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- 저자 : 전재원(Jai Weon Jean) (검색결과 2 건)
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수소 화물 기상 증착법을 이용한 InN 나노 알갱이 성장에 관한 연구
전재원,이상화,김진교,Jean, Jai-Weon,Lee, Sang-Hwa,Kim, Chin-Kyo 한국진공학회 2007 Applied Science and Convergence Technology Vol.16 No.6
수소화물 기상 증착법을 이용하여 [0001] 방향에서 $0.3^{\circ}$ 기울어진 사파이어 기판 위에 InN 나노 알갱이를 성장 시켰고, 다양한 성장 조건에 따라 InN 나노 알갱이의 성장이 어떻게 영향 받는지 x-선 산란을 이용하여 연구 하였다. 모든 시료는 암모니아 사전 처리 작업을 한 사파이어 기판 위에 증착하였다. 염화수소 유량, 성장온도, 소스 영역온도에 따라 InN 나노 알갱이의 성장이 영향을 받음을 알 수 있었으며, 갈륨과 인듐을 혼합한 소스를 사용하였음에도 불구하고, 성장 조건에 따라 InN가 성장되지 않는 경우가 있었으며, 이 때는 특히 (001) 방향의 GaN 이외에 (100)및 (101) 방향의 GaN 나노알갱이들이 급격히 많이 생성됨을 확인하였다. InN nanograins were directly grown on $0.3^{\circ}$-miscut (toward M-plane) c-plane sapphire substrates by hydride vapor phase epitaxy (HVPE) and their growth characteristics were investigated by utilizing x-ray scattering. Depending on the various growth parameters, the formation of InN was sensitively influenced. Six samples were grown by changing HCl flow rate, the substrate temperature and Ga/In source zone temperature. All the samples were grown on unintentionally $NH_3-pretreated$ sapphire substrates. By increasing the flow rate of HCl from 10 sccm to 20 sccm, the formation of GaN grains with different orientations was observed. On the other hand, when the substrate temperature was raised from $680^{\circ}C$ to $760^{\circ}C$, the increased substrate temperature dramatically suppressed the formation of InN. A similar behavior was observed for the samples grown with different source zone temperatures. By decreasing the source zone temperature from $460^{\circ}C$ to $420^{\circ}C$, a similar behavior was observed.
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수소기상화합물 증착법을 이용한 질화갈륨(GaN) 박막과 나노막대의 선택적 과성장(ELOG)
오태건(Taegeon Oh),이상화(Sanghwa Lee),최혁민(Hyeokmin Choe),손유리(Yuri Sohn),전재원(Jai Weon Jean),김진교(Chinkyo Kim) 한국생산제조학회 2007 한국공작기계학회 춘계학술대회논문집 Vol.2007 No.-
넓은 에너지 띠를 가지고 있는 GaN는 짧은 파장의 광전소자를 제작하는데 쓰일 수 있으며, 격자상수가 맞는 기판이 없기 때문에 보통 다량의 결정성 결함이 박막 내부에 발생한다. 질화갈륨(GaN)의 Epitaxial lateral overgrowth(ELO)는 GaN의 bulk substrate가 없는 상황에서 이종기판과의 격자상수 차이에 인하여 생기는 다량의 결정성 결함을 줄이기 위한 방편으로서, hydride vapor phase epitaxy(HVPE)를 이용하여 성장조건을 다양하게 변화시켜 가며 ELOG 방식에 의해 성장된 GaN의 표면 형상을 연구해 보았다.
DBpia
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