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김성만(S. M. Kim),임재영(J. Y. Leem),이철로(C. R. Lee),노삼규(S. K. Noh),신장규(J. K. Shin),권영수(Y. S. Kwon),유연희(Y. H. Ryu),손정식(J. S. Son),김지언(J. E. Kim) 한국진공학회(ASCT) 1999 Applied Science and Convergence Technology Vol.8 No.4(1)
MBE 방법을 이용하여 [011] 방향으로 2˚ 기울어진 GaAs 기판 위에 InAs 에피층 성장을 연구하였다. InAs 에피층의 결정성은 GaAs의 완충층의 두께가 약 2500 Å일 때 가장 좋은 특성을 나타내고 있었다. 한편 As BEP 및 Si cell 온도 등의 성장조건을 변화시키면서 성장한 시료에 대하여 Hall effect를 측정한 결과 As/In BEP 비가 1.2~2.0의 영역일 때 가장 높은 이동도를 가지는 InAs 에피층을 얻을 수 있었다. Si 도우핑에 의해 전자농도가 증가함에 따라 이동도는 증가하다가 Si cell 온도 960℃ (ND=2.21×10^(17) cm-³)를 기점으로 감소하는 경향을 나타내고 있다. Si 의 전자농도가 ND=2.21×10^(17) cm-³일 때 이동도가 1.10×10⁴ ㎠/V.s 로 가장 높게 나타나고 있었다. We studied the properties of the InAs epitaxial layers grown on (100)-oriented GaAs (2° tilted toward [011]) by molecular beam epitaxy. From DCX (double-crystal x-ray), the better crystal quality was shown in InAs epitaxial layers on about 2500 Å GaAs buffer among the different buffer thickness. On the other hand, by changing As HEP and Si cell temperature in growing InAs epitaxial layers on GaAs, we obtained the high mobility of InAs epitaxy in As/In HEP ratio (1.2~2.0) from Hall effect measurement. The electron mobility increased as electron concentration increases, until Si cell temperature 960℃ (ND=2.21×10^(17) ㎝-³). The mobility decreases as the Si cell temperature increases, at the temperature over 960℃. We obtained the high mobility (1.10×10⁴㎠/V.s) at Si electron concentration of ND=2.21×10^(17) ㎝-³.
FPGA를 이용한 스마트센서 시스템에 적용할 신경망의 하드웨어화 연구
반상우,이상국,조진호,신장규,Taright, Y.,Hubin, M. 경북대학교 센서기술연구소 1998 센서技術學術大會論文集 Vol.9 No.1
In this paper we present the hardware implementation of ANN(artificial neural netwrok) for smart sensor system using Xilinx FPGA(Field Programmable Gate Array) which can be implemented in hardware by end user not like semi-custom ASIC and VLSI and has an advantage of system reconfigurability on site in real time. We can also implement a smart sensor system in short development time and with lower cost using FPGA.