탄소나노튜브 방향성 수축 전송 방법이 CNTFET 기반 회로 성능에 미치는 영향에 관한 연구

조근호,Cho, Geunho 국제문화기술진흥원 2018 The Journal of the Convergence on Culture Technolo Vol.4 No.3

차세대 반도체 소자로 관심을 받고 있는 CNTFET은 소자의 소스와 드레인 사이에 CNT를 배치시켜, 기존 MOSFET보다 작은 전압으로 전자의 ballstic 혹은 near-ballastic 이동을 가능하게 만든 반도체 소자이다. CNTFET의 성능을 높이기 위해서는 많은 수의 CNT를 CNTFET 안에 높은 밀도로 배치해야 하기 때문에 CNT의 밀도를 증가시키기 위한 다양한 공정들이 개발되고 있다. 최근, 방향성 수축 전송 방법이 개발되어 CNTFET의 전류 밀도를 150uA/um까지 향상시켜줄 수 있음을 보이고 있어, CNTFET 기반 집적회로의 구현 가능성을 높이고 있다. 본 논문에서는, 방향성 수축 전송 방법으로 CNTFET 소자를 만들 경우, CNTFET 회로의 성능이 기존 MOSFET의 성능에 비해 얼마나 향상시킬 수 있는지 그 성능을 평가할 수 있는 방안을 논의하고자 한다. The CNTFET, which is attracting attention as a next-generation semiconductor device, can obtain ballistic or near-ballistic transport at a lower voltage than that of conventional MOSFETs by depositing CNTs between the source and drain of the device. In order to increase the performance of the CNTFET, a large number of CNTs must be deposited at a high density in the CNTFET. Thus, various manufacturing processes to increase the density of the CNTs have been developed. Recently, the Directional Shrinking Transfer Method was developed and showed that the current density of the CNTFET device could be increased up to 150 uA/um. So, this method enhances the possibility of implementing a CNTFET-based integrated circuit. In this paper, we will discuss how to evaluate the performance of the CNTFET device compared to a MOSFET at the circuit level when the CNTFET is fabricated by the Directional Shrinkage Transfer Method.

CNTFET 기반 회로 성능의 공정 편차 영향 분석을 위한 정확도 향상 방법

조근호,Cho, Geunho 한국전기전자학회 2018 전기전자학회논문지 Vol.22 No.2

가까운 미래에, 전자의 ballastic 혹은 near-ballastic 이동이 가능한 CNT(Carbon NanoTube)를 활용한 CNTFET(Carbon NanoTube Field Effect Transistor)은 현재의 실리콘 기반 트랜지스터를 교체할 유력한 후보 중 하나로 고려되고 있다. 고성능의 CNTFET으로 대규모 집적회로를 구현하기 위해서는 semiconducting CNT가 CNTFET 안에 동일한 간격과 높은 밀도로 정렬되어 배치되어야 하지만, CNTFET 공정의 미성숙으로, CNTFET 안의 CNT는 불규칙하게 배치하게 되고, 현존하는 HSPICE 라이브러리 파일은 불규칙한 CNT 배치에 의한 성능의 변화를 회로 레벨에서 평가할 수 있는 기능을 지원하지 않는다. 이러한 성능의 변화를 평가하기 위해서 선형 프로그래밍을 활용한 방법이 과거에 제안되었으나, CNTFET의 전류와 게이트 커패시턴스를 계산하는 과정에서 오차가 발생할 수 있는 문제점이 있다. 본 논문에서는 언급한 오차가 발생되는 이유에 대해서 자세히 논하고, 이 오차를 줄일 수 있는 새로운 방법을 제시하고자 한다. 시뮬레이션 검토 결과, 새롭게 제시된 방법이 기존 방법의 오차, 7.096%를 3.15%까지 줄일 수 있음을 보이고 있다. In the near future, CNTFET(Carbon NanoTube Field Effect Transistor) is considered as one of the most promising candidate for the replacement of modern silicon-based transistors by utilizing the ballistic or near-ballistic transport capability of CNT(Carbon NanoTube). For the large-scale fabrication of high performance CNTFET, semiconducting CNTs have to be well-aligned with a fixed pitch and high densities in the each CNTFET. However, due to the immaturity of the CNTFET fabrication process, CNTs can be unevenly positioned in a CNTFET and existing HSPICE library file cannot support the circuit level evaluation of performance variation caused by the unevenly positioned CNTs. To evaluate the performance variation, linear programming methodology was suggested previously, but the errors can be made during the calculation of the current and the gate capacitance of a CNTFET. In this paper, the reasons causing errors will be discussed in detail and the new methodology to reduce the errors will be also suggested. Simulation results shows that the errors can be reduced from 7.096% to 3.15%.

