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Wi, Jae-Hyung,Han, Won Seok,Lee, Woo-Jung,Cho, Dae-Hyung,Yu, Hye-Jung,Kim, Chae-Woong,Jeong, Chaehwan,Yun, Jae Ho,Kim, Chang-Il,Chung, Yong-Duck IEEE 2018 IEEE journal of photovoltaics Vol.8 No.3
<P>Thin-film multijunction solar cells are considered to be the most promising structure for next-generation photovoltaic devices. We fabricated CuGaSe<SUB>2</SUB> (CGS)/Cu(In,Ga)Se<SUB>2</SUB> (CIGS) monolithic tandem solar cells. The intermediate AZO film was used as a recombination layer between the top cell and the bottom cell, and its thickness was varied from 50 to 200 nm. The best tandem cell parameters with a 50 nm thick Al-doped ZnO (AZO) layer showed a <I>V</I><SUB>OC</SUB> = 1.03 V, <I>J</I><SUB>SC</SUB> = 10.24 mA/cm<SUP>2</SUP>, <I>FF</I> = 41.5%, and <I>efficiency</I> = 4.32%. We showed the <I>V</I><SUB>OC</SUB> of monolithic tandem cell to be over 1 V under illumination. We also observed the current continuity between the CGS cell and the CIGS cell which were connected in series as subcells. As the AZO thickness increased, the spectral response of the top cell decreased and the bottom cell was not completely saturated. The 50 nm thick AZO layer leads the CIGS bottom cell to be current-limiting, whereas the 200 nm thick AZO layer shifts the limitation to the CGS top cell. The results also showed that the In element diffusion into the CGS top absorber enhanced the electrical and optical properties of the top cell, whereas the Zn element diffusion into CIGS bottom absorber tended to degrade the bottom cell simultaneously.</P>
Lee, Wi Hyoung,Suk, Ji Won,Lee, Jongho,Hao, Yufeng,Park, Jaesung,Yang, Jae Won,Ha, Hyung-Wook,Murali, Shanthi,Chou, Harry,Akinwande, Deji,Kim, Kwang S.,Ruoff, Rodney S. American Chemical Society 2012 ACS NANO Vol.6 No.2
<P>Chemical doping can decrease sheet resistance of graphene while maintaining its high transparency. We report a new method to simultaneously transfer and dope chemical vapor deposition grown graphene onto a target substrate using a fluoropolymer as both the supporting and doping layer. Solvent was used to remove a significant fraction of the supporting fluoropolymer, but residual polymer remained that doped the graphene significantly. This contrasts with a more widely used supporting layer, polymethylmethacrylate, which does not induce significant doping during transfer. The fluoropolymer doping mechanism can be explained by the rearrangement of fluorine atoms on the graphene basal plane caused by either thermal annealing or soaking in solvent, which induces ordered dipole moments near the graphene surface. This simultaneous transfer and doping of the graphene with a fluoropolymer increases the carrier density significantly, and the resulting monolayer graphene film exhibits a sheet resistance of ∼320 Ω/sq. Finally, the method presented here was used to fabricate flexible and a transparent graphene electrode on a plastic substrate.</P><P><B>Graphic Abstract</B> <IMG SRC='http://pubs.acs.org/appl/literatum/publisher/achs/journals/content/ancac3/2012/ancac3.2012.6.issue-2/nn203998j/production/images/medium/nn-2011-03998j_0003.gif'></P><P><A href='http://pubs.acs.org/doi/suppl/10.1021/nn203998j'>ACS Electronic Supporting Info</A></P>
Significant association of metabolic syndrome with silent brain infarction in elderly people
Kwon, Hyung-Min,Kim, Beom Joon,Park, Jin-Ho,Ryu, Wi-Sun,Kim, Chi-Kyung,Lee, Su-Ho,Ko, Sang-Bae,Nam, Hyunwoo,Lee, Seung-Hoon,Lee, Yong-Seok,Yoon, Byung-Woo Springer-Verlag 2009 Journal of neurology: Zeitschrift für Neurolo Vol.256 No.11
양파의 겨울철 적산온도 상승이 생육 및 분구에 미치는 영향
이희주 ( Hee Ju Lee ),위승환 ( Seung Hwan Wi ),안세웅 ( Se Woong An ),장윤아 ( Yoon Ah Jang ),이진형 ( Jin Hyung Lee ),이희수 ( Hee Su Lee ),전희 ( Hee Chun ),이상규 ( Sang Gyu Lee ),김성겸 ( Sung Kyeom Kim ) 한국농업기계학회 2019 한국농업기계학회 학술발표논문집 Vol.24 No.1
양파(Allium sepa L.)는 전 세계적으로 소비량이 많은 작물로 국내 1인당 소비량도 25kg 이상으로 많고, 국내 재배면적(26,425ha, ’18년)도 증가 추세로 안정적 생산이 중요하다. 양파는 노지에서 재배되는데 보통 10월경에 정식하여 다음해 6월경에 수확하기 때문에 생산량은 겨울철 환경조건의 영향을 크게 받는다. 양파의 구비대가 원활하게 되기 위해서는 저온기간이 어느 정도 필요한데, 고온조건이 되면 여러 가지 생리장해 발생이 되는 것으로 알려져 있다. 특히 우리나라는 지난 100년 동안 다른 국가보다 평균온도 상승폭이 커서 기후변화시나리오 RCP 8.5 조건(2100년이 되면 현재보다 온도가 약 6.0°C 상승하고, 강수량이 20% 증가하며, CO2농도는 940μmol·mol-1)을 채택하여 대응책을 마련하고 있다. 따라서 본 실험은 양파 정식 후부터 외기조건과 외기보다 3.0°C, 6.0°C 고온이 되었을 때 양파의 생육과 분구 발생에 미치는 영향을 분석하고자 2018년과 2019년 2년간 비교분석하였다. 2018년과 2019년 재배기간(11.7~이듬해 3.20)의 적산 온도는 각각 248.8°C, 453.1°C로 2018년과 비교하여 2019년이 204.3°C가 높았으며, 일평균기온이 1.5°C 더 높았다. 그 결과, 외기조건에서 자란 양파는 온도가 높았던 2019년이 2018년보다 초장, 엽초경 및 엽수가 증가하는 것으로 나타났고, 외기온도보다 6°C 고온조건에서 자란 양파가 외기조건이나 외기보다 3°C 고온조건에서 자란 양파보다 큰 것으로 나타났다. 그러나 외기조건보다 3°C, 6°C 고온조건에서 자란 양파의 년도별 생육량에는 통계적인 유의성이 없었다. 양파의 분구율에 있어서는 차이를 보여 외기조건에서는 1.4% 발생하였으나, 외기+3°C는 5.1%, 외기+6°C조건에서는 24.1%로 온도가 상승함에 따라 분구 발생율이 크게 증가하였다. 따라서 양파 재배시 적산온도가 많았던 2019년에 외기조건에서 자란 양파가 2018년보다 초장과 엽초경이 증가하는 것으로 나타났지만, 외기조건 대비 3°C, 6°C 고온조건에서는 적산온도가 양파의 생육에 미치는 영향이 적은 것으로 나타났다. 그러나 양파의 분구 발생율에 있어서는 외기조건보다 6°C 고온조건에서 2018년 1% 미만이었으나 적산온도가 높았던 2019년에는 24.1%가 발생하여 적산온도의 증가가 분구발생에 큰 영향을 미치는 것으로 나타나 이에 대한 대응책이 필요하다.