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차동 전력증폭기 출력단용 LTCC 기반 RF 트랜스포머 설계
우제욱,김희수,전주영 한국전기전자학회 2023 전기전자학회논문지 Vol.27 No.1
In this paper, a Radio Frequency (RF) transformer (TF) based on LTCC (Low Temperature Co-fired Ceramic) forthe output stage of differential power amplifiers is presented. Instead of using an usual L-C matching circuit, asmall-sized transformer was implemented on the LTCC board and the results were verified through simulation. Forreduced size and better performance, a TF using more metal layers was implemented and compared with theexisting TF through simulation. As a result of comparison, the proposed TF has an area reduced by 55% and acoupling coefficient increased by 25%, and insertion loss improvement of about 0.4dB at 5GHz was confirmed. 본 논문에서는 차동 전력증폭기 출력단에서의 전력 결합 및 임피던스 정합을 위한 LTCC 기반의 RF 트랜스포머를 제시하였다. 기존의 인덕터와 커패시터를 이용한 정합회로 대신 회로의 면적을 덜 차지하며 직류 차단의 역할을 수행하는 트랜스포머를 LTCC기판에 구현하고 시뮬레이션을 통해 결과를 검증하였다. 트랜스포머의 다운사이징과 결합계수의 개선을 위해 기판의 더 많은 금속층을 사용하는 트랜스포머를 구현하고 시뮬레이션을 통해 기존의 트랜스포머와 성능을 비교하였다. 3개의 금속층을 사용한 기존의트랜스포머와 5개의 금속층을 사용한 변형된 트랜스포머를 비교한 결과 새롭게 제시한 트랜스포머가 55% 감소된 면적과 25% 증가한 결합계수를 가지며 5GHz에서 약 0.4dB의 삽입손실 개선을 확인하였다.
오이의 배발생 현탁 배양세포로부터 제초제 저항성 형질전환 식물체 생산
우제욱,정원중,최관삼,박효근,백남긴,유장렬 한국식물생명공학회 2001 식물생명공학회지 Vol.28 No.1
제초제 저항성 오이 (Cucumis sativus L. cv Green angel)를 생산하기 위하여 배발생 현탁배양세포와 binary vector pGA-bar을 지닌 Agrobacterium tumefacians (LBA4404)를 공동배양하였다. 형질전환 벡터의 T-DNA부분에는 kanamycin에 저항성을 나타내는 neomycin phosphotrans ferase (npt II) 유전자와 phosphinothricin (PPT)에 저항성을 나타내는 phosphinothricin acetyltransferase (bar) 유전자를 지니고 있다. 48시간의 공동배양 후 배발생 캘러스는 20mg/L PPT가 함유된 성숙배지에서 배양하였다. 약 200개체의 형질전환 유식물체를 40mg/L PPT가 첨가된 호르몬이 없는 배지에서 생산하였다. 5개의 오이 형질전환 식물체의 염색체에 bar유전자가 도입되어 발현되는 것을 northern blot 분석을 통하여 확인하였다. 형질전환 오이 식물체가 토양에서 성숙되었다. 성숙한 오이 식물체는 PPT가 함유된 상업적 제초제 (Basta)를 일반적인 사용 농도 (3ml/L)처리시에도 저항성을 나타내며 생장하였다. To develop herbicide-resistant cucumber plants (Cucumis sativus L. cv Green Angle) embryogenic suspension cultures were co-cultured with Agrobacterium tumefaciens strain LBA4404 carrying a disarmed binary vector pGA-bar. The T-DNA region of this binary vector contains the nopalin synthase/neomycin phosphotransferase Ⅱ (npt Ⅱ) chimeric gene for kanamycin resistance and the cauliflower 35S/phosphinothricin acetyltransferase (bar) chimeric gene for phosphinothricin (PPT) resistance, After co-cultivation for 48 h, embryogenic calli were placed on maturation media containing 20 mg/L PPT. Approximately 200 putatively transgenic plantlets were obtained in hormone free media containing 40 mg/L PPT. Northern blot hybridization analysis confirmed the expression of the bar gene that was integrated into the genome of five transgenic plants. Transgenic cucumber plants were grown to maturity. Mature plants in soil showed tolerance to the commercial herbicide (Basta) of PPT at the manufacturer's suggested level (3 mL/L).
