다공질 실리콘 광검출 소자의 개발(Ⅱ)

신장규 경북대학교 센서기술연구소 1994 연차보고서 Vol.1994 No.-

본 연구에서는 먼저 SOS 구조의 다공질 실리콘 광검출 소자를 제조하였다. 측정결과 소자의 I-V 특성은 높은 직렬 저항과 측면방향의 양극반응으로 인한 다공질 층의 불균일성 등의 문제점이 나타났다. 이러한 문제점을 해결하기 위해 본 연구에서는 양극 반응에 의해 생성되는 다공질 실리콘을 이용한 수직구조의 n-ITO/p-PSL 이종접합형 광검출 소자를 제조하였다. 제조된 소자에 0∼300Lux의 백색광을 조사하여 I-V 특성을 구하였으며 광의 세기에 따라 선형적인 광전류의 변화를 관찰하였다. 소자들은 매우 낮은 온도에서도 상당히 큰 광응답도를 나타냈다. 또한 -4OV의 역방향 바이어스를 인가했을때도 매우 안정된 특성을 보였으며 매우 낮은 암전류를 보였다. 약 0.5V 이상의 순방향에서의 반대수 I-V 데이타로 부터 구한 이상계수는 2.7∼3 사이의 값이었다. 소자에 제논램프를 사용하여 400∼1100㎚ 파장의 광을 조사하여 600∼700㎚ 파장에서 약 0.6A/m의 최대광응답도를 나타내었다. 또한 약 5V의 순방향 바이어스에서 가시광방출이 일어남을 보았다. ITO층은 PSL층을 보호 하므로써 표면을 안정시킬 뿐 아니라 가시광 영역에서 90% 정도의 광 투과성을 가지므로 높은 효율의 광검출 소자를 제조할 수 있었다. SOS porous silicon photodetectors have been designed and fabricated. Ⅰ-Ⅴ characteristics of the device has also been measured. The characteristics was not as good as expected due to high series resistance and nonuniformity of lateral anodization. n-ITO/p-PSL heterojunction photodetectors with a vertical structure have been fabricated by using PSL(porous silicon layer) formation method. From Ⅰ-Ⅴ characteristics of fabricated devices with white light from 0 to 3000 Lux, it is found that the photocurrent vary linearly with incident light intensity. The devices show considerable photo responsivity even though the temperature is very low. The reverse characteristics of fabricated devices are very stable at a bias of -40V and show very small dark current. At biases greater than about 0.5V, the semilog Ⅰ-Ⅴ data indicates an ideality factor of 2.7∼38. When

n-ITO/p-PSL 이종 접합형 광검출 소자의 제조

r김항규,신장규,이종현,신용현,김현태 경북대학교 센서기술연구소 1994 센서技術學術大會論文集 Vol.5 No.1

Porous silicon photodetectors with a vertical n-ITO/p-PSL heterojunction structure have been fabricated. From I-V characteristics of fabricated devices with white light from 0 to 3000 Lux, we find that the photocurrent varies linearly with incident light intensity. The transparent ITO affords light emission through the top surface of the device, as well as providing passivation and hence long-tens stability.

국산 금속피막저항의 잡음특성

金將起,林聖奎 단국대학교 1984 論文集 Vol.18 No.-

The flicker noise of the domestic metal film resistor with R=500Ω was measured by the noise measurement system composed of the low noise preamplifier and spectrum analyzer in a shield room. The noise index NI of the domestic metal film resistor was about -14㏈.

고체 도펀트 원을 이용한 실리콘 p-n 확산 접합의 형성

金將起,林聖奎,張志根,金哲晙 단국대학교 1995 論文集 Vol.29 No.-

Diffusion processes of boron and phosphorus into Si were studied with solid planar dopant sources produced by Owens-Illinois company in the semiconductor laboratory of Dankook University. In the experiment, BoronPlus GS-126 and PhosPlus TP-360/TP-470 were used as dopant sources in the boron diffusion and in the phosphorus diffusion, respectively. Experimental results for sheet resistance and doping profile showed a little variables such as the distance between wafer and source, the temperature profile of furnace, the flow rate of carrier gas, etc. A p-n diode having the emitter area of 40 × 40㎛^2 was designed and fabricated for the purpose of the application of experimental data. The fabricated device showed a good electrical characteristics of V_T(turn-on voltage) = 0.7(V), BV(breakdown voltage) = 5.8(V), I_0(reverse saturation current) = 1.93 × 10 exp(-9)(A), and η(ideanlity factor) = 1.8.

