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정필구,안성민,오경석,황소민 대한두개안면성형외과학회 2006 Archives of Craniofacial Surgery Vol.7 No.2
Ossifying fibromyxoid tumor of soft parts is a rare soft tissue neoplasm of uncertain histogenesis. It occurs commonly as a subcutaneous or intramuscular mass in the extremities and trunk, but rarely in the head and neck region. Its biologic behavior is generally benign, but a locally aggressive clinical course due to a pseudocapsule containing nests of tumor cells. Herein we report a case of a benign ossifying fibromyxoid tumor which occurred in the right temple in 34- year-old woman. The tumor was located in the temporalis muscle and completely removed with clear margin through bicoronal approach. The lesion was 2.0×2.5×3.0cm sized white to tan colored, well demarcated, firm mass. The tumor was covered by a fibrous capsule, and there was incomplete shell of lamellar bone at the periphery of the nodule. The tumor cells were uniformly round, ovoid, or spindle-shaped in collagenous and myxoid stroma. During 1 year's postoperative follow-up, the patient had no local recurrence.
정필구,황소민,송제니퍼김,오경석 대한미용성형외과학회 2007 Archives of Aesthetic Plastic Surgery Vol.13 No.2
To reverse the wrinkling & sagging of the skin on lower face and neck, there are various surgical methods such as suspension suture method, classical cervicofacial lift, SMAS-platysmal facelift, deep-plane facelift and composite facelift. Aging of lower face and neck present not only with sagging skin, but also is aggravated due to loss of elasticity of the SMAS and platysmal muscle. Successful surgical outcome is expected when tugging of the SMAS and platysma is performed with proper skin excision of lower face. Practically, deep-plane facelift methods present more satisfying outcome than the subcutaneous dissection, but takes longer recovery period and higher risk of postoperative complication. The authors would like to present a new method of lower face and neck lift, with periauricular minimally invasive suspension suture method, which does not required hospitalization, and gives higher patient satisfaction.In this study, 30 patients(26 females, 4 males) were operated from December of 2004 to February of 2007. Minimal periauricular subcutaneous dissection was performed. While measuring the sagging of the soft tissue on lower face and neck, suspension suture was performed anchoring platysma muscle from the submandibular slit incision site to the fascia of the mastoid process and stretched SMAS of the lower face was suspended to the fascia of the mastoid process with PDS 3-0 sutures. Most of the patients were satisfied without specific problems. The procedure carries advantages of simple operative method, easier access under intravenous sedation, much lesser risk of hematoma formation or facial nerve injury, shorter recovery period, improvement on the cervicomental angle and jaw line, and minimal postoperative scar.
150 mm GaAs 웨이퍼의 플라즈마 식각에서 식각 깊이의 균일도에 대한 가스 흐름의 최적화 연구
정필구,임완태,조관식,전민현,임재영,이제원,조국산 한국진공학회 2002 Applied Science and Convergence Technology Vol.11 No.2
대면적 GaAs 웨이퍼의 플라즈마 식각 공정에서 식각 깊이의 좋은 균일도를 얻기 위해 반응기 내의 가스 흐름을 조절하는 진보된 기술을 실험하였다. 유한차분수치법(Finite Difference Numerical Method)은 GaAs 웨이퍼의 건식 식각을 위한 반응기 안의 가스 흐름의 분포를 시뮬레이션하기에 유용한 방법이다. 이 방법을 이용해 시뮬레이션된 자료와 실제의 것이 상당히 일치한다는 것이 $BCl_3/N_2/SF_6/He$ICP플라즈마의 실험 결과로 확인되었다. 대면적 GaAs 웨이퍼의 플라즈마 식각 공정 중에서 포커스 링(focus ring)의 최적화된 위치가 가스 흐름과 식각 균일성을 동시에 향상시키는 것을 이해했다. 반응기와 전극(electrode)의 크기가 변하지 않는 상황에서 샘플을 고정시키는 클램프 배치의 최적화를 통해 100 mm(4 inch) GaAs 웨이퍼에서 가스 흐름의 균일성을 $\pm$1.5 %, 150 mm(6 inch) 웨이퍼에서는 $\pm$3% 이하로 유지시킬 수 있는 것을 시뮬레이션결과에서 확인할 수 있다. 시뮬레이션된 가스 흐름의 균일도 자료와 실제 식각 깊이 분포실험 데이터의 비교로 대면적 GaAs 웨이퍼에서 건식 식각의 뛰어난 균일성을 얻기 위해서는 반응기 내의 가스흐름분포의 조절이 매우 중요함을 확인하였다. We developed engineering methods to control gas flow in a plasma reactor in order to achieve good etch depth uniformity for large area GaAs etching. Finite difference numerical method was found quite useful for simulation of gas flow distribution in the reactor for dry etching of GaAs. The experimental results in $BCl_3/N_2/SF_6/He$ ICP plasmas confirmed that the simulated data fitted very well with real data. It is noticed that a focus ring could help improve both gas flow and etch uniformity for 150 mm diameter GaAs plasma etch processing. The simulation results showed that optimization of clamp configuration could decrease gas flow uniformity as low as $\pm$ 1.5% on an 100 mm(4 inch) GaAs wafer and $\pm$ 3% for a 150 m(6 inch) wafer with the fixed reactor and electrode, respectively. Comparison between simulated gas flow uniformity and real etch depth distribution data concluded that control of gas flow distribution in the chamber would be significantly important in order or achieve excellent dry etch uniformity of large area GaAs wafers.
