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열처리공학회지,제27권 제1호(2014) : GZO/ZnO 적층박막의 두께변화에 따른 구조적, 전기적, 광학적 물성 변화
김승홍 ( Seung Hong Gong ),김선경 ( Dong Kyung Kim ),김소영 ( So Young Kim ),전재현 ( Jae Hyun Jeon ),공태경 ( Tae Kyung Gong ),최동혁 ( Dong Hyuk Choi ),손동일 ( Dong Ll Son ),김대일 ( Daeil Kim ) 한국열처리공학회 2014 熱處理工學會誌 Vol.27 No.1
Ga doped ZnO (GZO) single layer and GZO/ZnO bi-Iayered films were deposited on glass substrates by radio frequency magnetron sputtering and then the influence of film thickness on the structural, electrical. and optical properties of the films was considered, Thicknesses of the GZO/ZnO films was varied as GZO 100 nm, GZO 85 nm/ZnO 15 nm and GZO 70 nm/ZnO 30 nm, respectively The observed result means that optical transmittance and electrical resistivity of the films were influenced with film thickness and GZO 85 nm/ZnO 15 nm bilayered films show the higher figure of merit than that of the films prepared other films in this study,
김승홍 ( Seung-hong Kim ),김대원 ( Dae-won Kim ),홍석형 ( Suk-hyung Hong ),신용태 ( Yong-tae Shin ) 한국정보처리학회 2006 한국정보처리학회 학술대회논문집 Vol.13 No.2
최근 IT 기술이 나날이 발전하고 패션에 대한 소비자의 취향이 개별화 되고 있다. 이에 따라 미래의 의류시장은 디지털 패션이 주도하게 될 전망이다. 디지털 패션이란 3차원 스캐너로 인체치수를 측정하고 스마트카드나 휴대폰에 저장하여, 인터넷 쇼핑몰 등에서 이를 이용하여 가상으로 옷을 입혀보고 주문하는 시스템이다. 디지털 패션 시스템에서 사용되는 디지털 디자인과 3차원 체형 정보는 디지털과 인터넷의 특성상 복사가 쉬워 저작권에 대한 심각한 문제를 야기한다. 이에 본 연구에서는 디지털 패션 시스템에 DRM을 적용하여 디지털 디자인의 저작권과 개인의 체형 정보를 보호하는 방법을 연구하였다.
최단 경로가 설정된 WSN에서 대체 경로 설정에 관한 연구
김승홍 ( Seung-hong Kim ),남춘성 ( Choon-sung Nam ),홍석형 ( Suk-hyong Hong ),신용태 ( Yong-tae Shin ) 한국정보처리학회 2006 한국정보처리학회 학술대회논문집 Vol.13 No.2
센서 네트워크를 구성하는 각 노드는 크기가 작고, 배터리 용량도 제한되어 있기 때문에 오랜 시간 노드가 활동하기 위해서는 노드의 에너지 소모를 줄이는 것이 중요하다. 센서 노드들의 에너지 소비감소를 위해서 센서 네트워크에서는 에너지 효율적인 라우팅을 통해 에너지를 소비를 줄이는 방법이 연구되었다. 그 중에서 클러스터링 기법은 센서 노드가 클러스터를 형성하고, 그 주체가 되는 클러스터 헤드와 통신함으로써 전체적인 센서 노드의 에너지 소비를 줄이고, 센서 노드의 에너지 소모를 분산하는 기법이다. 그러나 클러스터 생성 후 클러스터 내에서 센서 노드들이 직접 클러스터 헤드와 통신한다거나, 플러딩을 하는 방식으로 통신했을 때, 각각의 센서 노드들은 많은 에너지 소비하게 된다. 이러한 이유로 각 센서 노드는 클러스터 헤드로 정보를 전달하기 위해 가상 경로 구성하여 전송하는 것이 효율적이다. 하지만 클러스터 헤드까지의 경로를 이루는 중간 노드의 에너지가 부족할 경우 이 노드를 거치는 모든 노드들은 클러스터 헤드로 정보를 전달 할 수 없다. 따라서 중간노드의 경로 이탈시 대체 경로를 설정하는 것은 매우 중요한 문제이다. 본 논문은 초기 랜덤하게 뿌려진 센서 노드들이 클러스터 헤드를 선정하고 클러스터 헤더와 센서 노드들 간 가상 경로를 형성한 후 중간 노드가 죽었을 경우 대체 경로를 설정하는 방법을 제안한다.
