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- 저자 : 김종률 ( Jong Ryul Kim ) (검색결과 80 건)
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김종률,Kim, Jong-Ryul 한국정보통신집흥협회 1997 정보화사회 Vol.111 No.-
인터넷(Internet)은 세계 최대의 공공 전산망이다. 즉 약 5만개의 네트워크가 결합되어 있으며 여기에는 약 400만대의 주전산기가 연결되어 각종 정보를 제공하고 있다. 이러한 인터넷은 정보의 산실로서 약 5,000만명의 사용자가 이를 이용하고 있다. 인터넷의 성장세는 연 100%를 능가하며, 가히 폭발적인 증가를 하고 있다.
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환경정책 - 생물다양성 보전 및 지속가능한 이용 정책과 방향
김종률,Kim, Jong-Ryul 환경보전협회 2014 환경정보 Vol.411 No.-
환경부에서는 지난 3월 제3차 국가 생물다양성 전략을 수립하였다. 2050년까지 "생물다양성을 풍부하게 보전하여 지속가능하게 이용할 수 있는 대한민국을 구현"하는 장기 비전과, 2020년까지 "생물다양성 보전과 생태가치 제고를 통한 창조경제 견인"하는 중기 비전을 정하고, 이를 달성하기 위하여 6대 전략과 18개 실천목표를 마련하였다.
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김종률,Kim, Jong-Ryul 한국정보통신집흥협회 2001 정보화사회 Vol.149 No.-
전화를 거는 발신자의 전화번호를 통화 전에 수신자 전화기의 액정화면에 표시해주는 발신자표시(CID: Caller ID)서비스가 국내에서도 도래했다. 한국통신, 하나로통신 등 유선 전화사업자 및 SK텔레콤, 한통프리텔, LG텔레콤 등 이동전화 사업자들은 지난 4월 1일부터 일제히 발신번호표시 시범서비스를 개시했다. 사업자들은 시범서비스에 이어 5월부터 상용화에 돌입한다는 방침이다.
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60 nm 와 20 nm 두께의 수소화된 비정질 실리콘에 따른 저온 니켈실리사이드의 물성 변화
김종률,박종성,최용윤,송오성,Kim, Joung-Ryul,Park, Jong-Sung,Choi, Young-Youn,Song, Oh-Sung 한국진공학회 2008 Applied Science and Convergence Technology Vol.17 No.6
ICP-CVD를 사용하여 수소화된 비정질 실리콘(a-Si:H)을 60 nm 또는 20 nm 두께로 성막 시키고, 그 위에 전자총증착장치(e-beam evaporator)를 이용하여 30 nm Ni 증착 후, 최종적으로 30 nm Ni/(60 또는 20 nm a-Si:H)/200 nm $SiO_2$/single-Si 구조의 시편을 만들고 $200{\sim}500^{\circ}C$ 사이에서 $50^{\circ}C$간격으로 40초간 진공열처리를 실시하여 실리사이드화 처리하였다. 완성된 니켈실리사이드의 처리온도에 따른 면저항값, 상구조, 미세구조, 표면조도 변화를 각각 사점면저항측정기, HRXRD, FE-SEM과 TEM, SPM을 활용하여 확인하였다. 60 nm a-Si:H 기판 위에 생성된 니켈실리사이드는 $400^{\circ}C$이후부터 저온공정이 가능한 면저항값을 보였다. 반면 20 nm a-Si:H 기판 위에 생성된 니켈실리사이드는 $300^{\circ}C$이후부터 저온공정이 가능한 면저항값을 보였다. HRXRD 결과 60 nm 와 20 nm a-Si:H 기판 위에 생성된 니켈실리사이드는 열처리온도에 따라서 동일한 상변화를 보였다. FE-SEM과 TEM 관찰결과, 60 nm a-Si:H 기판 위에 생성된 니켈실리사이드는 저온에서 고저항의 미반응 실리콘이 잔류하고 60 nm 두께의 니켈실리사이드를 가지는 미세구조를 보였다. 20 nm a-Si:H 기판위에 형성되는 니켈실리사이드는 20 nm 두께의 균일한 결정질 실리사이드가 생성됨을 확인하였다. SPM 결과 모든 시편은 열처리온도가 증가하면서 RMS값이 증가하였고 특히 20 nm a-Si:H 기판 위에 생성된 니켈실리사이드는 $300^{\circ}C$에서 0.75 nm의 가장 낮은 RMS 값을 보였다. 60 nm and 20 nm thick hydrogenated amorphous silicon(a-Si:H) layers were deposited on 200 nm $SiO_2$/single-Si substrates by inductively coupled plasma chemical vapor deposition(ICP-CVD). Subsequently, 30 nm-Ni layers were deposited by an e-beam evaporator. Finally, 30 nm-Ni/(60 nm and 20 nm) a-Si:H/200 nm-$SiO_2$/single-Si structures were prepared. The prepared samples were annealed by rapid thermal annealing(RTA) from $200^{\circ}C$ to $500^{\circ}C$ in $50^{\circ}C$ increments for 40 sec. A four-point tester, high resolution X-ray diffraction(HRXRD), field emission scanning electron microscopy(FE-SEM), transmission electron microscopy(TEM), and scanning probe microscopy(SPM) were used to examine the sheet resistance, phase transformation, in-plane microstructure, cross-sectional