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- 저자 : 김종률(Jong-Ryul Kim) (검색결과 79 건)
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김종률,Kim, Jong-Ryul 한국정보통신집흥협회 2001 정보화사회 Vol.149 No.-
전화를 거는 발신자의 전화번호를 통화 전에 수신자 전화기의 액정화면에 표시해주는 발신자표시(CID: Caller ID)서비스가 국내에서도 도래했다. 한국통신, 하나로통신 등 유선 전화사업자 및 SK텔레콤, 한통프리텔, LG텔레콤 등 이동전화 사업자들은 지난 4월 1일부터 일제히 발신번호표시 시범서비스를 개시했다. 사업자들은 시범서비스에 이어 5월부터 상용화에 돌입한다는 방침이다.
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김종률,Kim, Jong-Ryul 한국정보통신집흥협회 1997 정보화사회 Vol.111 No.-
인터넷(Internet)은 세계 최대의 공공 전산망이다. 즉 약 5만개의 네트워크가 결합되어 있으며 여기에는 약 400만대의 주전산기가 연결되어 각종 정보를 제공하고 있다. 이러한 인터넷은 정보의 산실로서 약 5,000만명의 사용자가 이를 이용하고 있다. 인터넷의 성장세는 연 100%를 능가하며, 가히 폭발적인 증가를 하고 있다.
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60 nm 와 20 nm 두께의 수소화된 비정질 실리콘에 따른 저온 니켈실리사이드의 물성 변화
김종률,박종성,최용윤,송오성,Kim, Joung-Ryul,Park, Jong-Sung,Choi, Young-Youn,Song, Oh-Sung 한국진공학회 2008 Applied Science and Convergence Technology Vol.17 No.6
ICP-CVD를 사용하여 수소화된 비정질 실리콘(a-Si:H)을 60 nm 또는 20 nm 두께로 성막 시키고, 그 위에 전자총증착장치(e-beam evaporator)를 이용하여 30 nm Ni 증착 후, 최종적으로 30 nm Ni/(60 또는 20 nm a-Si:H)/200 nm $SiO_2$/single-Si 구조의 시편을 만들고 $200{\sim}500^{\circ}C$ 사이에서 $50^{\circ}C$간격으로 40초간 진공열처리를 실시하여 실리사이드화 처리하였다. 완성된 니켈실리사이드의 처리온도에 따른 면저항값, 상구조, 미세구조, 표면조도 변화를 각각 사점면저항측정기, HRXRD, FE-SEM과 TEM, SPM을 활용하여 확인하였다. 60 nm a-Si:H 기판 위에 생성된 니켈실리사이드는 $400^{\circ}C$이후부터 저온공정이 가능한 면저항값을 보였다. 반면 20 nm a-Si:H 기판 위에 생성된 니켈실리사이드는 $300^{\circ}C$이후부터 저온공정이 가능한 면저항값을 보였다. HRXRD 결과 60 nm 와 20 nm a-Si:H 기판 위에 생성된 니켈실리사이드는 열처리온도에 따라서 동일한 상변화를 보였다. FE-SEM과 TEM 관찰결과, 60 nm a-Si:H 기판 위에 생성된 니켈실리사이드는 저온에서 고저항의 미반응 실리콘이 잔류하고 60 nm 두께의 니켈실리사이드를 가지는 미세구조를 보였다. 20 nm a-Si:H 기판위에 형성되는 니켈실리사이드는 20 nm 두께의 균일한 결정질 실리사이드가 생성됨을 확인하였다. SPM 결과 모든 시편은 열처리온도가 증가하면서 RMS값이 증가하였고 특히 20 nm a-Si:H 기판 위에 생성된 니켈실리사이드는 $300^{\circ}C$에서 0.75 nm의 가장 낮은 RMS 값을 보였다. 60 nm and 20 nm thick hydrogenated amorphous silicon(a-Si:H) layers were deposited on 200 nm $SiO_2$/single-Si substrates by inductively coupled plasma chemical vapor deposition(ICP-CVD). Subsequently, 30 nm-Ni layers were deposited by an e-beam evaporator. Finally, 30 nm-Ni/(60 nm and 20 nm) a-Si:H/200 nm-$SiO_2$/single-Si structures were prepared. The prepared samples were annealed by rapid thermal annealing(RTA) from $200^{\circ}C$ to $500^{\circ}C$ in $50^{\circ}C$ increments for 40 sec. A four-point tester, high resolution X-ray diffraction(HRXRD), field emission scanning electron microscopy(FE-SEM), transmission electron microscopy(TEM), and scanning probe microscopy(SPM) were used to examine the sheet resistance, phase transformation, in-plane microstructure, cross-sectional microstructure, and surface roughness, respectively. The nickel silicide from the 60 nm a-Si:H substrate showed low sheet resistance from $400^{\circ}C$ which is compatible for low temperature processing. The nickel silicide from 20 nm a-Si:H substrate showed low resistance from $300^{\circ}C$. Through HRXRD analysis, the phase transformation occurred with silicidation temperature without a-Si:H layer thickness dependence. With the result of FE-SEM and TEM, the nickel silicides from 60 nm a-Si:H substrate showed the microstructure of 60 nm-thick silicide layers with the residual silicon regime, while the ones from 20 nm a-Si:H formed 20 nm-thick uniform silicide layers. In case of SPM, the RMS value of nickel silicide layers increased as the silicidation temperature increased. Especially, the nickel silicide from 20 nm a-Si:H substrate showed the lowest RMS value of 0.75 at $300^{\circ}C$.