정필구(Jung Phil-Goo),전준철(Chun Jun-Chul) 한국정보과학회 1997 한국정보과학회 학술발표논문집 Vol.24 No.2Ⅱ
컴퓨터의 동적모델링은 3차원 모델의 동적인 변화를 표현해주는 방법으로 주목을 받고있다. 특히 우리들의 주변에서 많이 접할수 있는 탄성체(Elastic Object)의 동적인 변화를 시뮬레이션하기 위해서는 물체의 특성 및 자연의 제현상을 대상모델에 적용할 수 있는 방법이 필요하다. 이러한 관점에서 물리기반 모델링(Physically-Based Modelling)은 그 방법의 이해 및 구현에 있어서 여러 어려운 문제점에도 불구하고 중요한 해결책을 내포하고 있다. 본 논문에서는 물리기반 모델링에의한 탄성체의 동적 시뮬레이션에관한 수치해석적 해법을 제시하고 이를 다양한 성질을 내포하는 탄성체에 물체의 비선형적 성질을 고려한 방법으로 동적시뮬레이션한 결과를 제시한다. 실험대상은 n차의 자유도(Degree-of-freedom)를 갖는 기하학적 튜브모델을 생성하여 내부에서 발생되는 압력에의한 모델의 변화 형태를 실험하였다.
150 ㎜ GaAs 웨이퍼의 플라즈마 식각에서 식각 깊이의 균일도에 대한 가스 흐름의 최적화 연구
정필구(Philgu Jung),임완태(Wantae Lim),조관식(Guansik Cho),전민현(Minhyun Jeon),임재영(Jaeyoung Lim),이제원(Jewon Lee),조국산(Kuksan Jo) 한국진공학회(ASCT) 2002 Applied Science and Convergence Technology Vol.11 No.2
대면적 GaAs 웨이퍼의 플라즈마 식각 공정에서 식각 깊이의 좋은 균일도를 얻기 위해 반응기 내의 가스 흐름을 조절하는 진보된 기술을 실험하였다. 유한차분수치법(Finite Difference Numerical Method)은 GaAs 웨이퍼의 건식 식각을 위한 반응기 안의 가스 흐름의 분포를 시뮬레이션하기에 유용한 방법이다. 이 방법을 이용해 시뮬레이션된 자료와 실제의 것이 상당히 일치한다는 것이 BCl₃/N₂/SF_6/He ICP 플라즈마의 실험 결과로 확인되었다. 대면적 GaAs 웨이퍼의 플라즈마 식각 공정 중에서 포커스 링(focus ring)의 최적화된 위치가 가스 흐름과 식각 균일성을 동시에 향상시키는 것을 이해했다. 반응기와 전극(electrode)의 크기가 변하지 않는 상황에서 샘플을 고정시키는 클램프 배치의 최적화를 통해 100 ㎜(4 inch) GaAs 웨이퍼에서 가스 흐름의 균일성을± 1.5 %, 150 ㎜(6 inch) 웨이퍼에서는 ± 3 % 이하로 유지시킬 수 있는 것을 시뮬레이션결과에서 확인할 수 있다. 시뮬레이션된 가스 흐름의 균일도 자료와 실제 식각 깊이 분포실험 데이터의 비교로 대면적 GaAs 웨이퍼에서 건식 식각의 뛰어난 균일성을 얻기 위해서는 반응기 내의 가스흐름분포의 조절이 매우 중요함을 확인하였다. We developed engineering methods to control gas flow in a plasma reactor in order to achieve good etch depth uniformity for large area GaAs etching. Finite difference numerical method was found quite useful for simulation of gas flow distribution in the reactor for dry etching of GaAs. The experimental results in BCl₃/N₂/SF_6/He ICP plasmas confirmed that the simulated data fitted very well with real data. It is noticed that a focus ring could help improve both gas flow and etch uniformity for 150 ㎜ diameter GaAs plasma etch processing. The simulation results showed that optimization of clamp configuration could decrease gas flow uniformity as low as ± 1.5 % on an 100 ㎜(4 inch) GaAs wafer and ± 3 % for a 150 ㎜(6 inch) wafer with the fixed reactor and electrode, respectively. Comparison between simulated gas flow uniformity and real etch depth distribution data concluded that control of gas flow distribution in the chamber would be significantly important in order or achieve excellent dry etch uniformity of large area GaAs wafers.