혼합형 데이터의 불순도 측정 방법을 이용한 나무분류 군집화

조근호(Geunho Cho),허선(Sun Hur) 대한산업공학회 2014 대한산업공학회 추계학술대회논문집 Vol.2014 No.11

본 논문은 연속형 및 범주형데이터가 존재하는 혼합형데이터를 군집화하는 나무형(tree) 군 집화 기법을 소개한다. 본 논문에서 제안하는 나무형(tree) 군집화는 예측변수의 엔트로피를 해당그룹의 불순도로 정의하는 일반적인 의사결정나무와는 달리 모든 변수에 대해서 정규화한 엔트로피를 계산하고 이를 합하여 해당 시점 그룹의 불순도를 계산한다. 범주형변수의 경우는 전체 관측치에서 각각 범주의 비율을 계산하고 이산분포의 엔트로피계산방식으로 엔트로피를 계산하였고 연속형변수의 경우에는 K-평균 군집화 기법을 이용하여 범주형 변수로 변환한 뒤, 엔트로피를 계산하였다. 제안하는 모델의 성능을 평가하기 위하여 독일신용데이텨(german credit)를 실험데이터로 사용하였다. 본 논문에서 제안하는 모델은 군집의 내용을 설명할 수 있으므로 고객 특성을 군집화하고 이를 해석하는데 효율적이다.

3G/WLAN/휴대인터넷 연동상황을 고려한 사용자의 최적 서비스 선택방법에 대한 연구

조근호(Geunho Cho),최진우(Jinwoo Choe),전성익(Sung-Ik Jun),김영세(Young-Sae Kim) 한국통신학회 2004 한국통신학회 학술대회논문집 Vol.2004 No.11

하이브리드 게이트 드라이버를 위한 회로 디자인 방법과 성능 평가에 관한 연구

조근호(Geunho Cho) 한국전기전자학회 2021 전기전자학회논문지 Vol.25 No.2

과거 주로 게임과 동영상 재생에 있어 리얼함을 극대화하기 위해 사용되었던 HMD(Head Mount Display)의 수요가 증가하고, 그 활용 범위가 교육과 훈련 등으로 확대되면서, 기존 HMD의 성능을 향상시킬 수 있는 방안에 대한 관심이 높아지고 있다. 본 논문에서는 HMD의 각 화소 회로에 제어 신호를 보내는 gate driver의 성능을 향상시키기 위해 CNT를 포함한 트랜지스터를 활용하는 방법에 대해 논하고자 한다. 기존 gate driver의 버퍼부를 구성하는 트랜지스터를 CNT를 포함한 트랜지스터로 교체하는 회로 설계 방법을 제안하고, 그 성능을 회로 시뮬레이션을 통해 기존 트랜지스터로만 구성된 gate driver의 성능과 비교해 보고자 한다. 시뮬레이션 결과, gate driver에 CNT를 포함할 경우 12.5 ㎓의 속도로 기존 gate driver 대비 약 0.3V 증가된 출력 전압(1.1V)을 얻을 수 있었으며, 최대 20배의 gate width를 줄일 수 있었다. As Head-Mounted Displays(HMDs), which are mainly used to maximize realism in games and videos, have experienced increased demand and expanded scope of use in education and training, there is growing interest in methods to enhance the performance of conventional HMDs. In this study, a methodology to utilize Carbon NanoTubes(CNTs) to improve the performance of gate drivers that send control signals to each pixel circuit of the HMD is discussed. This paper proposes a new circuit design method that replaces the transistors constituting the buffer part of the conventional gate driver with transistors incorporating CNTs and compare the performance of the suggested gate drive with that of a gate driver comprising only conventional transistors via simulations. According to the simulation results, by including CNTs in the gate driver, the output voltage can be increased by approximately 0.3V compared to the conventional gate driver high voltage(1.1V) at a speed of 12.5 ㎓ and the gate width also can be reduced by up to 20 times.

