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용액공정기반 CVD-WS₂ 합성 시 계면활성물질 열 분해를 이용한 성장모드 제어
안광휘,이현석 한국진공학회 2021 한국진공학회 학술발표회초록집 Vol.2021 No.2
금속전구체수용액 기반 화학기상증착법에서 유기물 계면활성제의 사용은 균일하고 대면적 WS<sub>2</sub>의 성장에 필수적이지만 불완전하게 분해된 유기물 계면활성제는 성장의 장벽으로 작용한다[1]. 이에 본 연구에서는 수용액 기반 WS<sub>2</sub>의 공정에서 O<sub>2</sub> 사전 열처리를 도입하여 유기물 계면활성제의 분해에 대한 효과를 연구하였다. 300℃이상의 O<sub>2</sub> 사전 열처리에서는 유기물 계면 활성제에서 분해된 잔루탄소가 크게 감소되어 대면적 WS<sub>2</sub> 가 성장되었다. 또한 O<sup>2</sup> 가스 유량에 따라 삼각형에서 육각형 WS<sub>2</sub>로 제어되었다. 최적화된 O<sub>2</sub> 사전 열처리 공정을 도입하여 유기 잔류물의 방해없이 O<sub>2</sub> 가스 유량에 따른 WS<sub>2</sub>의 형상제어방법을 제시한다.
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태양전지응용을 위하여 MOCVD 방법으로 성장된 ZnO 박막의 기판온도에 따른 표면특성
김도영,강혜민,김형준,Kim, Do-Young,Kang, Hye-Min,Kim, Hyung-Jun 한국진공학회 2010 Applied Science and Convergence Technology Vol.19 No.3
우리는 MOCVD (metal organic chemical vapor deposition)법을 이용하여 DEZ (Diethylzinc)을 운송하는 Ar 유속과 reactant (반응물질)의 종류에 따른 ZnO 박막 증착을 연구하였다. Bubbler 시스템을 통하여 주입되는 Ar 유속에 의해 Zn 소스인 DEZ의 양이 조절된다. 산소 기체와 수증기는 산화를 위해 반응물질로 사용된다. 본 연구로부터 표면의 거칠기(surface roughness)는 반응물질의 종류와 DEZ Ar 유속에 관계되며 박막의 두께에 의존한다는 것을 알 수 있었다. 그러나 기판 온도는 산소를 반응물로 하는 상태에서는 표면 거칠기에 영향을 주지 못함을 알 수 있었다. 우리는 ZnO 박막이 90 sccm (Standard Cubic Centimeter per Minute)의 DEZ Ar 유속, 8 Pa의 수증기압, 그리고 $140^{\circ}C$의 기판 온도에서 39.16 mm의 가장 높은 거칠기를 가진다는 것을 확인할 수 있었다. 본 논문은 태양전지의 광 흡수층으로 사용가능한 ZnO 박막을 연구하였다. We report on the deposition of ZnO films using a metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) as a function of pushing pressure and kind of reactant such as oxygen gas and water A diethylzinc (DEZ) is supplied and controlled by Ar pushing pressure through bubbling system. Oxygen gas and water are used as reactant in order to form oxidation. We knew that the surface roughness is related in the process conditions such as reactant kind and DEZ flow rate. A substrate temperature has little role of surface roughness with $O_2$ reactant. However, $H_2O$ reactant makes it to increase over the 20 times. We could get the maximum roughness of 39.16 nm at the 90 sccm of DEZ Ar flow rate, the 8 Pa of $H_2O$ vapor pressure, and the $140^{\circ}C$ of substrate temperature. In this paper, we investigated the ZnO films for the application to the light absorption layer of solar cell layer.
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MOD법에 의해 제조된 $NO_x$ 가스용 반도체 박막센서의 특성
송수호,송민석,이재열 한국전기전자재료학회 1998 전기전자재료학회논문지 Vol.11 No.11
$WO_3$ based semiconduction sensor have been reported to have excellent sension properties to $NO_x$ gases by many researchers. In this study appropriate $WO_3$ precursor have been chosen and thin film sensors were fabricated by metallo organic deposition process. Their sensing characteristics were investigated as a function of NO concentration, heat treatment, and measuring temperature. Tungsten dichloro triethoxide was found to be a good precursor for $WO_3$ thin film in this method. Samples heat treated at $600^{\circ}C$ showed sensitivity (S) 200 to 50 ppm NO gas when measuring temperature was $150^{\circ}C$.
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다결정 및 박막형 $Sr_2Nb_2O_7$의 입자배향과 전기적특성
손창헌,전상재,남효덕,이희영 한국전기전자재료학회 1998 전기전자재료학회논문지 Vol.11 No.4
Polycrystalline $Sr_2Nb_2O_7$ ceramics with very high Curie temperature were sintered using the powder derived by the chemical coprecipitation method (CCP). The phase evolution and grain-orientation of sintered samples were examined by XRD, while sintering behavior, dielectric properties and polarization were studied by SEM and ferroelectric tester. Extremely high degree of grain-orientation was observed along the (0k0) direction, which resulted in anisotropic dielectric properties of the sintered samples, with the dielectric constant values approaching those for single crystal. Thin film fabrication of $Sr_2Nb_2O_7$ in the pyroniobate family was also attempted on $SiO_2$/Si(100), Pt/$SiO_2$/Si(100), Pt/Ti/$SiO_2$/Si(100) and Pt/$ZrO_2/SiO_2/Si_2(100)$ substrates, using metalorganic decomposition (MOD) process. Neodecanoate precursor solution was prepared by mixing strontium neodecanoate with niobium neodecanoate synthesized from niobium ethoxide. It was found that $Sr_2Nb_2O_7$ single phase appeared in XRD patterns the samples annealed above $950^{\circ}C$. The effect of substrate type on film microstructure and dielectric properties was observed.
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