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- 저자 : 우상현(Sanghyun Woo) (검색결과 4 건)
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AISI-4340 변형률 속도 변화에 따른 인장, 압축형 JC 구성방정식 변수에 관한 연구
우상현,이창수,박이주,Woo, Sanghyun,Lee, Changsoo,Park, Leeju 한국군사과학기술학회 2017 한국군사과학기술학회지 Vol.20 No.4
In this study, the experimental methods are compared for obtaining the parameters of the Johnson-Cook constitutive model. The parameters used for numerical simulation are very important in making an accurate estimation of numerical simulation. So, the testing method of obtaining the parameters is also very important. We compared the difference of conventional method, compression method and tensile method of AISI-4340 steel at various strain rate by using MTS, SHPB and SHTB. Taylor impact test and M&S were carried out to compare differences among these three types of JC constitutive parameter.
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RF-magnetron sputtering을 이용한 TiIZO 기반의 산화물 반도체에 대한 연구
우상현(Sanghyun Woo),임유성(Yooseong Lim),이문석(Moonsuk Yi) 대한전자공학회 2013 전자공학회논문지 Vol.50 No.7
본 연구에서는 TiInZn(TiIZO)를 채널층으로 하는 thin film transistors(TFTs)를 제작하였다. TiIZO층은 InZnO(IZO)와 Ti target을 이용하여 RF-magnetron co-sputtering system방식으로 상온에서 증착하였으며, 어떠한 열처리도 하지 않았다. Ti의 첨가가 어떠한 영향을 주는지 연구하기 위해 X-ray diffraction(XRD), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) 분석을 시행하였으며, 전기적인 특성을 측정하였다. Ti의 첨가는 Ti target의 rf power 변화에 따라 달리하였다. Ti의 첨가가 전류점멸비에 큰 영향을 주는 것을 확인하였고, 이것은 Ti의 산화력이 In과 Zn보다 뛰어난 산소결함자리의 형성을 억제하기 때문이다. Ti의 rf power가 40W일 때 가장 좋은 특성을 나타냈으며, 전류점멸비, 전자이동도, 문턱전압, subthreshold swing이 각각 10?, 2.09[㎠/V·s]. 2.2[V], 0.492[V/dec.] 로 측정되었다. We fabricated thin film transistors (TFTs) using TiInZnO(TiIZO) thin films as active channel layer. The thin films of TiIZO were deposited at room temperature by RF-magnetron co-sputtering system from InZnO(IZO) and Ti targets. We examined the effects of titanium addition by X-ray diffraction, X-ray photoelectron spectroscopy and the electrical characteristics of the TFTs. The TiIZO TFTs were investigated according to the radio-frequency power applied to the Ti target. We found that the transistor on-off currents were greatly influenced by the composition of titanium addition, which suppressed the formation of oxygen vacancies, because of the stronger oxidation tendency of Ti relative to that of Zn or In. A optimized TiIZO TFT with rf power 40W of Ti target showed good performance with an on/off current ration greater than 10?, a field-effect mobility of 2.09[㎠/V·s], a threshold voltage of 2.2 [V] and a subthreshold swing of 0.492 [V/dec.]
