http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.
변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.
- 中文 을 입력하시려면 zhongwen을 입력하시고 space를누르시면됩니다.
- 北京 을 입력하시려면 beijing을 입력하시고 space를 누르시면 됩니다.
RISS 인기검색어
- 검색키워드
- 저자 : 임태경 ( Tae Kyung Yim ) (검색결과 5 건)
- 무료
- 기관 내 무료
- 유료
-
-
안승만 ( Seung Man An ),임태경 ( Tae Kyung Yim ),이경수 ( Kyung Su Lee ),김정호 ( Jeong Ho Kim ),김은겸 ( Eun Kyeom Kim ),박경완 ( Kyoung Wan Park ) 대한금속재료학회(구 대한금속학회) 2011 대한금속·재료학회지 Vol.49 No.4
We fabricated the silicon nanodots using the low pressure chemical vapor deposition technique to investigate their electron field emission characteristics. Atomic force microscope measurements performed for the silicon nanodot samples having various process parameters, such as, deposition time and deposition pressure, revealed that the silicon nanodots with an average size of 20 nm, height of 5 nm, and density of 1.3×10(11) cm-2 were easily formed. Electron field emission measurements were performed with the silicon nanodot layer as the cathode electrode. The current-voltage curves revealed that the threshold electric field was as low as 8.3 V/㎛and the field enhancement factor reached as large as 698, which is compatible with the silicon cathode tips fabricated by other techniques. These electron field emission results point to the possibility of using a silicon-based light source for display devices.
-
월정사 단기출가 프로그램 참여 연구 : 일반인을 중심으로
손강숙 ( Shon Kang Suk ),조재성 ( Cho Jae Sung(Ji Il) ),정소미 ( Jeong So Mi ) 한국명상심리상담학회 2021 명상심리상담 Vol.26 No.-
본 연구는 중년기 위기를 경험하고 내·외적 변화에 처한 사람들의 단기출가 경험에 대해 탐색하는 것을 목적으로 하였다. 연구문제는 다음과 같다. 첫째, 중년의 단기출가의 동기는 무엇인가?, 둘째, 중년의 단기출가경험을 통한 변화 요인은 무엇인가?, 셋째, 단기출가를 통한 변화경험을 현재 일상생활에서 어떻게 활용하고 있는가?였다. 이를 위하여 단기출가 경험이 있는 40대~60대 중년 12명을 대상으로 반구조화된 인터뷰를 실시하고 합의에 의한 질적 분석의 방법으로 분석하였다. 연구의 결과는 다음과 같다. 첫째, 중년의 단기출가 동기를 살펴본 결과, 인지적인 측면과 정서적인 측면의 2개 영역이 도출되었다. 인지적인 측면 영역에서 ‘나는 누구인가?’라는 실존에 대한 질문, ‘나’라는 사람에 대한 객관적인 인식 2개 범주가 도출되었다. 둘째, 단기출가 경험이 자신을 변화하게 한 요인이 무엇이었는지를 탐색한 결과, 자기를 경험, 진정성을 경험의 2개 영역이 도출되었다. 자기를 경험 영역에서 ‘나’를 만난시간, ‘나’에 대한 반성과 성찰 2개 범주가 도출되었다. 진정성을 경험 영역에서 부처님을 닮고 싶은 마음, 스님을 닮고 싶은 마음, 도반을 닮고 싶은 마음 3개 범주가 도출되었다. 셋째, 단기출가 경험이 현재 일상생활에서 어떻게 활용되고 있는지를 탐색한 결과, 앞으로 삶의 새로운 방향 발견, 사회 환경과의 관계 변화의 2개 영역이 도출되었다. 본 연구를 통해서 도출된 결과는 추후 중년을 대상으로 한 단기출가 프로그램을 구성함에 있어서 고려해야 할 사항들에 대한 기초자료를 제공할 수 있을 것으로 기대한다. The purpose of this study was to explore the short-term export experience of people who experienced the middle-aged crisis and faced internal and external changes. For this purpose, semi-structured interviews were conducted with 12 middle-aged people in their 40s and 60s who had the Short-term Entering the Buddhist Priesthood experience and analyzed by a consensual qualitative analysis method. The results of the study are as follows. First, as a result of examining the motives for the Short-term Entering the Buddhist Priesthood among middle-aged people, two domains, cognitive and emotional, were derived. In the cognitive aspect, two categories were derived: the question of existence, ‘Who am I? and ‘objective awareness of ‘me’. Second, as a result of examining the factors that caused the short-term homework experience to change, two domains were derived: 'experience self and experience authenticity'. In the domain of 'experience self', two categories were derived: the time I met the ‘I’ and the reflection on ‘I’. Third, as a result of exploring how the Short-term Entering the Buddhist Priesthood experiences are currently being used in daily life, two domains were derived: discovery of a new direction of life in the future, and change of relationship with social environment. The results of this study will be the basic data for the composition of temple stays for middle-aged women.
