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- 저자 : Woo-Young Ohm (검색결과 7 건)
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급속 열처리 방식에 의한 Ti-실리사이드의 상전이 및 형성에 관한 연구
엄우용,김민영,장호정,장지근 단국대학교 신소재기술연구소 1995 신소재 Vol.5 No.-
n-type Si (100) 웨이퍼를 precleaning하고 HF용액에 dip etching한 후 e-beam evaporator에서 두께 800Å의 Ti 박막을 성장시켰다. Ti/Si 박막의 rapid thermal annealing 과정에서는 열처리 온도, 시간 및 가스 분위기(Ar/N_2)를 변화시켜가며 TiSi_2 형성을 실험하였고, 열처리 시 정상온도까지를 computer programming에 의해 다단계 step 방식으로 승온시켰다. 열처리 후 4단자 탐침법(4-point probe method)으로 면저항(Rs)을 측정한 결과, 형성된 TiSi_2의 면저항 값은 RTA의 가스분위기에는 크게 의존하지 않으며 열처리 온도에 민감하게 변화하였다. RTA 온도에 따른 Ti-실리사이드의 면저항 값이 T=500℃ 부근에서 가장 크게 나타나고 T=700℃ 이상에서는 일정한 낮은 값(Rs≤1.2Ω/□, p=13∼16μΩ·cm)을 보였는데 이는 T≥700℃ 이상에서 C54의 안정된 TiSi_2 상이 형성된 결과이다. 또한, 시편을 N_2 분위기에서 500℃, 600℃, 700℃, 800℃의 온도로 20초간 열처리한 후 Ti-silicide 박막의 결정구조와 상전이를 X선 회절(X-ray diffraction, XRD) 분석한 결과, 500℃에서 20초간 RTA 열처리한 시료는 TiSi상과 불안정한 tiSi_2 초기상(C49)이 형성되었으며 열처리 온도가 700℃ 이상에서는 고온 안정상인 TiSi_2 상(C54)이 성장되었음을 보여주었다. C54의 TiSi_2에 대한 결정성장방향은 (040) 방향으로 배향(oriented) 성장하는 경향을 나타내었다, N_2 분위기로 600℃와 850℃의 온도에서 20초간 열처리한 실리사이드의 표면과 단면을 주사전자현미경(Scanning Electron Microscope, SEM)으로 관찰한 결과, 온도가 증가됨에 따라 TiSi_2의 결정입계 크기가 증가하였고, 약 800Å 두께의 as-deposited Ti 박막에 대한 TiSi_2/Si 시편은 850℃에서 20 sec간 열처리한 경우 약 1500Å의 실리사이드 두께를 보여주었다. The substrates, n-type (100) Si wafers with the resistivity of 1∼10 Ω·cm are subjected to standard cleaning procedures followed by a diluted HF solution (HF : H_2O=1 : 50) dip immediately prior to loading into e-beam chamber. Thin Ti films with the thickness of 800Å are deposited by e-beam evaporation with base pressure of 4×10^6 Torr. The samples are annealed over a range of temperatures (T=450∼850℃) in an atmosphere of N_2 and Ar with annealing times (t=5∼60 sec) in a RTA system. After selective etching of unreacted Ti in a solution of (NH_4OH : H_2O_2 :H_2O=1 : 1 : 5), the reacted Ti-silicides are characterized by in-line four point probe, x-ray diffraction(XRD), and scanning electron microscopy(SEM). the results of four point probe measurements show that sheet resistances of TiSi_2(C54) are not greatly affected by the RTA process variables such as annealing temperatures, times and gas ambinets. the deposited Ti films start to convert into Ti-silicide phases at the annealing temperature of about 450℃, showing sheet resistance of about 1Ω/□ between 750℃ and 850℃ for 20 sec. The annealed samples show the mixed phases of TiSi-TiSi_2(C49) at 500℃ and the (040) oriented growth of TiSi_2(C54) above 700℃. SEM micrographs exhibit that the thickness and resistivity of TiSi_2 annealed at 850℃ for 20 sec is 1500Å(about 2 times of Ti thickness) and 15 μΩ·cm.
