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유기 전자 소자의 봉지막 투습도 분석을 위한 Ytterbium Test
임영지 ( Young-ji Lim ),이재현 ( Jae-hyun Lee ) 한국공업화학회 2018 공업화학 Vol.29 No.4
본 논문에서는 유기전자소자에서 사용되는 수분 차단막의 투습도 분석을 위하여 ytterbium의 광학적 전기적 특성을 연구하였다. Ytterbium 박막은 다양한 성막 두께(20-100 nm)에 따라 넓은 범위의 광투과도(70-10%)와 비저항(6.0-0.16 mΩ·cm) 값을 나타내었다. 25 nm의 ytterbium 박막은 수분과 반응하여 산화되며 투과도와 저항이 실시간으로 변화하였고 이를 통해 parylene 고분자와 aluminum nitride 적층형 박막 봉지 필름을 분석한 결과 4.3 × 10<sup>-3</sup> g/㎡·day의 투습도를 측정할 수 있었다. In this paper, the optical and electrical properties of ytterbium films were studied for water vapor transmission rate (WVTR) analysis of encapsulation films used in organic electronic devices. Ytterbium thin films show a wide range of light transmittance (70-10%) and resistivity (6.0-0.16 mΩ·cm) depending on various film thicknesses (20-100 nm). The Yb thin films were oxidized with moisture and its transmittance and resistance changed in real time. As a result, the WVTR of parylene and aluminum nitride (AlN) laminated thin encapsulation film was measured to be 4.3 × 10<sup>-3</sup> g / ㎡·day with the 25 nm thick ytterbium thin film.
Island 표면구조의 P(VDF-TrFE) 몰드를 임프린트한 Spike 형태의 고투과성 외부광추출 필름
성백상(Baeksang Sung),조재혁(Jae-Hyeok Cho),임영지(Young-Ji Lim),Akpeko Gasonoo,이현아(Hyunah Lee),이장원(Jangwon Lee),우승완(Seungwan Woo),김동수(Dongsoo Kim),이재현(Jae-Hyun Lee),김민회(Min-Hoi Kim),이종희(Jonghee Lee) 한국전기전자학회 2021 전기전자학회논문지 Vol.25 No.2
본 연구에서는 열처리 후 Island 표면 구조를 가지는 고분자 Poly(vinylidenefluoride-co-trifluoroethylene) [P(VDF-TrFE)]를 사용하여 유기 발광 다이오드의 광추출 효율을 향상시키기 위한 방법을 제시하였다. Island 구조의 P(VDF-TrFE) 표면위에 임프린트한 polydimethylsiloxane (PDMS)는 Spike 구조를 띄고 이를 통해 전류 및 외부양자 효율을 약 20%을 향상시켰다. 제작된 필름은 8.2의 낮은 Haze특성을 보이며, 93.4% 우수한 투과도 특성으로 인해 Pixel blur 없이 광효율을 향상시킬 수 있음을 확인하였다. In this study, a method for improving the light extraction efficiency of organic light emitting diodes was presented using the polymer Poly(vinylidenefluoride-co-trifluoroethylene) [P(VDF-TrFE)] having an island surface structure after annealing. Polydimethylsiloxane (PDMS) imprinted on the island-structured P(VDF-TrFE) surface has a spike structure, which improves the external light extraction efficiency aroud 20%. It was confirmed that the produced film showed a low haze characteristic of 8.2, and the Current and external quantum efficiency could be improved without pixel blur due to the excellent transmittance of 93.4%.