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- 저자 : 이유종(Y.J. Lee) (검색결과 6 건)
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초소형 비행체 응용을 위한 1 GHz 대역 실시간 동영상 압축 송.수신
이유종(Y.J.Lee),박필진(P.J.Park),김창규(C.K.Kim) 동의대학교 정보통신연구소 2001 정보통신연구지 Vol.1 No.-
Transmission and MPEG encoding characteristics of real time moving picture images using L-band transmitter and receiver which can be used for micro-aerial vehicle(MAV) application are reported. NTSC picture images are transmitted from a moving vehicle with transmitter power of 50 mWatts at 970 MHz carrier frequency for frequency modulation(FM). Received signal is demodulated and compressed with an MPEG encoder installed in a notebook PC in real time. MPEG images show favorable data reduction ration greater than 100 from uncompressed data and also show better image quality and continuity than those of avi images. Experiments show very encouraging image quality applicable to MAV surveillance and observation.
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GaAs 기반 1300 nm 파장대역 InAs 양자점 레이저 다이오드의 발진 특성
김광웅,조남기,송진동,이정일,박정호,이유종,최원준,Kim, K.W.,Choa, N.K.,Song, J.D.,Lee, J.I.,Park, Jeong-Ho,Lee, Y.J.,Choi, W.J. 한국진공학회 2009 Applied Science and Convergence Technology Vol.18 No.4
Migration Enhanced Molecular Beam Epitaxy를 통해 성장한 GaAs 기반 1300 nm 파장대역 InAs 양자점 레이저 다이오드의 발진 특성을 연구하였다. 펄스 및 상온 연속 동작에서 전류 주입 및 동작 온도 변화에 따른 L-I 특성과 발진 스펙트럼 측정을 통해 바닥준위(1302 nm)에서 여기준위(1206 nm)로의 발진 파장의 전환을 관찰하였으며 이는 양자점 바닥준위 이득의 포화로 이해된다. 상온 펄스 동작시 문턱전류 밀도는 92 A/$cm^2$, 발진 파장은 1311 nm이며, 상온 연속 동작시 문턱전류 밀도는 247 A/$cm^2$, 발진 파장은 1320 nm이다. We have investigated the lasing characteristics of GaAs-based 1300 nm wavelength region InAs Quantum Dot Laser Diode grown by Migration Enhanced Molecular Beam Epitaxy. Under a pulsed and CW operation, we observed the state switching of lasing wavelength from ground state (1302 nm) to excited state (1206 nm) due to the gain saturation of ground state. Under a pulsed operation, $J_{th}=92A/cm^2$, $\lambda_L=1311\;nm$ and under a CW operation, $J_{th}=247A/cm^2$, $\lambda_L=1320\;nm$.
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GaAs 기반 1300 ㎚ 파장대역 InAs 양자점 레이저 다이오드의 발진 특성
김광웅(K. W. Kim),조남기(N. K. Cho),송진동(J. D. Song),이정일(J. I. Lee),박정호,이유종(Y. J. Lee),최원준(W. J. Choi) 한국진공학회(ASCT) 2009 Applied Science and Convergence Technology Vol.18 No.4
Migration Enhanced Molecular Beam Epitaxy를 통해 성장한 GaAs 기반 1300 ㎚ 파장대역 InAs 양자점 레이저 다이오드의 발진 특성을 연구하였다. 펄스 및 상온 연속 동작에서 전류 주입 및 동작 온도 변화에 따른 L-I 특성과 발진 스펙트럼 측정을 통해 바닥준위(1302 ㎚)에서 여기준위(1206 nm)로의 발진 파장의 전환을 관찰하였으며 이는 양자점 바닥준위 이득의 포화로 이해된다. 상온 펄스 동작시 문턱전류 밀도는 92 A/㎠, 발진 파장은 1311 ㎚이며, 상온 연속 동작시 문턱전류 밀도는 247 A/㎠, 발진 파장은 1320 ㎚이다. We have investigated the lasing characteristics of GaAs-based 1300 nm wavelength region InAs Quantum Dot Laser Diode grown by Migration Enhanced Molecular Beam Epitaxy. Under a pulsed and CW operation, we observed the state switching of lasing wavelength from ground state (1302 ㎚) to excited state (1206 ㎚) due to the gain saturation of ground state. Under a pulsed operation, Jth=92 A/㎠, λL=1311 ㎚ and under a CW operation, Jth=247 A/㎠, λL=1320 ㎚.
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