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셀 수준의 진화 프레임워크를 통한 인공개체의 행동로직 진화
정보선(Bo-Sun Jung),정성훈(Sung Hoon Jung) 한국지능시스템학회 2015 한국지능시스템학회논문지 Vol.25 No.1
본 논문에서는 셀 수준의 진화 프레임워크를 이용하여 인공개체의 행동로직을 진화하는 연구를 수행하였다. 이를 위하여 셀 수준의 진화 프레임을 구현하였으며 이 프레임 상에서 인공개체가 먹이를 먹기 위해 행동로직을 진화하는 것을 살펴보았다. 인공개체의 행동로직 진화를 관찰하기 위하여 행동결정 로직 프레임을 제안하여 적용하였다. 테스트결과 인공개체가 빠른 세대 내에 먹이를 잘 먹는 로직으로 진화하는 것을 관찰할 수 있었다. 또한 여러 번의 실험을 통하여 대부분의 실험에서 거의 동일한 행동양식을 보이는 것으로 진화하는 것을 확인할 수 있었다. 본 논문에서 제안한 방법은 기존의 진화 알고리즘을 이용한 알고리즘이나 하드웨어의 진화와는 다른 방법으로서 기본적으로 접근 방법에 차이점이 있다. 이런 결과로 보았을 때 본 논문에서 제안한 프레임워크가 셀 수준의 진화를 관찰해볼 수 있는 좋은 도구가 될 수 있음을 알 수 있다. In this paper, we studied the evolution of behavioral logic of artificial individuals using cell-level evolution framework. We first implemented cell-level evolution framework and then investigated the evolution of behavioral logic that artificial individuals ate foods on the framework. A logic frame for behavioral decisions of artificial individuals was devised and applied to the framework. From extensive tests, we found that most artificial individuals could evolve the behavioral logic that they could eat food in a short generation. It was also confirmed that most behavioral logics showed nearly same behaviors of artificial individuals in most tests. Our method has the differences from existing algorithms using evolutionary algorithms and evolvable hardwares in that it is a basically different approach. These results showed that our framework could be a good tool for investigating the evolution of artificial individuals in a cell-level.
손병문,구연건,정보선 弘益大學校 科學技術硏究所 1998 科學技術硏究論文集 Vol.9 No.2
A high power amplifier module has been developed for the WLL terminals. The module is designed by 3 stage topology using HBT, AlGaAs/GaAs HFET and GaAs MESFET. Stanford microdevices HBT MMIC amplifier with a good linearity, Stanford microdevices AlGaAs/GaAs HFET with high gam, and NEC GaAs MESFET are used to the input stage, the driver stage and the output stage respectively. The output power is 33dBm, the norminal gain is 33dB and the 3rd order intermodulation distortion is -30dBc for the operation frequency range of 2300∼2330 MHz. The experimental results of the high power amplifier are met to the standard specification required for the WLL terminals.