전자빔 조사에 따른 GZO/TiO 2 박막의 특성 변화
김승홍 ( Seung Hong Kim ),김선경 ( Sun Kyung Kim ),김소영 ( So Young Kim ),허성보 ( Sung Bo Heo ),최동혁 ( Dong Hyu Choi ),손동일 ( Dong Il Son ),김대일 ( Dae Ll Kim ) 한국열처리공학회 2013 熱處理工學會誌 Vol.26 No.6
We have considered the influence of electron irradiation energy of 300, 600 and 900 eV on the stuctural,electrical and optical properties of GZO/TiO2 thin films prepared with RF magentron sputtering. The optical transmittance and electrical resistivity of the films were dependent on the electron`s irradiation energy. The electron irradiated GZO/TiO2 films at 900 eV are grown as a hexagonal wurtzite phase and the resistivity is decreased with electron irradiation energy. The GZO/TiO2 films irradiated at 900 eV shows the lowest resistivity of 4.3 × 10-3Ωcm. The optical transmittance in a visible wave length region also increased with the electron irradiation energy. The film that electron irradiated at 900 eV shows 82% of optical transmittance and higher work function of 5.18eV in this study.
김소영 ( So Young Kim ),김선경 ( Sun Kyung Kim ),김승홍 ( Seung Hong Kim ),전재현 ( Jae Hyun Jeon ),공태경 ( Tae Kyung Gong ),손동일 ( Dong Il Son ),최동혁 ( Dong Hyuk Choi ),김대일 ( Dae Il Kim ) 한국열처리공학회 2014 熱處理工學會誌 Vol.27 No.4
IGZO thin films were prepared by radio frequency (RF) magnetron sputtering on glass substrates andthen annealed in vacuum for 30 minutes at 100, 200 and 300℃, respectively. The thickness of films kept at100 nm by controlling the deposition rate. While the optical transmittance and sheet resistance of as depositedfilms were 91.9% and 901 Ω/□, respectively, the films annealed at 300℃ show the optical transmittance of 95.4%and the sheet resistance of 383 Ω/ □. The experimental results indicate that vacuum-annealed IGZO film at 300℃ is an attractive candidate for the transparent thin film transistor (TTFT) in large area electronic applications.
진공열처리 온도에 따른 GZO/Al 적층박막의 구조적, 전기적, 광학적 특성 변화
김선경(Sun-Kyung Kim),김승홍(Seung-Hong Kim),김소영(So-Young Kim),전재현(Jae-Hyun Jeon),공태경(Tae-Kyung Gong),윤대영(DaeYoung Yoon),최동용(DongYong Choi),최동혁(Dong-Hyuk Choi),손동일(Dong-Il Son),김대일(Daeil Kim) 한국표면공학회 2014 한국표면공학회지 Vol.47 No.2
Ga doped ZnO (GZO)/Al bi-layered films were deposited on the glass substrate by RF and DC magnetron sputtering and then vacuum annealed at different temperatures of 100, 200 and 300℃ for 30 minutes to consider the effects of annealing temperature on the structural, electrical and optical properties of the films. For all depositions, the thicknesses of the GZO and Al films were kept constant at 95 and 5 nm, respectively, by controlling the deposition time. As-deposited GZO/Al bi-layered films showed a relatively low optical transmittance of 62%, while the films annealed at 300℃ showed a higher transmittance of 81%, compared to the other films. In addition, the electrical resistivity of the films was influenced by annealing temperature and the lowest resistivity of 9.8 × 10<SUP>?4</SUP> Ωcm was observed in the films annealed at 300℃. Due to the increased carrier mobility, 2.35 ㎠ V<SUP>?1</SUP>S<SUP>?1</SUP> of the films. From the experimental results, it can be concluded that increasing the annealing temperature enhanced the optical and electrical properties of the GZO/Al films.
