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- 저자 : 유상대 (검색결과 83 건)
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柳相大 한국국제경제학회 2002 국제경제연구 Vol.8 No.1
우리나라 외환시장의 리스크 프리미엄은 자유변동환율제도의 도입과 외환자유화 확대에도 불구하고 양(+)의 수준을 지속하고 있어 외환시장의 효율성이 아직은 미흡한 수준인 것으로 나타났다. 이는 주로 우리나라 외환시장의 구조적 특성 등에 따른 것으로 판단된다. 또한 리스크 프리미엄에 대한 주요 변수와의 실증분석에서는 시장개입과 미국의 주가지수가 리스크 프리미엄에 통계적으로 유의한 영향을 미치는 것으로 파악되었다. 이러한 결과는 현재 우리나라의 외환시장에 큰 영향을 미치는 요인이 주로 주식시장을 중심으로 한 외국인의 포트폴리오 자금유출입이라는 사실을 반영하는 것으로 보인다. 기타 변수들의 리스크 프리미엄에 대한 영향력은 통계적으로 유의하지 않은 것으로 나타났다. 이에 따라 향후 우리나라 외환시장규모와 외국환중개회사의 업무기능 등의 확대 및 원화의 국제화 진전 등의 중장기적으로 추진되어 전반적으로 외환시장의 효율성을 제고해 나가는 노력이 필요할 것으로 판단된다. 한편 단기적으로는 급격한 포트폴리오 투자자금 유입, 달러화의 약세나 엔화와의 동조 등에 의한 대외충격으로 환율의 변동이 과도하게 발생하는 경우에는 적절한 시장개입을 통하여 잠재적인 시장위험과 이에 따른 리스트 프리미엄을 줄여나가는 제한적인 노력은 바람직할 것으로 보인다. This paper empirically analyzes the risk premium in the Korean foreign exchange market. The risk premium is consistently large, implying that the Korean FX market is still inefficient even after Korea shifted to a free floating exchange rate system and began opening the domestic market to foreign Investors in late 1997. In the model estimation from daily data, it Is found that the risk premium is significantly influenced by intervention and the stock prices. Other macroeconomic variables, suggested by a two country Inter-temporal asset pricing model, are not found to affect the risk premium.
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劉尙大 경북대학교 1985 論文集 Vol.40 No.-
The computer program for the numerical analysis of the MOS capacitance is developed. Poisson's equation is solved for given boundary condition using finite difference method (FDM) and Newton's method. Capacitance-Voltage (C-V) characteristics for one-dimensional MOS capacitors with arbitrary impurity profiles can be simulated.
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變動換率制度 導入 前後의 換率特性 分析 : 外換市場 效率性 및 技術的 分析을 中心으로
유상대 한국은행 2000 經濟分析 Vol.6 No.3
본 논문은 일별 환율데이터를 사용하여 변동환율제도 도입 전후의 환율 움직임의 시계열 특성을 비교하고 외환시장의 효율성이 어느 정도 제고되었는지를 살표보았다. 아직은 제한되어 있는 자료를 가지고 외환시장의 효율성을 실증적으로 검증하기 위하여 단순히 환율변화의 시계열이 자기상관을 가지는지 여부와 과거의 자료로부터 다양한 방법을 통하여 추세를 찾아내고 그 추세에 따라 거래하는 방법인 기술적 분석(technical ananlysis)을 환율자료에 적용하여 동 방법이 체계적으로 초과수익을 올릴 수 있는지 여부를 분석하였다. 분석결과 일별 환율변화는 평균과 극단치가 비교적 높은 빈도를 갖는 Leptokurtic 분포를 하는 것으로 나타났으며 변동환율제도 도입 이후 환율이 임의보행에 가까워진 것으로 확인되어 구조모형에서 일별 데이터 등 고빈도 자료를 이용할 경우 예측력이 떨어질 가능성이 있음을 보여주었다. 한편 외환시장의 효율성 측면에서는 변동환율제도 도입 이후에도 환율변화의 시계열 자기상관이 여전히 높고 유의하였으며 각종 기술적 분석을 통한 거래방법이 선진국에 비해 높은 수익률을 나타내 외환시장의 효율성은 크게 제고되지 않은 것으로 분석되었다. 이러한 결과는 변동환율제도 도입 이후 환율변동폭은 커졌지만 환율은 여전히 추세를 가지고 움직였다는 것을 나타내며 이는 환율이 전저(고)점으로부터 필터크기만큼 상승(하락)하는 시점을 매입(도) 시점으로 인지하는 기술적 분석인 필터룰(filter rule)의 필터크기에 따른 수익률에 의해 확인되었다.