Predicting the Light Verb Construction

Cho, Geunho(조근호) 국제언어문학회 2017 國際言語文學 Vol.- No.36

Jespersen(1942)이 ‘경동사’에 대해 논의한 이래로, 영어 경동사에 대해 수많은 연구가 이뤄졌다. 선행연구에 따르면 경동사 have a N과 take a N 변이에 영향을 주는 문장구조적, 의미적, 사회언어학적 변수가 있는 것으로 밝혀졌다. 하지만 많은 선행연구들은 하나의 변수에만 집중해 진행됐다. 본 연구의 목적은 로지스틱 회귀분석을 이용하여 여러 변수를 통합한 모형을 통해 경동사 구조에 끼치는 영향을 해석하고 예측하는데 있다. 그 결과에 따르면, 선행연구에서 밝힌 요소들은 통계적으로 유의미한 변화를 유발하는 것으로 나타났고, 그 중에서 경동사 표현이 속한 의미적 분류가 가장 큰 영향을 지닌 것으로 드러났다. 그리고 예측모형은 ROC 분석을 통해 좋은 예측력을 지닌 것으로 나타났지만, 실제 예측정확도는 77%로 매우 정확한 모형이라고는 하기 힘든 것으로 판단된다. 이를 극복하기 위해 향후 연구에서는 대형 코퍼스를 사용하고, 경동사 구조 선택에 관계된 더 많은 요소를 모형에 삽입하여야 할 것으로 보인다. Since Jespersen (1942) defined the light verb, researchers have conducted various studies on English light verbs. According to these previous studies, there are several variables, including structural, semantic, and sociolinguistic factors, which affect the light verb construction (LVC), specifically have a N (noun) and take a N alternation; however, many of them have been limited to a certain variable. The main goal of this study was to integrate the variables into one model to interpret and predict the LVC using a logistic regression model. The results indicated that the variables, which have shown influences on the LVC, cause statistically significant differences in choosing have a N and take a N. In addition, statistical analysis revealed that the semantic class of light verb expressions is the most influential factor among the variables. Although the model used was confirmed to have a goodness of fit and excellent effectiveness, the prediction accuracy did not seem high enough: 77% compared to the observed data. To develop a more advanced prediction model for future studies, megasized corpora must be used, and more variables related to the LVC should be included.

탄소나노튜브 밀도를 고려한 CNTFET SRAM 디자인 방법에 관한 연구

조근호(Geunho Cho) 한국전기전자학회 2021 전기전자학회논문지 Vol.25 No.3

CNTFET은 기존 반도체 소자의 성능을 약 13배 향상시킬 수 있어 큰 관심을 받아 왔지만, CNT를 일정하게 배치시키는 공정의 미성숙으로 인해 상용화에 어려움을 겪어 왔다. 이러한 어려움을 극복하기 위해, 그동안 알려진 CNTFET 공정상 한계를 고려한 회로 디자인 방법이 점점 높은 관심을 받고 있다. SRAM은 마이크로프로세서를 구성하는 주요 요소로서 캐시메모리 안에 규칙적으로 그리고 반복적으로 배치되어 있어, SRAM 안의 CNT는 다른 회로 블록에 비해 보다 쉽게 그리고 고밀도로 배치될 수 있는 장점이 있다. 이러한 장점을 활용하기 위해, 본 논문에서는 CNT 밀도를 고려한 SRAM 셀의 회로디자인 방법을 소개하고 그 성능 향상 정도를 HSPICE 시뮬레이션으로 검토하고자 한다. 시뮬레이션 결과, SRAM에 CNTFET을 적용할 경우, gate width를 약 1.7배 줄일 수 있음을 발견하였으며, 동일한 gate width에서 CNT 밀도를 높였을 경우, 읽기 속도 또한 약 2배 정도 향상될 수 있음을 알 수 있었다. Although CNTFETs have attracted great attention due to their ability to increase semiconductor device performance by about 13 times, the commercialization of CNTFETs has been challenging because of the immature deposition process of CNTs. To overcome these difficulties, circuit design method considering the known limitations of the CNTFET manufacturing process is receiving increasing attention. SRAM is a major element constituting microprocessor and is regularly and repeatedly positioned in the cache memory; so, it has the advantage that CNTs can be more easily and densely deposited in SRAM than other circuit blocks. In order to take these advantages, this paper presents a circuit design method for SRAM cells considering CNT density and then evaluates its performance improvement using HSPICE simulation. As a result of simulation, it is found that when CNTFET is applied to SRAM, the gate width can be reduced by about 1.7 times and the read speed also can be improved by about 2 times when the CNT density was increased in the same gate width.