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고주파 마그네트론 스퍼터링 방법에 의해 MgO(100) 기판위에 증착된 (Pb, La) TiO_3 박막의 제작과 특성연구
張志根,張鎬廷,金敏寧,嚴于鎔 단국대학교 1995 論文集 Vol.29 No.-
Pyroelectric (Pb, La) TiO_3 (PLT) thin films have been prepared on Pt coated MgO(100) substrate by RF magnetron sputtering method in an atmosphere of mixed gas of Ar and O_2. PLT file deposited at 580℃ showed perovskite single phase with prominent C-axis orientation perpendicular to the substrate surface. The full width at half maximum (FWHM) of the PLT film was 0.45 degree indicating good crystallinity. From the RHEED observation, the PLT film showed spotty pattern, indication a single crystal phase with rough film surface. The relative dielectric constant(ε_r) and dielectric loss(tanδ) of the perovskite PLT film deposited at 580℃ were 75 and 0.006 at 1kHz, respectively. From the hysterisis loop analysis using sawyer-tower circuit, the remanent polarization(P_r) and coercive field(E_c) were about 10μC/㎠ and 160kV/㎝, respectively.
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전영훈,엄형택,김성환,김상우,조혜제,김성숙 인제대학교 1985 仁濟醫學 Vol.6 No.3
A female baby was delivered at 36 weeks of gestation from 22 years-old mother, and expired 30 minutes after delivery. Single orbital cavity was situated in the middle of face containing one eyeball with two corneas. Tunnel shaped proboscis presented above single median eye. The atrophic brain was located ant. part of cranial cavity and posterior part was occupied with large cyst containing serous fluid. Two hemispheres were not divided, ventricle was single cavity. Other organ Showed no abnormality. Karyotype was mixoploid (25 normal female, 5 hypodiploid karyotype)
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유무선 원격제어장치를 이용한 LED 가로등 제어 시스템 구현
박성욱(Sung-Wook Park),엄우용(Woo-Young Ohm) 대한전자공학회 2014 전자공학회논문지 Vol.51 No.10
LED 조명 제어 기술은 LED 조명의 효율적인 관리를 위해 지속적으로 연구되는 분야 중의 하나이다. 본 논문에서는 LED 가로등을 원격으로 제어하기 위해 유무선 통신 기능을 가지는 LED 가로등 원격 제어 장치를 설계하고 구현한다. 구현된 원격 제어 장치는 조도 센서를 이용한 자동 디밍이 가능하고, RS-485/422나 Wi-Fi를 이용하여 LED 가로등을 개별(또는 통합) 제어가 가능하다. 실험을 통해 개발된 원격 제어 장치의 기능이 정상적으로 동작함을 확인하였다. LED lighting control technique is one of the ongoing research areas for efficient management of LED lighting. In this paper, we design and implementation of LED street lighting remote control system which have a wired and wireless communication function for LED street lighting remote control. The implemented system can automatically dimming and individual(or consolidated) LED street lighting via RS-485/422 or Wi-Fi. In experimental results, the implemented remote control system was satisfactory for all of the desired functions.
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뉴로-퍼지와 유전자 알고리즘의 시너지효과를 이용한 비선형 시스템의 모델링 연구
박성욱(Sung-Wook Park),박종욱(Jong-Wook Park),김동원(Dong-Won Kim),엄우용(Woo-Young Ohm),이종호(Chong-Ho Yi),안창환(Chang-Hwan Ahn) 한국정보기술학회 2013 한국정보기술학회논문지 Vol.11 No.1
In this study, an effective method for the non-linear system modeling using the synergy effect between neuro-fuzzy and genetic algorithms(GAs) is proposed. The GA is used for selecting significant input variables in building neuro-fuzzy System, ANFIS (Adaptive Neuro-Fuzzy Inference System), in order to effectively build nonlinear system models. For verification of validity, the proposed method is applied to Box-Jenkins furnace problem and the Mackey-Glass chaotic problem. The both experiment results are presented to demonstrate the effectiveness of the proposed method and the comparison with other methods.
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