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순시 재점등을 위한 소형 HID램프 이그니터 변압기에 대한 연구
김우섭(W.S. Kim),이인규(I.K. Lee),김창균(C.G. Kim),이규찬(G.C. Lee),조보형(B.H. Cho) 전력전자학회 2004 전력전자학술대회 논문집 Vol.- No.-
In this paper, the requirements for the HID lamp igniter transformer capable of hot strike are described. A small size high voltage (HV) transformer composed of a Rod type ferrite core and aluminum foil is designed. The Electro Magnetic characteristics are simulated with Finite Element Methodology (FEM). The design guideline of the HV transformer that produces an output voltage with a peak value of 25㎸ and a pulse width of larger than 100nS for a 35W automotive HID ballast prototype is discussed as an illustrative example.
무접점 충전기의 전력단 변압기를 통한 무접점 피드백 제어방식
박종후(J-H. Park),김창균(C.G. Kim),조보형(B.H. Cho) 전력전자학회 2000 전력전자학술대회 논문집 Vol.2000 No.11
A non-contact battery charger which transfers energy using magnetic field has a difficulty with a feed-back control due to the interaction between the power and signal processing. This paper proposes an effective method which uses auxiliary windings of transformer as signal path, and copes with cross-talk using the MOSFET ringing phenomenon and ceramic filter. The power stage is half-bridge series resonant converter. Design procedure and experimental verification are presented.
이완섭(W.S. Lee),김창균(C.G. Kim),김한규(H.G. Kim),김인태(I.T. Kim) 한국해양환경·에너지학회 2005 한국해양환경공학회 학술대회논문집 Vol.2005 No.11
해상유출물질의 감식ㆍ분석업무는 선박의 국가간 항행 특성 때문에 국내는 물론이고 국제적인 업무 성격을 가지고 있어 분석능력 등이 이에 걸 맞는 수준을 유지해야만 하고 대형 오염사고시 방제방법의 결정, 오염지역의 확인 및 분명오염사고의 행위자 적발 등을 위해 정확하고 신속한 기법을 필요로 한다. 본 연구에서는 우리나라 해상물동량의 약 50%를 차지하며 대형 유출사고의 위험성이 높아져 새로운 대처능력의 필요성이 제기되고 있는 위험ㆍ유해물질(HNS)이 해상에 유출되었을 경우 적외선분광광도계(FT/IR), 기체크로마토그래프(GC), 기체크로마토그래프 질량분석기(GCMS)를 이용하여 감식ㆍ분석방법과 이들 물질의 유출사고에 대비한 사전 데이터베이스 구축의 필요성에 대해서 중점적으로 논하고자 한다.
이경원(K.-W. Lee),유규상(K.-S. Yu),구수진(S.-J. Ku),김창균(C. G. Kim),고원용(W. Koh),조용국(Y.-K. Joh),김윤수(Y. Kim) 한국진공학회(ASCT) 1996 Applied Science and Convergence Technology Vol.5 No.2
단일 선구 물질인 1, 3-디실라부탄을 사용하여 고진공 하의 온도 영역 900-1000℃에서 탄화규소 완충층이 형성된 Si(001) 기질 위에 입방형 탄화규소 박막을 적층 성장시켰다. 얻어진 탄화규소 박막의 화학량 론적 비, 양질의 결정성 및 표면 형태의 특성을 반사 고에너지 전자 회절, X선 광전자 분광법, X선 회절, X선 극점도, 주사 전자 현미경 및 투과 전자 현미경으로 확인하였다. 이들 결과로부터 단일 선구물질인 1, 3-디실라부탄이 입방 구조를 가지는 탄화규소 박막의 적층 성장에 적절한 물질임을 밝혔다. Epitaxial cubic silicon carbide films have been deposited on carbonized Si(001) substrates using the single precursor 1, 3-disilabutane in the temperature range 900-1000℃ under high vacuum conditions. The films grown were characterized by in situ RHEED, XPS, XRD, x-ray pole figure, SEM, and TEM. The results show that epitaxial cubic SiC films with smooth morphology and good crystallinity were formed in this temperature range. The single precursor 1, 3-disilabutane has been found suitable for the epitaxial growth of cubic SiC on Si(001) substrates.