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Co-sputtered HfO₂-Al₂O₃을 게이트 절연막으로 적용한 IZO 기반 Oxide-TFT 소자의 성능 향상
손희근(Heegeon Son),양정일(Jungil Yang),조동규(Dongkyu Cho),우상현(Sanghyun Woo),이동희(Donghee Lee),이문석(Moonsuk Yi) 大韓電子工學會 2011 電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices) Vol.48 No.6
투명 산화물 반도체 (Transparent Oxide-TFT)를 활성층과 소스/드레인, 게이트 전극층으로 동시에 사용한 비결정 indium zinc oxide (a-IZO), 절연층으로 co-sputtered HfO₂-Al₂O₃ (HfAlO)을 적용하여 실온에서 RF-magnetron 스퍼터 공정에 의해 제작하였다. TFT의 게이트 절연막으로써 HfO₂ 는 그 높은 유전상수 ( >20)에도 불구하고 미세결정구조와 작은 에너지 밴드갭 (5.31eV) 으로 부터 기인한 거친 계면특성, 높은 누설전류의 단점을 가지고 있다. 본 연구에서는, 어떠한 추가적인 열처리 공정 없이 co-sputtering에 의해 HfO₂와 Al₂O₃를 동시에 증착함으로써 구조적, 전기적 특성이 TFT 의 절연막으로 더욱 적합하게 향상되어진 HfO₂ 박막의 변화를 x-ray diffraction (XRD), atomic force microscopy (AFM) and spectroscopic ellipsometer(SE)를 통해 분석하였다. XRD 분석은 기존 HfO₂ 의 미세결정 구조가 Al₂O₃와의 co-sputter에 의해 비결정 구조로 변한 것을 확인 시켜 주었고, AFM 분석을 통해 HfO₂ 의 표면 거칠기를 비교할 수 있는 RMS 값이 2.979 ㎚ 인 것에 반해 HfAlO의 경우 0.490 ㎚로 향상된 것을 확인하였다. 또한 SE 분석을 통해 HfO₂ 의 에너지 밴드 갭 5.17 eV 이 HfAlO 의 에너지 밴드 갭 5.42 eV 로 향상 되어진 것을 알 수 있었다. 자유 전자 농도와 그에 따른 비저항도를 적절하게 조절한 활성층/전극층 으로써의 IZO 물질과 게이트 절연층으로써 co-sputtered HfAlO를 적용하여 제작한 Oxide-TFT 의 전기적 특성은 이동도 10㎠/V·s 이상, 문턱전압 2 V 이하, 전류점멸비 10? 이상, 최대 전류량 2 ㎃ 이상을 보여주었다. A transparent oxide thin film transistors (Transparent Oxide-TFT) have been fabricated by RF magnetron sputtering at room temperature using amorphous indium zinc oxide (a-IZO) as both of active channel and source/drain, gate electrodes and co-sputtered HfO₂-Al₂O₃ (HfAlO) as gate dielectric. In spite of its high dielectric constant ( >20), HfO₂ has some drawbacks including high leakage current and rough surface morphologies originated from small energy band gap (5.31eV) and microcrystalline structure. In this work, the incorporation of Al₂O₃ into HfO₂ was obtained by co-sputtering of HfO₂ and Al₂O₃ without any intentional substrate heating and its structural and electrical properties were investigated by x-ray diffraction (XRD), atomic force microscopy (AFM) and spectroscopic ellipsometer (SE) analyses. The XRD studies confirmed that the microcrystalline structures of HfO₂ were transformed to amorphous structures of HfAlO. By AFM analysis, HfAlO films (0.490㎚) were considerably smoother than HfO₂ films (2.979㎚) due to their amorphous structure. The energy band gap (Eg) deduced by spectroscopic ellipsometer was increased from 5.17eV (HfO₂) to 5.42eV (HfAlO). The electrical performances of TFTs which are made of well-controlled active/electrode IZO materials and co-sputtered HfAlO dielectric material, exhibited a field effect mobility of more than 10㎠/V·s, a threshold voltage of ~2 V, an Ion/off ratio of >10?, and a max on-current of >2 ㎃.
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Horizontal mattress suture technique을 이용한 미세혈관 문합
김정철,이대훈,최시호,우상현 大韓成形外科學會 1990 Archives of Plastic Surgery Vol.17 No.4
Horizontal mattress suture technique on microvascular anastomosis of rat(body weight : 200-250gm)femoral artery was evaluated. The present study was conducted to compare the horizontal mattress suture with simple interrupted suture on the suture time, patency rate of the sutured vessels, and the histological changes of surgical site of the vessel wall during the wound healing period. The mean suture time of the vessel wall with horizontal mattress suture technique was 15min. 49sec±2.14, which is significantly shorter than that of simple interrupted suture technique. The patency rate of sutured vessel in both groups was statisitcally not different each other till post-operative 3rd day but patency rate of horizontal mattress suture was higher than that of simple interrupted suture at post-operative 3rd week. The histological findings such as intimal loss, medial degeneration, and intimal regeneration at 3rd were similar in both groups.
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