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LDD NMOSFET의 Metallurgical 게이트 채널길이 추출 방법
조명석,Jo, Myung-Suk 한국전기전자학회 1999 전기전자학회논문지 Vol.3 No.1
게이트 아래의 기판과 쏘오스/드레인의 접합부분 사이의 길이로 정의되는 LDD MOSFET의 metallurgical 채널 길이를 커패시턴스 측정을 이용하여 결정할 수 있는 방법을 제안하였다. 전체의 게이트 면적이 동일한 평판 모양과 손가락 모양의 LDD MOSFET 게이트 테스트 패턴의 커패시턴스를 측정하였다. 각 테스트 패턴의 쏘오스/드레인과 기판의 전압을 접지시키고 게이트의 전압을 변화시키면서 커페시턴스를 측정하였다. 두 테스트 패턴의 측정치의 차이를 그려서 최대점이 나타나는 점의 값를 간단한 수식에 대입하여 metallurgical 채널 길이를 구하였다. 이차원적 소자 시뮬레이터를 사용하여 수치해석적 모의 실험을 함으로써 제안한 방법을 증명하였다. A capacitance method to extract the metallurgical channel length of LDD MOSFET's, which is defined by the length between the metallurgical junction of substrate and source/drain under the gate, is presented. The gate capacitances of the finger type and plate type LDD MOSFET gate test patterns with same total gate area are measured. The gate bias of each pattern is changed, and the capacitances are measured with source, drain, and substrate bias grounded. The differences between two test pattern's capacitance data are plotted. The metallurgical channel length is extracted from the peak data at a maximum point using a simple formula. The numerical simulation using two-dimensional device simulator is performed to verify the proposed method.
자획 폭 변환에 기반한 도로표지 영상의 한글 텍스트 및 심볼 검출
박래정 ( Lae-jeong Park ),조명석 ( Myung-suk Jo ),윤준희 ( Junhee Yoon ),정규수 ( Kyu-soo Chong ) 한국정보처리학회 2013 한국정보처리학회 학술대회논문집 Vol.20 No.2
본 논문은, 도로표지 영상의 자동 획득, 관련 정보의 검출/인식 및 온라인 갱신 기능을 갖는 차세대 도로표지 관리시스템에 요구되는, 도로표지 영상으로부터 방향지시 정보과 국문지명을 검출하는 방법을 제안한다. 자획 폭 변환을 사용하여 비텍스트 정보를 구분하고, 한글 템플릿 매칭을 사용하여 국문지명의 영역을 검출한다. 제안한 방법은 실제 도로표지 영상에 대해서 98%의 방향지시 정보 검출율과 92%의 국문지명 검출율 성능을 보였다.
MOSFET 채널 영역의 농도 변화를 고려한 2차원적 모델
조명석 국립7개대학공동논문집간행위원회 2001 공업기술연구 Vol.1 No.-
The channel region of deep-sub-micrometer MOSFET is non uniformly doped with pocket implant. Therefore, 2-dimensional model is needed to account for the Short-Channel-Effect and Reverse-Short-Channel-Effect due to the non-uniform doping concentration in the channel region. In this paper, 2-dimensional scalable analytical model for threshold voltage is developed. The developed model is verified with MEDICI and TSUPREM simulator.