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환경정책 - 생물다양성 보전 및 지속가능한 이용 정책과 방향
김종률,Kim, Jong-Ryul 환경보전협회 2014 환경정보 Vol.411 No.-
환경부에서는 지난 3월 제3차 국가 생물다양성 전략을 수립하였다. 2050년까지 "생물다양성을 풍부하게 보전하여 지속가능하게 이용할 수 있는 대한민국을 구현"하는 장기 비전과, 2020년까지 "생물다양성 보전과 생태가치 제고를 통한 창조경제 견인"하는 중기 비전을 정하고, 이를 달성하기 위하여 6대 전략과 18개 실천목표를 마련하였다.
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ICP-CVD 비정질 실리콘에 형성된 처리온도에 따른 저온 니켈실리사이드의 물성 변화
김종률(Kim, Jong-Ryul),최용윤(Choi, Young-Youn),박종성(Park, Jong-Sung),송오성(Song Ohsung) 한국산학기술학회 2008 한국산학기술학회논문지 Vol.9 No.2
ICP-CVD(inductively-coupled plasma chemical vapor deposition)를 사용하여 25℃기판온도에서 140 ㎚ 두께의 수소화된 비정질 실리콘(α-Si:H)을 제조하였다. 그 위에 30 ㎚-Ni을 열증착기를 이용하여 성막하고, 200~500℃ 사이에서 50℃간격으로 30분간 진공열처리하여 실리사이드화 처리하였다. 완성된 실리사이드의 처리온도에 따른 실리사이드의 면저항값 변화, 미세구조, 상 분석, 표면조도 변화를 각각 사점면저항측정기, HRXRD(high resolution X-ray diffraction), FE-SEM(field emission scanning electron microscope), TEM(transmission electron microscope), SPM(scanning probe microscope)을 활용하여 확인하였다. 300℃에는 고저항상인 Ni₃Si, 400℃에서는 중저항상인 Ni₂Si, 450℃이상에서 저저항의 나노급 두께의 균일한 NiSi를 확인되었다. SPM결과에서 저저항 상인 NiSi는 450℃에서 RMS(root mean square) 표변조도 값도 12 ㎚이하로 전제 공정온도를 450℃까지 낮추어 유리와 폴리머기판 등 저온기판에 대응하는 저온 니켈모노실리사이드 공정이 가능하였다. We fabricated hydrogenated amorphous silicon(a-Si:H) 140 ㎚ thick film on a 180 ㎚-SiO₂/Si substrate with an inductively-coupled plasma chemical vapor deposition(ICP-CVD) equipment at 250℃. Moreover, 30 ㎚-Ni film was deposited with a thermal-evaporator sequently. Then the film stack was annealed to induce silicides by a rapid thermal annealer(RTA) at 200~500℃ in every 50℃ for 30 minuets. We employed a four-point tester, high resolution X-ray diffraction(HRXRD), field emission scanning electron microscope(FE-SEM), transmission electron microscope(TEM), and scanning probe microscope(SPM) in order to examine the sheet resistance, phase transformation, in-plane microstructure, cross-sectional microstructure evolution, and surface roughness, respectively. We confirmed that nano-thick high resistive Ni₃Si, mid-resistive Ni₂Si, and low resistive NiSi phases were stable at the temperature of <300, 350~450℃, and >450℃, respectively. Through SPM analysis, we confirmed the surface roughness of nickel silicide was below 12 ㎚, which implied that it was superior over employing the glass and polymer substrates.
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국어과 통합교육을 위한 문제해결 방안 연구 -화법,작문,독서에 관련된 사고를 중심으로-
김종률 ( Jong Ryul Kim ) 청람어문교육학회 ( 구 청람어문학회 ) 2011 청람어문교육 Vol.44 No.-
이 연구의 목적은 2011년 개정 국어과 교육과정의 화법·작문·독서에 대한 문제점을 사고의 측면에서 살펴보고, 이에 따른 문제해결 방안을 모색하는 것이다. 개정 국어과 교육과정의 화법·작문·독서는 사고의 측면에서 분리주의적 관점을 취하고 있어 각 영역이 제대로 결속되지 못한다. 그래서 화법에서 갖춘 사고가 작문이나 독서로 이어지지 못하고, 작문에서 갖춘 사고가 독서나 화법으로 이어지지 못하며, 독서에서 갖춘 사고가 화법이나 작문으로 이어지지 못한다. 따라서 화법·작문·독서는 동일한 언어적 사고 작용에 의해 유기적 관계를 맺어야 한다. 이러한 관계에 의한 화법·작문·독서의 결속성은 화자와 청자, 필자와 독자의 관계에서 사고의 표현과 이해 그리고 텍스트의 생산과 수용의 측면을 반드시 고려해야 한다. 이 점을 고려한 국어과 통합교육을 위한 모델은 통합적 국어교육을 위한 밑바탕이 될 수 있을 것이다. The purpose of this study is to come up with ways as problem-solving by watching the problem about speech, writing, reading of the revised Korean language curriculum in 2011 in terms of thinking. Speech, writing, reading of the revised Korean language curriculum in terms of thinking has taken a secessional perspective. So each area is not united properly. In other words, activated thinking in speech does not link to writing or reading and activated thinking in writing does not link to reading or speech and activated thinking in reading does not join to speech or writing. Therefore speech, writing, reading should have an organic relationship by the action of the same verbal thought. Coherence of speech, writing, reading by this relationship must be considered aspects of the expression and understanding of the thinking and the production and acceptance of the text on the relationship between speaker and listener, between author and reader. A model for Korean language integrated education considering this fact can be based for Integrated Korean education.
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