신체 부위 별 각도 변화 패턴 분석을 통한 걸음걸이 인식 방법

김정연(Jeongyeon Kim),조근호(Geunho Cho),신동민(Dongmin Shin),허선(Sun Hur) 대한산업공학회 2014 대한산업공학회 추계학술대회논문집 Vol.2014 No.11

최근 생체 인식 기술의 하나로, 걸음걸이 인식에 대한 관심이 크게 증가하고 있다. 걸음걸이 인식은 기존의 생체인식 기술이 가진 한계점인 외적 요소에 의한 데이터 변화, 데이터 추출의 어려움을 보완하고, 원거리 영상을 이용한 인식이 가능하다는 장점이 있다. 기존에 제안된 걸음걸이 인식 기법은 각 개인의 모션정보, 걸음걸이 영상의 광류(optical flow), 다리의 각도, 키와 보폭 등을 분석하여 인식에 사용하는 모델 기반 방법과 걸음걸이 실루엣 영상 전체를 사용하여 하나의 패턴으로 사용하는 비모델 기반 방법으로 크게 구분될 수 있다. 본 연구에서는 사람의 신체 부위별 관절의 각도변화 패턴을 통한 걸음걸이 인식 방법을 제안한다. 사람들이 걷는 방향의 측면에서 관절 별 각도변화 데이터를 추출하고, 추출한 데이터를 RNN(recurrent neural network)기법으로 분석하여 개개인을 구별한다. 본 연구에서 제시한 방법은 재난상황, 방범, 의료 등 다양한 분야에 적용될 수 있을 것으로 기대된다.

한글판 ASSIST(Alcohol, Smoking & Substance Involvement Screening Test

신현주(Hyun Joo Shin),조근호(Geunho Cho),박애란(Ae-Ran Park),이상규(Sang-Kyu Lee),이해국(Hae-Kook Lee),김한오(Hano Kim),이계성(Kye-Seong Lee) 한국중독정신의학회 2014 중독정신의학 Vol.18 No.1

Objective : This study was performed to establish the reliability and validity of the Korean version of the Alcohol, Smoking and Substance Involvement Screening Test (ASSIST). Methods : This study included 342 adult male and female patients using alcohol or drug and controls. Through the assessment of the 50 patients who were recruited from alcohol consultation center, the evaluator was blind to the individual’s score each other and these data were used to evaluate interrater reliability. To evaluate the reliability and validity of Korean version ASSIST, we used a Fagerstrom test for nicotine dependence (FTND), a alcohol use disorder identification test (AUDIT), a drug abuse screening test (DAST) and compared the results with the ASSIST. Results : Korean version of ASSIST was calculated as valuable validity and reliability. That it, the construct validity of Korean version of ASSIST SSI score was as follows : smoking (0.81), alcohol (0.84), cannabinoids (0.75), cocaine (0.96), amphetamine (0.95), inhalant (0.96), sedative (0.91), hallucinogen (0.63), opioids (0.60), others (0.39). Reliability and validity were shown in all drugs with statistical significance. The cut-off values for screening substances with ASSIST were as follows : in smoking, the cut-off value to divide low risk and moderate is 22.5 and the value to divide moderate risk to high risk is 25.5. In alcohol, the cut-off value to divide low risk and moderate is 21.5 and the value to divide moderate risk and high risk is 23.5. Other substances also show similar significance. The result of this study was similar to those of previous studies of other countries. Conclusion : The reliability and validity of the Korean ver-sion of ASSIST were shown in all drugs with statistical significance. The Korean version of ASSIST can be a useful tool for investigating problems associated with drug use in primary clinical environment and providing brief intervention.