microstructure, and surface roughness, respectively. The nickel silicide from the 60 nm a-Si:H substrate showed low sheet resistance from $400^{\circ}C$ which is compatible for low temperature processing. The nickel silicide from 20 nm a-Si:H substrate showed low resistance from $300^{\circ}C$. Through HRXRD analysis, the phase transformation occurred with silicidation temperature without a-Si:H layer thickness dependence. With the result of FE-SEM and TEM, the nickel silicides from 60 nm a-Si:H substrate showed the microstructure of 60 nm-thick silicide layers with the residual silicon regime, while the ones from 20 nm a-Si:H formed 20 nm-thick uniform silicide layers. In case of SPM, the RMS value of nickel silicide layers increased as the silicidation temperature increased. Especially, the nickel silicide from 20 nm a-Si:H substrate showed the lowest RMS value of 0.75 at $300^{\circ}C$.
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자기소개서 쓰기교육의 활동 방향 연구 -평가 항목과 평가 요소를 중심으로-
김종률 ( Jong Ryul Kim ) 국어교육학회 2012 國語敎育學硏究 Vol.44 No.-
이 연구의 목적은 입학을 위한 자기소개서의 평가 항목에 따른 주된 평가 요소를 찾고, 그 주된 평가 요소와 관련된 자기소개서의 특성을 살펴, 이를 기반으로 자기소개서 쓰기교육의 활동 방향을 모색하는 것이다. 입학사정관전형에서 추구하는 인재상의 평가 요소는 대체로 인성, 전공적합성, 발전가능성, 창의성이며, 자기소개서의 평가 항목과 관련한 주된 평가 요소 또한 인성과 전공적합성, 발전가능성, 창의성으로 나타난다. 이러한 공통점을 토대로 입학을 위한 자기소개서의 특성은 크게 네 가지 정도로 압축된다. 첫째, 자기소개서는 필자와 독자의 평가 항목에 대한 평가 요소의 동일성을 추구하는 글쓰기이다. 둘째, 자기소개서는 정체성과 실용성의 복합적 글쓰기이다. 셋째, 자기소개서는 ``나``에 대한 서술을 기술로 전환시키는 글쓰기이다. 넷째, 자기소개서는 입학과 평가라는 목적의 양면성을 지닌다. 따라서 이러한 특성을 기반으로 자기소개서 쓰기교육의 활동 방향을 설정할 수 있다. The purpose of this study is to find the main assessment element by assessment item of a letter of self-introduction for college admission and look at the characteristics of a letter of self-introduction associated with the main assessment element and come up with activity direction of a letter of self-introduction writing education based on this. The assessment elements of the right people pursued admissions officer screening generally are personality, major suitability, growth potential, creativity. The main assessment elements by assessment item of a letter of self-introduction also appears as personality, major suitability, growth potential, creativity. Based on these similarities, the characteristics of a letter of self-introduction for college admission characteristics are compressed into four kinds. First, a letter of self-introduction is writing to pursue sameness of assessment element on assessment item of author and reader. Second, a letter of self-introduction is a complex writing of identity and practicality. Third, a letter of self-introduction is writing to convert narration about me into description about me. Fourth, a letter of self-introduction has double-sidedness with a purpose of admission and assessment. Therefore based on these characteristics, activity direction of a letter of self-introduction writing education can be set.
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