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- 저자 : 辛長奎 (검색결과 111 건)
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신장규,김채영 경북대학교 전자기술연구소 1981 電子技術硏究誌 Vol.2 No.1
Microwave integrated circuits have several advantages over conventional waveguide circuits in respect of their small size, low weight, high reliability, and reproducibility. In this paper, reflection coefficient of the linearly tapered microstip is studied and its variations along the transmission line are observed by TDR. The results can be applicable to the impedance matching between the mismatched microwave components.
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신장규 경북대학교 센서기술연구소 1993 연차보고서 Vol.1993 No.-
다공질 실리콘(porous silicon)의 가시광 방출이 1990년 Canham^1)에 의해 실험적으로 확인된 이래로 현재 이를 이용한 레이저 및 광검출 소자(photo detector)등의 광전(optoelectronic) 소자 개발에 많은 관심이 집중되고 있다 다공질 실리콘은 단결정 실리콘을 HF 수용액 속에서 양극반응 시킬 때 형성되며, 기공(pore)의 존재로 말미암아 그 표면적이 극히 넓기 때문에 단결정 실리콘에 비해 에너지 갭(energy gap)이 증가하고 양자선 효과(quantum wire effect)등 여러가지 특이한 성질을 나타낸다.^2-5) 또한 표면에서의 광흡수율이 높기 때문에 별도의 반사 방지막(anti-reflection coating)이 없어도 높은 효율을 가지는 광검출 소자 및 태양전지(solar cell)의 실현이 가능하다.^6-8) 본 연구에서는 광기전력형 광검출소자인 n^+-PSL/p-PSL/p-Si 수직형 소자와 광도전형 광검출 소자인 n^+-Si/n^+-PSL/n^+-Si 수평형 소자와 같은 2가지 종류의 다공질 실리콘 광검출소자를 설계, 제조하고 광특성을 측정하였다. 먼저 HF 농도 및 반응전류등 양극반응 조건을 조절하면서 제조된 소자의 특성을 측정하여 비교하였다. 또한 소자의 온도를 100K∼400K까지 변화시키면서 온도에 따른 소자의 특성변화를 관찰하였다. 아울러 입사광의 광량에 따른 소자의 특성변화를 측정하였다. Since visible light emision of porous silicon was experimentally demonstrated, great interests are concentrated on the developement of optoelectronic devices such as lasers and photodetectors. Porous silicon is formed when single crystal silicon is anodized in HF solution and its surface area is extremely broadened because of the presence of pore. Its energy gap is increased compared to that of single crystal silicon and it shows quantum wire effect. It is also possible to realize photodetectors and solar cells with high efficiency, even if anti-reflection coating is absent, because of the high photon absoption rate at the surface. In this research, we have designed and fabricated two types of porous silicon photodetector, n^+-PSL/p-PSL/p-Si vertical type device of photovoltaic photodetector and n^+-Si/n^+-PSL/n^+-Si lateral type device of photoconductive photodetector, and measured optical characteristics. First, with controlling anodization conditions like HF concentrations and reaction currents, we measured and compared characteristics of fabricated devices. We also observed variation of device characteristics with temperature from 100K to 400K. In addition, we measured variation of device characteristics with incident light intensity.