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Small-Signal Analysis of a Differential Two-Stage Folded-Cascode CMOS Op Amp
유상대 대한전자공학회 2014 Journal of semiconductor technology and science Vol.14 No.6
Using a simplified high-frequency small-signal equivalent circuit model for BSIM3 MOSFET, the fully differential two-stage folded-cascode CMOS operational amplifier is analyzed to obtain its small-signal voltage transfer function. As a result, the expressions for dc gain, five zero frequencies, five pole frequencies, unity-gain frequency, and phase margin are derived for op amp design using design equations. Then the analysis result is verified through the comparison with Spice simulations of both a high speed op amp and a low power op amp designed for the 0.13 μm CMOS process.
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A Unified Channel Thermal Noise Model for Short Channel MOS Transistors
유상대 대한전자공학회 2013 Journal of semiconductor technology and science Vol.13 No.3
A unified channel thermal noise modelvalid in all operation regions is presented for shortchannel MOS transistors. It is based on smoothinterpolation between weak and strong inversionmodels and consistent physical model includingvelocity saturation, channel length modulation, andcarrier heating. From testing for noise benchmarkand comparing with published noise data, it is shownthat the proposed noise model could be useful insimulating the MOSFET channel thermal noise in alloperation regions.
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劉尙大 경북대학교 공과대학 1984 工大硏究誌 Vol.13 No.-
In this study ion implantation through any arbitrary mask structure for boron or phosphorus impurities can be simulated. The computer program for obtaining the two-dimensional impurity distribution and redistribution of impurity during annealing was developed. Also the final doping profiles are shown in three-dimensional surface plots.
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유상대,이건일,장종국 경북대학교 전자기술연구소 1988 電子技術硏究誌 Vol.9 No.1
Nondestructive measurement of bulk carrier generation lifetime and surface carrier generation velocity is discussed and experimentally determined. The technique is based on the measurement of transverse acoustoelectric voltage(TVA) generated by surface acoustic wave(SAW). The wafers have undergone different chemical etch removal, polish removal and forming gas annealing treatments. Measurement under the applied do bids voltage is performed in order to distinguish between the surface and bulk effects. The TAV amplitude and the transition time dependences on the applied do bias voltage also reveal the surface potential at zero bias and the approximate position of recombination center within the silicon bandgap, respectively.
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유상대 한국센서학회 2001 센서학회지 Vol.10 No.2
Using transmission-line equivalent circuit based on cross-field model for an interdigital acoustic wave transducer, an efficient simulation technique of SAW filters by SPICE is proposed. Propagation of surface acoustic wave is modeled as transmission line so that frequency-dependent circuit elements are not needed in the equivalent circuit of an interdigital transducer. Because the equivalent circuits for frequency-dependent circuit elements are not derived approximately, and a small number of circuit elements are used in the equivalent circuit for filters, simulation time is much reduced. The utility of the proposed technique is demonstrated through simulation for the characteristics of SAW filters such as insertion loss, input admittance, passband ripple, and harmonic frequency response.
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유상대,신장규,이용현,이종현 慶北大學校 1983 論文集 Vol.36 No.-
The ion-sensitive field-effect transistor (ISFET) is one of the family of chemically sensitive semiconductor devices(CSSD) which has been the object of considerable research and development. This study describes the operation of an ISFET as an electronic device. The measurement circuit based on this operation theory is developed for an appropriate ISFET application.
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