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한국 주니어 테니스 선수의 근골격계 통증에 대한 설문 조사
김준엽 ( Joon Yub Kim ),문승준 ( Seung Jun Moon ),유정현 ( Jeong Hyun Yoo ),김주학 ( Joo Hak Kim ),손동욱 ( Dong Wook Sohn ),정재홍 ( Jae Hong Jung ),김우성 ( Woo Sung Kim ) 대한스포츠의학회 2015 대한스포츠의학회지 Vol.33 No.2
The aim of this survey was to analyze the characteristics of musculoskeletal pain of Korean junior tennis players and its effect on games and psychology of players. Surveys were administered to 30 healthy male junior tennis players who took part in a 50th national junior tennis meet in 2015. We analyzed the incidence, location, cause and preferred prevention or treatment method of musculoskeletal pain, the correlation between training time and musculoskeletal pain as well as the effect of musculoskeletal pain on games and psychology of players. Overall, 22 out of 30 (73.3%) responded the experience of musculoskeletal pain. The incidence of lower extremity pain (16 out of 30, 53.3%) were higher than upper extremity pain (9 out of 30, 30%) and low back pain (8 out of 30, 26.7%). The long training hours per day (r=0.574, p=0.001) and old age (r=0.390, p=0.033) were correlated with intermittent back pain in univariate anlaysis. In multivariate ananlysis, the long training hours per day was a single risk factor of intermittent low back pain (p=0.038, odds ratio 10.01). 43.3% of players responded that the insufficent preventive conditioning program was thought to be the cause of musculoskeletal pain. The most preferred treatment or prevention method for musculoskeletal pain was rehabilitation (55.3%). Twelve players reported the negative affection of musculoskeletal pain to the performance in game. Six players experienced the frustration, 9 playersexperienced the loss of interest and 9 players experienced the emotional avoidance of games due to the musculoskeletal pain.
김민혁(Min-Hyeok Kim),오수진(Su-jin Oh),조성훈(Sung-Hun Cho),추정솔(Jung-Sol Chu),이현교(Hyeon-Gyo Lee),김희수(Hee-Su Kim),문승준(Seung-Jun Moon),정현곤(Hyun-Kon Jeong),고영진(Yeong-Jin Goh) 대한전기학회 2021 대한전기학회 학술대회 논문집 Vol.2021 No.11
사람들이 세제를 어떻게 사용하고 있는지에 대한 뉴스를 보면, 40년차 주부는 작은 얼룩 하나도 용서할 수 없다고 각종 세제를 듬뿍 넣는다. 20∼30년 경력의 주부들 또한 과한 용량의 세제를 사용하고 있었다. <그림 1>과 같은 사진처럼, 많은 사람들이 눈대중으로 이 정도의 빨랫감은 이 정도의 세제가 필요하다고 맹목적으로 확신하고 있다. 과한 세제를 투입하면, 세탁기에 곰팡이가 피어오르기 때문에 세탁을 해도 예민한 피부를 가진 사람들에겐 피부 질환을 악화시키는 부작용이 생길 수 있다. 적정한 세제를 투입하여 가장 효과적인 세탁을 하기위해 고안하였다.
LPE법에 의한 InGaAsP/InP 양자우물 구조 성장
김의훈,오차환,문승준,김채옥 漢陽大學校 自然科學硏究所 1997 自然科學論文集 Vol.16 No.-
InGaAsP /InP 양자우물 구조를 액상 에피탁시법으로 성장하여, 그 구조적 특성을 secondary ion mass spectroscopy(SIMS), scanning emission microscopy(SEM), transmission electron microscopy(TEM)을 이용하여 조사하였다. SIMS 결과로 부터 well과 barrier의 interface에서 P와 As의 성분이 매우 급준한 변화를 보이고 있는 것으로 보아 LPE로 성장된 시료의 계면구조도 비교적 잘 control이 되었다고 판단된다. SEM과 TEM단면 사진으로 부터 well과 barrier의 계면 상태가 양호하고 well size가 270Å이고 barrier size가 1200Å임을 알 수 있었다. InGaAsP /InP quantum well structures have been grown by liquid phase epitaxy(LPE) and its structural properties have been studied by SIMS, SEM and TEM. In SIMS measurement, the P - and As-components were varied abruptly between wells and barriers, which means that interfacial structures of sample grown by LPE were controlled very well. From the analysis of cross sectional images by SEM and TEM, we know that the interfaces between wells and barriers are very abrupt and that the thickness of well layers and barrier layers are 270Å and 1200Å, respectively .
김채옥,오차환,문승준,김의훈 漢陽大學校 自然科學硏究所 1997 自然科學論文集 Vol.16 No.-
Liquid phase epitaxy(LPE)법에 의해 InGaAsP quantum well(QW)구조를 성장하여 특성을 photoluminescence(PL)와 double crystal rocking curve(DCRC)를 이용하여 조사하였다. PL 측정결과, 상온 PL의 경우 well특성의 피크 에너지는 0.97eV이 FWHM은 80.41meV이며, 저온PL결과 well특성의 피크 에너지는 1.025eV이고 FWHM은 33meV이었다. 여기광의 세기를 증가시킴에 따라 PL 세기가 비교적 선형적으로 급준한 증가를 보이고 있어 well발광 특성임을 관찰할 수 있었다. DCRC결과, 격자부정합도가 0.32이고 한 쌍의 주기는 600Å이며 전형적인 Quantum Well특성의 위성피크를 관찰할 수 있다. In this work, We have grown the InGaAsP/InP quantum well by liquid phase epitaxy(LPE) and its some physical properties have been studied by photoluminescence(PL) and double crystal x-ray rocking curve(DCRC). In low temperature PL, the characteristic emission peak of well is observed at 1.025eV with a full-with-half-maximum of 33meV. As we increase the excitation intensities the emission intensities are drastically increased. From the DCRC analysis, we know that lattice mismatch between epitaxial layer and substrate is very low with a value of 0.32.