Ag 완충박막 두께에 따른 IGZO/Ag 적층박막의 특성 변화
김소영 ( So Young Kim ),김선경 ( Sun Kyung Kim ),김승홍 ( Seung Hong Kim ),전재현 ( Jae Hyun Jeon ),공태경 ( Tae Kyung Gong ),최동혁 ( Dong Hyuk Choi ),손동일 ( Dong Il Son ),김대일 ( Dae Il Kim ) 한국열처리공학회 2014 熱處理工學會誌 Vol.27 No.5
IGZO/Ag bi-layered films were deposited on glass substrate at room temperature with radio frequencyand direct current magnetron sputtering, respectively to consider the effect of Ag buffer layer on the electrical,optical and structural properties. For all deposition, while the thickness of Ag buffer layer was varied as 10,15, and 20 nm, The thickness of IGZO films were kept at 100 nm, In a comparison of figure of merit, IGZO filmswith 15 nm thick Ag buffer layer show the higher figure of merit (1.1 × 10-2 Ω-1) than that of the IGZO single layerfilms (3.7 × 10-4 Ω-1). From the observed results, it is supposed that the IGZO 100 nm/Ag 15 nm bi-layered filmsmay be an alternative candidate for transparent electrode in a transparent thin film transistor device.
허성보 ( Sung Bo Heo ),김소영 ( So Young Kim ),김승홍 ( Seung Hong Kim ),김선경 ( Sun Kyung Kim ),김유섬 ( Yu Sung Kim ),김대일 ( Dae Ii Kim ) 한국열처리공학회 2013 熱處理工學會誌 Vol.26 No.2
Abstrart ITO thin films deposited on glass substrate with RF magnetron sputtenng were vacuum annealed at 100, 200 and 300°C for 30 minutes and then effect of annealing temperature on the structural, electrical and optical properties of ITO films were investigated. The structural properties are strongly related to annealing temperature. The annealed films above 100°C are grown as a hexagonal wurtzite phase and the largest grain size is observed in the films annealed at 300°C. The electrical resistivity also decreases as low as 4.65 x I 0 0cm with a increase in annealing temperature and ITO film annealed at 300°C shows the lowest sheet resistance of 43.6 01 fl. The optical transmittance in a visible wavelength region also depends on the annealing temperature. The films annealed at 300°C show higher transmittance of 80.6% than those of the films prepared in this study.
홍석형 ( Suk-hyung Hong ),김대원 ( Dea-won Kim ),박수민 ( Soo-min Park ),김승홍 ( Seung-hong Kim ),신용태 ( Yong-tae Shin ) 한국정보처리학회 2006 한국정보처리학회 학술대회논문집 Vol.13 No.2
컴퓨터 포렌식(Computer Forensics) 기술은 주로 컴퓨터에 내장된 디지털 자료를 근거로 그 컴퓨터를 매개체로 어떤 행위의 사실관계를 규명하고 증명하는 기법이다. 디지털 증거의 무결성을 제공하기 위해 해쉬 알고리즘이나 오류 검증 알고리즘을 변조탐지코드(MDC, Manipulation Detection Code)로 사용하기 때문에 해쉬 값과 체크섬 정보를 위·변조가 가능하다. 따라서 본 논문에서는 디지털 증거의 무결성을 유지할 수 있는 방법과 절차를 제안한다.