature on characteristics of CMOS with 1.5 μm design rule.
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