GRAM 작업 관리용 확장형 실행환경 정보 서비스 시스템 설계

김완규,김현주,정미숙,장경일,박규석 진주산업대학교 산업과학기술연구소 2005 산업과학기술연구소보 Vol.- No.12

Grid computing is an emerging technology that promise to unify resources and computing power in many organizations together. It couples a wide variety of geographically distributed computational resources, and presents them as a unified integrated high-end computer. The Globus Resource Allocation and Management(GRAM) service provides for the management and remote execution of jobs defined using a standard Resource Specification Language(RSL) requested by client in grid environment. However, Currently the GRAM has very limited functionality to support for applications that required special execution environment. Here, we provide a proposal for Execution Environment Information interacted with broker to support the GRAM's special execution environment.

다공질 실리콘 광검출 소자의 개발(Ⅲ)

신장규 경북대학교 센서기술연구소 1995 연차보고서 Vol.1995 No.-

본 연구에서는 선택적인 다공질 실리콘 형성 기법을 이용하여 실리콘 질화막/ITO/PSL 구조의 다공질 실리콘 수광 다이오드를 제조하였다. 제조된 소자는 수광센서 회로의 응용을 위해 TO-5 형태로 패키징 하였다. 제조된 수광 다이오드의 광응답도는 800㎚ 파장 0.73A/W의 매우 높은 값을 나타내었으며 입사광량에 따른 선형 영역은 약 ㎽까지를 매우 우수한 특성을 나타내었다. 또한 -10V의 역방향 바이어스를 인가했을 때도 약 50㎁의 매우 낮은 암전류를 나타내었다. 실제 사용시의 가장 중요한 특성인 시간의 경과에 따른 소자 특성은 소자 제조 후 15주까지도 거의 변화가 없었다. 이러한 특성으로부터 다공질 실리콘 영역을 실리콘 질화막/ITO의 이중구조로 페시배이션함으로 해서 안정된 고효율의 수광 소자를 제조할 수 있었다. 제조된 소자의 순방향 바이어스에서의 I-V 특성은 일반적인 단결정 실리콘 쇼트키 다이오드와 달리 비정질 실리콘 p-i-n 다이오드와 유사한 특성을 나타내었다. 이러한 I-V 특성을 공간제한 전류로 해석함으로써 다공질 실리콘의 매우 높은 이상계수를 설명할 수 있었다. In this research, a porous silicon-based photodiode has been fabricated by selective anodization of Si wafer and deposition of ITO(Indium tin oxide), PECVD silicon nitride as at transparent electrode and as a passivation of the device, respectively. The fabricated photodiode shows a very high photo-responsivity of 0.73A/W at 800㎚ wave length and a fall time of about 14㎲ at 100Ω load resistance. This fabrication method could be adaptable to conventional IC fabrication process. In order to find out the electrical conduction mechanism in the photodiode, metal/porous silicon Schottky diodes have also been fabricated. Their Ⅰ-Ⅴ characteristics are similar to those of p-i-n diodes and amorphous silicon diodes, unlike those of conventional Schottky diodes.

응용을 위한 ISFET의 측정회로

유상대,신장규,이용현,이종현 慶北大學校 1983 論文集 Vol.36 No.-

The ion-sensitive field-effect transistor (ISFET) is one of the family of chemically sensitive semiconductor devices(CSSD) which has been the object of considerable research and development. This study describes the operation of an ISFET as an electronic device. The measurement circuit based on this operation theory is developed for an appropriate ISFET application.

