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광통신용 1.55 ㎛ PBH - DFB - LD 스펙트럼 특성
장동훈(D. H. Jang),이중기(J. K. Lee),이승원(S. W. Lee),박경현(K. H. Park),김정수(J. S. Kim),김홍만(H. M. Kim),황인덕(I. D. Hwang),박형무(H. M. Park),조호성(H. S. Cho),홍창희(T. Hong) 한국광학회 1994 한국광학회지 Vol.5 No.1
LPE와 간섭노광법을 이용하여 1.55 ㎛ 파장의 InGaAsP/InP PBH-DFB-LD를 제작하고 스펙트럼 특성을 평가하였다. 제작된 PBH-DFB-LD의 발진 임계전류는 15 ㎃ 이하이며, 1.55 ㎛ 파장에서 광출력 7 ㎽ 이상까지도 단일 종모우드로 동작하였으며 측모우드 억제율 35dB 이상을 얻었다. 본 연구에서 제작된 PBH-DFB-LD 발진파장의 온도 의존 특성은 0.9Å/℃이며, 금지대역폭 측정에 의한 회절격자의 결합계수(k)는 97 ㎝-¹로 평가되었다. PBH-DFB-LD emitting at 1.55 ㎛ wavelength has been fabricated for 2.5 Gbps optical fiber communications. For fabrication of PBH-DFB-LD, inteference expose for grating formation and 3-step LPE epitaxial growth was used. Fabricated PBH-DFB-LD operates in single longitudinal mode with more than 35dB SMSR and its threshold current is less than 15 ㎃. The operating wavelength is 1530~1550 ㎚ with the temperature dependence of 0.9Å/℃. Coupling coefficient(k) was estimated as 97 ㎝-¹ by means of stop-band measurement. PBH-DFB-LD fabricated in this experiment can be applicable as light source for 2.5 Gbps optical fiber communication system.
유지범(J. B. Yoo),박찬용(C. Y. Park),박경현(K. H. Park),강승구(S. K. Kang),송민규(M. K. Song),오대곤(D. K. Oh),박종대(J. D. Park),김흥만(H. M. Kim),황인덕(I. D. Hwang),박형무(H. M. Park),윤태열(T. Y. Yoon),이창희(C. H. Lee),심창섭(C. S. Sh 한국광학회 1994 한국광학회지 Vol.5 No.2
2.5 Gbps 광통신시스템용 수광소자로서 charge plate층을 갖는 링구조의 separate absorption grading multiplication Avalanche photodiode를 제작하고 그 특성을 조사 분석하였다. Avalanche Photodiode의 제작은 Metal-Organic Chemical Vapor Deposition과 Liquid Phase Epitaxy법을 이용한 에피성장과, Br: Methanol을 이용한 채널식각 방법을 사용하였고, passivation과 평탄화는 photosensitive polyimide를 이용하였다. 제작된 APD는 10 ㎁ 이하의 작은 누설전류를 나타내었고, -38~39V의 항복전압을 나타내었다. 제작된 APD를 GaAs FET hybrid 전치증폭기와 결합하여 2.5 Gbps 속도에서 2²³-1의 길이를 갖는 입력 광신호에 대해 10^(-10) Bit Error Rate에서 -31.0 dBm의 수신감도를 얻었다. We fabricated and characterized the InGaAs separate absorption, grading and multiplication (SAGM) Avalanche photodiode (APD) with a chrage plate layer. Channel was employed for the isolation of the active area of APD. Metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) and liquid phase epitaxy (LPE) were used for the epitaxial growth. Channel was formed using wet etching technique. Photosensitive polyimide was used for the passivation and planarization of the device. APD shows very low leakage current smaller than 10 ㎁ and -38~39 V of breakdown voltage. Optical receiver consisting of APD and GaAs FET pre-amplifier shows the sensitivity of -31.0 dBm at 10^(-10) BER (Bit Error Rate) and 2.5 Gbps optical random signal of 2²³-1 in length.