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신장규 경북대학교 센서기술연구소 1994 연차보고서 Vol.1994 No.-
본 연구에서는 먼저 SOS 구조의 다공질 실리콘 광검출 소자를 제조하였다. 측정결과 소자의 I-V 특성은 높은 직렬 저항과 측면방향의 양극반응으로 인한 다공질 층의 불균일성 등의 문제점이 나타났다. 이러한 문제점을 해결하기 위해 본 연구에서는 양극 반응에 의해 생성되는 다공질 실리콘을 이용한 수직구조의 n-ITO/p-PSL 이종접합형 광검출 소자를 제조하였다. 제조된 소자에 0∼300Lux의 백색광을 조사하여 I-V 특성을 구하였으며 광의 세기에 따라 선형적인 광전류의 변화를 관찰하였다. 소자들은 매우 낮은 온도에서도 상당히 큰 광응답도를 나타냈다. 또한 -4OV의 역방향 바이어스를 인가했을때도 매우 안정된 특성을 보였으며 매우 낮은 암전류를 보였다. 약 0.5V 이상의 순방향에서의 반대수 I-V 데이타로 부터 구한 이상계수는 2.7∼3 사이의 값이었다. 소자에 제논램프를 사용하여 400∼1100㎚ 파장의 광을 조사하여 600∼700㎚ 파장에서 약 0.6A/m의 최대광응답도를 나타내었다. 또한 약 5V의 순방향 바이어스에서 가시광방출이 일어남을 보았다. ITO층은 PSL층을 보호 하므로써 표면을 안정시킬 뿐 아니라 가시광 영역에서 90% 정도의 광 투과성을 가지므로 높은 효율의 광검출 소자를 제조할 수 있었다. SOS porous silicon photodetectors have been designed and fabricated. Ⅰ-Ⅴ characteristics of the device has also been measured. The characteristics was not as good as expected due to high series resistance and nonuniformity of lateral anodization. n-ITO/p-PSL heterojunction photodetectors with a vertical structure have been fabricated by using PSL(porous silicon layer) formation method. From Ⅰ-Ⅴ characteristics of fabricated devices with white light from 0 to 3000 Lux, it is found that the photocurrent vary linearly with incident light intensity. The devices show considerable photo responsivity even though the temperature is very low. The reverse characteristics of fabricated devices are very stable at a bias of -40V and show very small dark current. At biases greater than about 0.5V, the semilog Ⅰ-Ⅴ data indicates an ideality factor of 2.7∼38. When
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신장규 경북대학교 센서기술연구소 1995 연차보고서 Vol.1995 No.-
본 연구에서는 선택적인 다공질 실리콘 형성 기법을 이용하여 실리콘 질화막/ITO/PSL 구조의 다공질 실리콘 수광 다이오드를 제조하였다. 제조된 소자는 수광센서 회로의 응용을 위해 TO-5 형태로 패키징 하였다. 제조된 수광 다이오드의 광응답도는 800㎚ 파장 0.73A/W의 매우 높은 값을 나타내었으며 입사광량에 따른 선형 영역은 약 ㎽까지를 매우 우수한 특성을 나타내었다. 또한 -10V의 역방향 바이어스를 인가했을 때도 약 50㎁의 매우 낮은 암전류를 나타내었다. 실제 사용시의 가장 중요한 특성인 시간의 경과에 따른 소자 특성은 소자 제조 후 15주까지도 거의 변화가 없었다. 이러한 특성으로부터 다공질 실리콘 영역을 실리콘 질화막/ITO의 이중구조로 페시배이션함으로 해서 안정된 고효율의 수광 소자를 제조할 수 있었다. 제조된 소자의 순방향 바이어스에서의 I-V 특성은 일반적인 단결정 실리콘 쇼트키 다이오드와 달리 비정질 실리콘 p-i-n 다이오드와 유사한 특성을 나타내었다. 이러한 I-V 특성을 공간제한 전류로 해석함으로써 다공질 실리콘의 매우 높은 이상계수를 설명할 수 있었다. In this research, a porous silicon-based photodiode has been fabricated by selective anodization of Si wafer and deposition of ITO(Indium tin oxide), PECVD silicon nitride as at transparent electrode and as a passivation of the device, respectively. The fabricated photodiode shows a very high photo-responsivity of 0.73A/W at 800㎚ wave length and a fall time of about 14㎲ at 100Ω load resistance. This fabrication method could be adaptable to conventional IC fabrication process. In order to find out the electrical conduction mechanism in the photodiode, metal/porous silicon Schottky diodes have also been fabricated. Their Ⅰ-Ⅴ characteristics are similar to those of p-i-n diodes and amorphous silicon diodes, unlike those of conventional Schottky diodes.
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신장규 경북대학교 전자기술연구소 1984 電子技術硏究誌 Vol.5 No.1
A silicon gate NMOS gate array with 192 array cells and 26 I/O buffers has been designed and fabricated. As a practical application, a BCD ripple counter has been implemented using this gate array. Fabricated BCD ripple counter operates with a maximum clock pulse rate of 5 ㎒ and shows a power consumption of 100 ㎽.
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