-
쇼트키 장벽 관통 트랜지스터 구조를 적용한 실리콘 나노점 부유 게이트 비휘발성 메모리 특성
손대호,김은겸,김정호,이경수,임태경,안승만,원성환,석중현,홍완식,김태엽,장문규,박경완,Son, Dae-Ho,Kim, Eun-Kyeom,Kim, Jeong-Ho,Lee, Kyung-Su,Yim, Tae-Kyung,An, Seung-Man,Won, Sung-Hwan,Sok, Jung-Hyun,Hong, Wan-Shick,Kim, Tae-You,Jang, Moo 한국진공학회 2009 Applied Science and Convergence Technology Vol.18 No.4
쇼트키 장벽 관통 트랜지스터에 실리콘 나노점을 부유 게이트로 사용하는 비휘발성 메모리 소자를 제작하였다. 소스/드레인 영역에 어븀 실리사이드를 형성하여 쇼트키 장벽을 생성하였으며, 디지털 가스 주입의 저압 화학 기상 증착법으로 실리콘 나노점을 형성하여 부유 게이트로 이용하였다. 쇼트키 장벽 관통 트랜지스터의 동작 상태를 확인하였으며, 게이트 전압의 크기 및 걸어준 시간에 따른 트랜지스터의 문턱전압의 이동을 관찰함으로써 비휘발성 메모리 특성을 측정하였다. 초기 ${\pm}20\;V$의 쓰기/지우기 동작에 따른 메모리 창의 크기는 ${\sim}5\;V$ 이었으며, 나노점에 충분한 전하 충전을 위한 동작 시간은 10/50 msec 이었다. 그러나 메모리 창의 크기는 일정 시간이 지난 후에 0.4 V로 감소하였다. 이러한 메모리 창의 감소 원인을 어븀 확산에 따른 결과로 설명하였다. 본 메모리 소자는 비교적 안정한 쓰기/지우기 내구성을 보여주었으나, 지속적인 쓰기/지우기 동작에 따라 수 V의 문턱전압 이동과 메모리 창의 감소를 보여주었다. 본 실험 결과를 가지고 실리콘 나노점 부유게이트가 쇼트키 장벽 트랜지스터 구조에 접목 가능하여 초미세 비휘발성 메모리 소자로 개발 가능함을 확인하였다. We fabricated a Si nano floating gate memory with Schottky barrier tunneling transistor structure. The device was consisted of Schottky barriers of Er-silicide at source/drain and Si nanoclusters in the gate stack formed by LPCVD-digital gas feeding method. Transistor operations due to the Schottky barrier tunneling were observed under small gate bias < 2V. The nonvolatile memory properties were investigated by measuring the threshold voltage shift along the gate bias voltage and time. We obtained the 10/50 mseconds for write/erase times and the memory window of $\sim5V$ under ${\pm}20\;V$ write/erase voltages. However, the memory window decreased to 0.4V after 104seconds, which was attributed to the Er-related defects in the tunneling oxide layer. Good write/erase endurance was maintained until $10^3$ write/erase times. However, the threshold voltages moved upward, and the memory window became small after more write/erase operations. Defects in the LPCVD control oxide were discussed for the endurance results. The experimental results point to the possibility of a Si nano floating gate memory with Schottky barrier tunneling transistor structure for Si nanoscale nonvolatile memory device.
-
연관 검색어 추천
이 검색어로 많이 본 자료
활용도 높은 자료