낙뢰 Surge 방호를 위한, 독립접지를 공통접지로 개선하는 효율적인 방법에 대한 연구
우제욱 한국항해항만학회 2013 한국항해항만학회 학술대회논문집 Vol.2013 No.추계
본 논문은 낙뢰 Surge 방호를 위하여 독립접지를 공통접지로 개선하는 효율적인 방법을 제안하였다. 낙뢰 Surge 방호를 위해서는 등전위 이론에 근거하는 공통접지방식이 적합하고, 중성선이 있는 전원계통에서는 공통접지방식을 사용하는 것이 국제적으로 통용되는 기술규격이다. 따라서 낙뢰 Surge에 취약한 문제점을 갖고 있는 기존의 중성선이 없는 전원계통의 독립접지방식을 중성선이 있는 전원계통의 공통접지방식으로 개선을 하고, 정전압소자를 이용하여 낙뢰 Surge를 방호하는 효율적인 등전위 시스템 구축 방법을 제안한다. This paper proposes the effective method to improve the protection from induced lightning surge by making common grounding from individual grounding. Common grounding under equipotential principle is more effective than individual grounding for lightning surge protection, and so common grounding is indicated as international technical standard under the AC power supply system with neutral line. So, this paper is to propose the effective way of induced lightning surge protection method for currently installed power supply system which has no neutral grounded line and individual grounding which are weak for lightning surge protection. This proposal can improve the power supply system as has neutral line, and improve the grounding system to common grounding system. And also this paper proposes to make effective equipotential system with voltage variable shunting devices for lightning surge protection.
전류 구동 능력 향상을 위한 듀얼 이미터 구조의 4H-SiC 기반 LIGBT에 관한 연구
우제욱(Je-Wook Woo),이병석(Byung-Seok Lee),권상욱(Sang-Wook Kwon),공준호(Jun-Ho Gong),구용서(Yong-Seo Koo) 한국전기전자학회 2021 전기전자학회논문지 Vol.25 No.2
본 논문에서는 고전압과 고온에서 사용할 수 있는 SiC 기반의 LIGBT 구조를 제시한다. 낮은 전류 특성을 향상시키기 위해 Gate를 중심으로 대칭되는 Dual-Emitter가 삽입된 것이 특징이다. 제안된 소자의 특성 검증을 위하여 Sentaurus TCAD simulation을 이용하여 시뮬레이션을 진행하였고 일반적인 LIGBT와 비교 연구를 진행하였다. 뿐만 아니라, 소수캐리어에 의한 전기적 특성을 검증하기 위해 N-drift 영역의 길이에 대하여 변수를 지정하여 Split을 진행하였다. 시뮬레이션 분석 결과, 제안된 Dual-Emitter 구조는 기존의 LIGBT보다 동일한 전압에서 높은 전류가 흐르는 것을 확인하였다. In this paper, a SiC-based LIGBT structure that can be used at high voltage and high temperature is presented. In order to improve the low current characteristic, a dual-emitter symmetrical around the gate is inserted. In order to verify the characteristics of the proposed device, simulation and design were conducted using Sentaurus TCAD simulation, and a comparative study was conducted with a general LIGBT. In addition, splitting was performed by designating a variable for the length of the N-drift region in order to verify the electrical characteristics of the minority carriers. As a result of the simulation it was confirmed that the proposed dual-emitter structure flows a higher current at the same voltage than the conventional LIGBT.
1200V급 4H-SiC Trench MOSFET의 Design parameter에 따른 전기적 특성 분석
우제욱(Je-Wook Woo),서정주(Jeong-Ju Seo),진승후(Seung-hoo Jin),구용서(Yong-Seo Koo) 한국전기전자학회 2020 전기전자학회논문지 Vol.24 No.2
SiC는 Si에 비해서 Breakdown field가 10배 높고, Energy gap이 3배 높기 때문에 높은 Breakdown voltage를 갖는 우수한 전력 MOSFET을 제작할 수 있다. 하지만 낮은 Mobility로 인한 높은 On저항을 갖기 때문에 이를 낮추기 위해서 Trench MOSFET이 제안되었지만 동시에 BV가 감소한다는 문제점을 갖는다. 본 논문에서는 1200V급 Trench MOSFET 설계를 목적으로 하며, 이를 해결하기 위해서 BV와 Ron에 대한 중요한 변수인 Epi 깊이, Trench 깊이, Trench 깊이에서 Epi 깊이까지의 거리에 대한 Split을 진행하여 최대 전계, BV, Ron의 신뢰성 특성을 비교 분석하였다. Epi 깊이가 증가할수록, Trench 깊이가 감소할수록, Trench 깊이에서 Epi 깊이가 감소할수록 최대 전계 감소, BV 증가, Ron 증가를 확인하였다. 모든 결과는 Sentaurus TCAD를 통해 Simulation 되었다. Since SiC has 10 times higher breakdown field and 3 times higher energy gap than Si, it is possible to manufacture an excellent power MOSFET with a high breakdown voltage. However, since it has a high on-resistance due to low mobility, a Trench MOSFET has been proposed to lower it, but at the same time, it has a problem that BV decreases. The purpose of this paper is to design a 1200V trench MOSFET, and to solve this, split Epi depth, Trench depth, and Trench depth to Epi depth, which are important variables for BV and Ron, to achieve maximum electric field, BV, Ron’s reliability characteristics were compared and analyzed. As the epi depth increased, the trench depth decreased, and the epi depth decreased at the trench depth, the maximum electric field decrease, BV increase, and Ron increase were confirmed. All results were simulated by sentaurus TCAD.