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- 저자 : 손병희(Byunghee Son) (검색결과 4 건)
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친수성과 소수성을 동시에 가지는 아세틸화 셀룰로스 에테르의 합성 및 특성 평가
김태홍,이상구,손병희,백현종,윤상현,이희수,Kim, Taehong,Lee, Sangku,Son, Byunghee,Paik, Hyun-Jjong,Yoon, Sanghyeon,Lee, Heesoo 한국결정성장학회 2013 한국결정성장학회지 Vol.23 No.1
친수성과 소수성을 동시에 갖는 아세틸화 셀룰로스 에테르(ACE)를 합성하여 유기용매 용해도 및 거동 평가와 물에 대한 젖음성을 평가하였다. 친수성 고분자인 셀룰로스 에테르에 에스테르화 반응을 통해 아세틸기를 치환시켰으며, FT-IR 분석결과 수산화기의 감소와 카르복실산의 증가를 통해 아세틸화 반응을 확인하였다. 열분해 거동 분석결과 $800^{\circ}C$까지 셀룰로스와 셀룰로스 에테르와 유사한 분해거동을 보여 셀룰로스 주사슬의 구조변화 없이 치환 반응이 일어난 것을 확인하였다. 18.5~26.4의 solubility parameter의 값을 예상할 수 있는 ACE는 유기용매의 solubility parameter 값에 의해 탁도와 점도가 결정되었다. 합성한 ACE의 접촉각은 셀룰로스 에테르 보다 높은 값을 보였으나 시간에 따른 접촉각 변화는 유사한 경향을 보였다. 이는 치환된 아세틸기에 의한 소수성, 무수 글루코스 단위체 내의 반응하지 않고 잔존하는 수산화기에 의해 친수성을 동시에 가지는 것을 알 수 있었다. Acetylated Cellulose Ether (ACE), cellulose-based amphiphilic polymer with hydrophilic and hydrophobic, was synthesized and investigated in terms of its solubility and wettability for organic solvents and water. Acetyl group was substituted to the cellulose ether in a hydrophilic polymer by esterification. As a result of FT-IR, the peak corresponding to the hydroxyl group decreased and carboxyl acid peak increased with increasing reaction time and temperature, which signified the increase in the degree of acetylation of the ACE. There were similar thermal decomposition behaviors before and after esterification reaction until $800^{\circ}C$ so that the reaction occurred without significant structural changes of cellulose backbones. The solubility parameter of the ACE had a range of 18.5~26.4, and its viscosity and turbidity were controlled according to the solubility parameter of organic solvents. The ACE showed the hydrophilicity because the contact angle of the ACE was higher than the cellulose ether. These results confirmed that the ACE had the hydrophobicity and hydrophilicity due to the ether which was glucosidic bonding between the glucose units and un-reacted hydroxyl functional groups in the ACE.
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양자점을 이용한 플래시 메모리 기반 뉴로모픽 소자 연구
최지수(Jisoo Choi),양정목(Jeongmok Yang),김예은(Yeeun Kim),강다현(Dahyun Kang),박찬규(Changyu Park),정소연(Soyeon Jung),김석규(Seokgyu Kim),김용덕(Yongduk Kim),손병희(Byunghee Son),장문규(Moongyu Jang) 한국물리학회 2022 새물리 Vol.72 No.10
뇌에서는 외부 자극에 의해 뉴런들의 연관성이 높아지면 시냅스를 통하여 연결 강도가 달라지게 된다. 본 연구에서는 양자점을 사용하여 이러한 시냅스를 구현하는 소자를 제작하고 평탄대 전압을 변화시키며 메모리 효과를 확인하였다. Pt/Cr/Al₂O₃/Quantum Dots/SiO₂/Si 기판의 수직 구조를 가진 소자를 제작하였고, 소자의 동작을 위해 게이트 전극에 전압을 가하였다. 이때, 절연막 손상이 발생하지 않는 적절한 프로그래밍/이레이징 전압 범위 설정이 필요하므로 전류-전압을 측정하여 절연막의 항복 전압을 도출하였다. 이후, 적절한 프로그래밍 전압을 인가하며 정전용량-전압 측정을 진행하였고 이를 통해 양자점의 메모리 효과를 확인하였다. 우리는 소자에 인가하는 전압의 크기와 시간을 변경하며 양자점에 포획되는 전자의 수를 조절하였고, 양자점에 포획된 전자의 수에 따라 평탄화 전압을 변화시켜 여러 단계의 상태를 표현할 수 있었다. 이를 통해 상태가 다양한 강도의 아날로그 형태로 변화하는 시냅스 특성을 표현할 수 있는 가능성을 확인하였다. In the human brain, when the neuron association is increased by an external stimulation, the strength of the connection changes through the synapses. The semiconductor devices emulating these synapses are called neuromorphic devices. In this research, a device acting as a synapse was manufactured using quantum dots (QDs), and the memory effect was confirmed by changing the flatband voltage (VFB) through the injection and depletion of electrons into the QDs. The fabricated device contained a vertical gate stack Pt/Cr/QDs/Al₂O₃/SiO₂/Si substrate, and a current-voltage characteristic was used to determine the breakdown voltage and the select programming voltage within a range that did not affect the oxide. Subsequently, the capacitance-voltage was measured by applying the programming voltage, and the memory effect of QDs was confirmed. The number of electrons stored in QDs were adjusted by changing the voltage and time to the device, and the state of several steps was implemented by varying the VFB depending on the number of electrons stored in QDs. Through the manufactured device, we confirmed that the implementation of a synaptic device was possible with multiple connection strengths.
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