자동차용 실리콘 가속도센서의 개발(Ⅱ)

이종현,신장규,이상룡,천희곤,조찬섭,심준환,류인식,박석홍,허정준,박기열 경북대학교 센서기술연구소 1994 연차보고서 Vol.1994 No.-

자동차의 air-bag 장치에 실용될 수 있는 압저항형 단결정 실리콘 가속도센서 칩을 개발하기 위하여 결정 실리콘 미세구조의 제조방법을 확립하고, 단위공정의 검증을 통하여 일괄공정에 의한 PROTO-TYPE 칩을 만드는 기술을 연구하였다. 단결정 실리콘 미세구조는 선택확산법을 이용하여 정확히 선택된 영역에만 air-gap을 형성하여 미세구조의 측면식각을 방지하는 선택확산법에 의한 실리콘 마이크로머시닝 기술로 제조하였다. 일괄공정을 위한 단위공정확립을 위하여 PROTY-TYPE 8빔 브릿지형 가속도 센서를 제조하였다. 제조된 칩의 가속도에 따른 출력전압은 선형성을 나타내고 있으며, 감도는 약 50 ㎶/V·g로 나타났다. 이 감도는 50G용 가속도센서의 사양을 만족하지 못했다. 이는 공정에 의한 문제라기 보다는 가속도센서의 시뮬레이션에 의해 설계한 구조가 이미 원하는 감도에 못 미친다는 것으로 생각된다. 따라서 2차 공정으로 제조될 가속도센서의 파라미터를 SuperSAP 유한요소 패키지를 이용하여 실리콘 미세구조부의 파라미터에 따른 특성을 시뮬레이션하였다. 설계된 50G용 가속도센서의 mass Pad의 반경 및 빔 길이, 빔 폭, 빔 두께, 그리고 mass의 각 파라미터 값은 700 ㎛, 120 ㎛, 5 ㎛, 1.0 ㎎ 이었다. 반도체 공정기술, 관성질량 제조법 및 선택확산을 이용한 마이크로머시닝을 사용하여 일괄공정으로 8빔 브린지형 가속도센서를 제조하였다. We researched the establishment of the silicon microstructure fabrication technique to develop a piezoresistive type silicon acceleration sensor chip and the technique to make a proto-type chip by the verification of the unit-process. Silicon microstructure is fabricated silicon micro-machining by selective diffusion method. This method prevent a side-etching of microstructure because selective diffused region is only formed an air-gap. We fabricated a proto-type 8-beam bridge-type acceleration sensor to establish the unit-process for the batch-process. The output voltage of the chip represented linearity with acceleration, and the sensitivity was about 50 ㎶/V·g. But this sensitivity dosen't satisfy the requirements of a practical acceleration sensor. The cause of this result is assumed not process problem, but the structure designed by simulation isn't suitable already. Threfore, the characteristics of parameters of the acceleration sensor that will be fabricated by 2nd-process is simulated by SuperSAP finite-element package. The determined parameter values of beam length, beam width, beam thickness, mass, and mass radius are 120 ㎛, 5 ㎛, 1.0 ㎎, and 700 ㎛, respectively. We fabricated 8-beam bridge-type acceleration sensor by batch-process using a semiconductor process technique, proof-mass fabrication method, and micromachinig using selective diffusion.

접합 트랜지스터의 접촉전위차 및 공간전하층의 폭 산출

鄭泰源,辛長奎 경북대학교 공과대학 1980 工大硏究誌 Vol.9 No.-

The contact potentials and the space charge layer widths in a junction transistor are evaluated from the values of sheet resistance and junction depth. The calculated values of the contact potentials and the space charge layer widths are compared with the experimental values obtained from capacitance measurements. Reasonable agreements are found between the calculated values and the experimental values.

유황처리된 InSb표면에 대한 AES 분석

이재곤,신장규,이정희,최시영 경북대학교 센서기술연구소 1995 센서技術學術大會論文集 Vol.6 No.1

The surfaces of (100) InSb were analyzed by Auger electron spectroscopy before and after sulfur treatment. The Auger spectrums for In_(2)O_(3), Sb_(2)O_(3), and elemental Sb were detected in the native oxide of InSb surface. After the sulfur treatment by ammonium sulfide((NH_(4))_(2)S_(x)), carbon content stays almost constant, but a great deal of the surface oxygen is replaced by sulfur, probably as a surface InSb-sulfide. For the case of the surfce which was sulfur treated during 2min at 25℃, carbon, oxygen and sulfur concentrations at surface were 11%, 6%, and 34%, respectively, and the In/Sb surface ratio was 1.0.