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질화갈륨 나노 막대 형성을 위한 핵화층의 성장 온도에 따른 물성 연구
이상화,최혁민,김진교,Lee Sang-Hwa,Choe Hyeok-Min,Kim Chin-Kyo 한국진공학회 2006 Applied Science and Convergence Technology Vol.15 No.2
수소화물기상증착법을 이용하여 질화갈륨 핵화층을 성장시켰고, 성장 온도에 따라 상이한 구조적 특성을 갖는 핵화층이 질화갈륨 나노막대의 형성에 어떤 영향을 주는지 방사광 x-선 산란과 원자힘 현미경을 이용하여 연구하였다. 서로 다른 온도에서 성장시킨 질화갈륨 핵화층들의 (002) 브래그 봉우리에 대한 록킹 곡선(rocking curve)을 측정한 결과, 반폭치가 작은 주 봉우리와 반폭치가 넓은 작은 봉우리의 합으로 표현됨을 관측하였다. 이러한 현상은 핵화층의 표면 형상과 연관되어져서 설명될 수 있음을 정성적으로 보였고, AFM 결과와 비교해 볼 때 안정적인 나노막대 성장을 위해서는 핵화층이 저온에서 성장되어야 함을 확인하였다. GaN nucleation layers were grown by hydride vapor phase epitaxy (HVPE) and the effect of growth temperature on the structural properties of GaN nucleation layers for nanorods was investigated by synchrotron x-ray scattering and Atomic Force Microscopy (AFM). For the samples grown at different temperatures, two-component rocking profiles of (002) GaN Bragg peaks for the GaN nucleation layers were observed with one very sharp and the other broad. It was shown that the two-component rocking profile could be qualitatively explained by surface morphology, which was in good agreement with AFM result, from which we could conclude that relatively low temperature is favorable for GaN nanorods formation.
김진교,Yuri Sohn,이상화,최혁민 한국물리학회 2008 THE JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY Vol.53 No.2
In a hot-wall reactor for hydride vapor phase epitaxy (HVPE), the substrate holder was specially designed in such a way that the substrate temperature was much lower than its ambient because of an additional cooling mechanism, and GaN nanorods were grown on these air-cooled substrates. From these experiments, both the substrate temperature itself and the temperature gradient between the substrate and its ambient were found to be critical parameters in the growth of GaN nanorods. In addition, synchrotron X-ray scattering revealed that the GaN nanorods did not contain the cubic phase commonly observed in GaN films grown at low temperatures.
수소기상화합물 증착법을 이용한 질화갈륨(GaN) 박막과 나노막대의 선택적 과성장(ELOG)
오태건(Taegeon Oh),이상화(Sanghwa Lee),최혁민(Hyeokmin Choe),손유리(Yuri Sohn),전재원(Jai Weon Jean),김진교(Chinkyo Kim) 한국생산제조학회 2007 한국공작기계학회 춘계학술대회논문집 Vol.2007 No.-
넓은 에너지 띠를 가지고 있는 GaN는 짧은 파장의 광전소자를 제작하는데 쓰일 수 있으며, 격자상수가 맞는 기판이 없기 때문에 보통 다량의 결정성 결함이 박막 내부에 발생한다. 질화갈륨(GaN)의 Epitaxial lateral overgrowth(ELO)는 GaN의 bulk substrate가 없는 상황에서 이종기판과의 격자상수 차이에 인하여 생기는 다량의 결정성 결함을 줄이기 위한 방편으로서, hydride vapor phase epitaxy(HVPE)를 이용하여 성장조건을 다양하게 변화시켜 가며 ELOG 방식에 의해 성장된 GaN의 표면 형상을 연구해 보았다.
수소기상화합물 증착법을 이용한 질화갈륨(GaN) 박막과 나노막대의 선택적 과성장(ELOG)
오태건(Taegeon Oh),이상화(Sanghwa Lee),최혁민(Hyeokmin Choe),손유리(Yuri Sohn),전재원(Jai Weon Jean),김진교(Chinkyo Kim) 한국생산제조학회 2007 한국생산제조시스템학회 학술발표대회 논문집 Vol.2007 No.5
넓은 에너지 띠를 가지고 있는 GaN는 짧은 파장의 광전소자를 제작하는데 쓰일 수 있으며, 격자상수가 맞는 기판이 없기 때문에 보통 다량의 결정성 결함이 박막 내부에 발생한다. 질화갈륨(GaN)의 Epitaxial lateral overgrowth(ELO)는 GaN의 bulk substrate가 없는 상황에서 이종기판과의 격자상수 차이에 인하여 생기는 다량의 결정성 결함을 줄이기 위한 방편으로서, hydride vapor phase epitaxy(HVPE)를 이용하여 성장조건을 다양하게 변화시켜 가며 ELOG 방식에 의해 성장된 GaN의 표면 형상을 연구해 보았다.
조성범(Cho, Sungbum),이승호(Lee, Seungho),최혁민(Choi, Hyeokmin),김성제(Kim, Sungjei),정진우(Jeong, Jinwoo) 한국방송·미디어공학회 2024 한국방송미디어공학회 학술발표대회 논문집 Vol.2024 No.6
해양 자원 탐사 및 관리에서 무인잠수정의 사용이 증가함에 따라 수중 영상 처리 및 실시간 수중 생물 인식의 필요성이 높아졌다. 기존 연구에서는 촬영된 영상을 후처리하여 실시간 반응이 어려웠으며, 대규모 수중 생물 데이터 부족 및 학습용 데이터셋이 없는 문제가 있다. 본 논문에서는 온디바이스 기반의 경량화된 인공지능(AI) 모델을 모바일 기기에 탑재하여, 네트워크 접속이 불가능한 수중 환경에서도 실시간으로 수중 생물을 인식할 수 있는 기술을 제안한다. 이를 위해, 41종의 수중 생물을 포함한 30,647개의 이미지를 수집하고 라벨링하여 22만여개의 수중 생물 객체 데이터셋을 구축하였다. 본 논문에서 구축한 데이터셋을 이용하여 YOLOv6에 기반하여 재학습을 수행하였다. 또한 모바일 단말에서 학습된 모델의 동작 지연율을 최소화 시키기위해 ONNX 변환을 사용하지 않고 TFLite에서 모델을 정의하여 학습된 가중치를 적용시키도록 하였다. 실험 결과는 구축된 데이터베이스에서 mAP 0.6을 달성하였으며 모바일 디바이스에서 30FPS 이상의 실시간 처리 속도를 달성하였음을 보여준다.