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      • KCI등재

        전기광학효과를 이용한 전계 프로브 센서

        경운환,김건덕,어윤성,이상신,Kyoung, Un-Hwan,Kim, Gun-Duk,Eo, Yun-Seong,Lee, Sang-Shin 한국광학회 2009 한국광학회지 Vol.20 No.2

        본 논문에서는 전기광학효과를 갖는 $LiNbO_3$ 및 GaAs 물질 기반의 전계 프로브 센서를 제안하고 구현하였다. 이 센서를 이용하여 RF 링 공진필터 소자로부터 방사되는 수평 및 수직방향 성분의 필드세기를 측정하였다. 구현된 $LiNbO_3$ 및 GaAs센서로부터 계산된 감도는 각각 $9.315{\mu}V/\sqrt{Hz}$와 $49.346{\mu}V/\sqrt{Hz}$였으며, 신호 대 잡음비는 ${\sim}50\;dB$와 ${\sim}40\;dB$였다. 그리고 각 센서의 주파수 응답특성은 ${\sim}1.2\;GHz$였다. 마지막으로 센서를 이용하여 테스트 회로의 근접 필드 분포를 측정하였으며, 이는 HFSS 시뮬레이션 결과와 잘 일치하였다. A compact electric field probe sensor incorporating two different electro-optic materials of $LiNbO_3$ and GaAs was proposed and fabricated, and it was used to measure the strength of the horizontal and vertical fields generated by a microstrip ring-resonator filter. The sensitivities of the sensors in $LiNbO_3$ and GaAs were $9.315{\mu}V/\sqrt{Hz}$ and ${\sim}49.346{\mu}V/\sqrt{Hz}$ respectively, and their signal to noise ratios were approximately ${\sim}50\;dB$ and ${\sim}40\;dB$ respectively. And the operating frequency range was up to ${\sim}1.2\;GHz$. The electric field profile for the test circuit was scanned and found to be in good agreement with that obtained by using the HFSS simulation.

      • KCI등재

        사사이드밴드 억압비가 향상된 링 공진기형 대역통과 필터

        경운환(Un-Hwan Kyoung),김건덕(Gun-Duk Kim),이상신(Sang-Shin Lee),어윤성(Yun-Seong Eo) 대한전자공학회 2008 電子工學會論文誌-TC (Telecommunications) Vol.45 No.6

        본 논문에서는 링 공진특성을 이용하여 사이드밴드 억압비가 향상된 링 공진기형 필터를 제안하고 구현하였다. 이 링 공진 특성은 직선 전송선로와 링 전송선로의 일부 결합효과로 인하여 발생되며, 이 결합효과는 신호의 전달특성에 중요한 영향을 미친다. 또한, 링의 반지름을 조절하여 가변적으로 채널 선택이 가능하다. 본 논문에서는 기존의 링 여파기 하단에 링 전송선로를 추가함으로써 대역통과 특성이 조절되는 링 공진 여파기를 구현할 수 있었다. 필터 소자측정 결과, 중심주파수가 약 4 ㎓에서 추가 삽입손실 없이 대역폭을 조절할 수 있었다. 출력된 대역통과 특성의 양쪽 사이드밴드에 나타난 미세한 잡음을 추가된 링을 통해 제거시킴으로써, 신호의 진폭억압비를 향상시킬 수 있었고, 필터 시스템의 성능을 결정하는 Qe는 82였으며, 기존 필터보다 105% 향상시킬 수 있었다. A ring resonator based band-pass filter enabling enhanced sideband suppression was proposed and demonstrated. It is composed of a single-ring based band-pass section combined with a band-rejection section based on two different coupled rings. The sideband region of the transfer characteristics of the first band-pass filter section was selectively suppressed by means of the band-rejection section without causing any excessive insertion loss. As a result, the overall transfer characteristics of the proposed filter was improved so that its sideband suppression was elevated to allow for sharper roll-off and narrower bandwidth. In this work, a conventional single-ring band-pass filter and a proposed filter including the band-rejection section were designed and fabricated. As for the achieved device performance, with the center frequency at about 4 ㎓, the sideband suppression ratio was increased as much as 8 ㏈ and the 3-㏈ bandwidth was reduced from 98 MHz to 48 ㎒ by about 51% with no remarkable excessive insertion loss as expected. And the quality factor of the device was increased by about 105%.

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