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Epitaxial CoSi<sub>2</sub> formation using an oxynitride buffer layer
Lee, Jaesang,Lee, Keunwoo,Kim, Dongock,Park, Taeyong,Kim, Honggyu,Jeon, Hyeongtag Cambridge University Press (Materials Research Soc 2009 Journal of materials research Vol.24 No.8
<P>We investigated the epitaxial growth of CoSi2 (100) on an Si (100) substrate using a modified oxide mediated epitaxy (OME) method to overcome the disadvantages of the OME method. These disadvantages are sensitivity of Co films to contamination by oxygen and the need for reiterating the film growth process to obtain thicker films. To solve these problems, nitrogen atoms were incorporated into chemically grown oxide (SiO<I>x</I>) by NH3 plasma treatment prior to the deposition of a Co film on the oxynitride buffer layer using the metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) method. Subsequently, ex situ rapid thermal annealing was performed to grow Co-silicide at a temperature between 400 °C and 700 °C for 1 min. The results show that the diffusion of Co was effectively controlled by the oxynitride buffer layer without the formation of additional SiO<I>x</I> in between Co and Si. Our findings indicate that by using an oxynitride buffer layer, CoSi2 films can be grown epitaxially despite the fact that the initial Co film was exposed to oxygen.</P>
교통 시뮬레이터와 차량 동역학 시뮬레이터 연동을 통한 차량 성능 평가용 확률적 시나리오 개발
이홍규(Honggyu Lee),유동연(Dongyeon Yu),황성호(Sung-Ho Hwang) 한국자동차공학회 2021 한국자동차공학회 부문종합 학술대회 Vol.2021 No.6
자율주행 또는 ADAS (Advanced Driving Assistance System) 기술들이 발전함에 따라 이를 평가하는 방법들의 필요성이 대두되고 있다. 위와 같은 기술을 평가하는 일반적인 방법으로는 실제 도로환경에서 주행 중에 발생할 수 있는 상황에 맞추어 주행실험을 하거나 제한적인 시나리오 안에서 차량을 반복 주행시키며 기술을 평가하는 것이 있다. 그러나 이러한 방법은 기술의 개발 뿐만 아니라 평가에도 많은 시간과 비용이 소요되기 때문에 이를 보완하기 위하여 차량 관련 시뮬레이터를 이용한 여러 연구들이 활발히 진행되고 있다. 본 연구에서는 오픈소스 기반의 교통 시뮬레이터인 SUMO (Simulation of Urban Mobility)를 통해 다양한 시나리오 상황을 설정할 수 있도록 개발한 후, SUMO와 차량 동역학 시뮬레이터인 CarMaker의 통합 인터페이스를 구축하여 시나리오에 따라 이동하는 목표 차량(Ego Vehicle)의 동역학적 특성을 얻어낼 수 있게 하였다. 차량 주행 시나리오 상황을 개발함에 있어서 다양한 이벤트들에 대해 발생 확률을 조절할 수 있도록 하였고, 이벤트들이 목표 차량 주변에서만 발생하도록 하여 차량 성능 평가에 더욱 집중하도록 하였다. 특수 발생 이벤트로는 비정상적인 끼어들기 (Cut-In) 상황 및 앞 차량의 급정거 상황으로 하였고, 일반 발생 이벤트로는 교통 시뮬레이터에 내장된 알고리즘 중 하나인 차량 주행 모드 변경(Lane Change Mode/Speed Mode)을 모든 차량에 임의로 발생하도록 하여 더욱 다양한 상황을 얻어낼 수 있도록 하였다. 이러한 확률적 시나리오 시뮬레이션의 결과로부터 발생 이벤트에 대한 통계적 수치를 얻어내고, 원하는 상황을 유도할 수 있도록 하여 더욱 다양한 상황에서의 차량 성능평가에 용이하도록 하였다.
ARM 리눅스 환경에서 ltrace 를 이용한 라이브러리 함수 호출 추적
김홍규(Honggyu Kim),김홍준(Hongjune Kim),이강웅(Bernhard Egger),이재진(Jaejin Lee) 한국정보과학회 2012 한국정보과학회 학술발표논문집 Vol.39 No.1A
리눅스 환경에서는 빠른 개발및디버깅을위한 다양한 시스템 도구들이 존재하는데 라이브러리 함수 호출을 추적할 수 있는 도구로는 ltrace가 널리 사용되고 있다. 현재 제공되는 ltrace에는 ARM 리눅스환경에 대한 지원이 있지만 커널내부의 기능 미구현으로 정확한 동작을 하지 않는 상태이다. 본 논문에서는 현재 ltrace 가 ARM 리눅스 환경에서 갖는 문제점을 제시하고, 이에 대한 방안을 ltrace 의 내부에 직접 구현하여 문제없이 실행 가능하도록 한다. 이를 통해 실제 ARM 리눅스 환경에서 Parsec 벤치마크의 7개 프로그램을 실행하고, 각 프로그램의 라이브러리 함수 호출을 추적하여 정상적으로 동작함을 보인다.
Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub> buffer in a ZnO thin film transistor with poly-4-vinylphenol dielectric
Bang, Seokhwan,Lee, Seungjun,Jeon, Sunyeol,Kwon, Semyung,Jeong, Wooho,Kim, Honggyu,Shin, Iksup,Chang, Ho Jung,Park, Hyung-ho,Jeon, Hyeongtag Institute of Physics 2009 Semiconductor science and technology Vol.24 No.2
<P>We compared the characteristics of bottom-gate ZnO-thin film transistors using poly-4-vinylphenol (PVP) and PVP/Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB> dielectrics. The PVP dielectric is more hydrophobic than the PVP/Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB> dielectric and is not useful for TFT devices because of its high leakage current density, but this leakage current density can be significantly reduced by inserting Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>. We deposited ZnO and Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB> films by atomic layer deposition (ALD) because it is a low-temperature process. The ZnO-TFTs with either a PVP or a PVP/Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB> dielectric exhibit typical field-effect transistor characteristics with n-channel properties. The ZnO-TFT containing PVP/Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB> exhibits clear pinch-off and excellent saturation with an enhanced mode operation. The on/off ratio of 7.9 × 10<SUP>4</SUP> for the device containing the hybrid dielectric is about three orders of magnitude higher than the ratio of 47 for the device containing PVP. The subthreshold gate swings are 12 V/decade for the TFT containing PVP and 1.2 V/decade for the TFT containing PVP/Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>. The density of the interface trap state is significantly lower in the device containing PVP/Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB> than in the ZnO-TFT containing PVP. The saturation mobility was 0.05 and 0.8 cm<SUP>2</SUP> V<SUP>−1</SUP> s<SUP>−1</SUP>, respectively, in the TFTs containing PVP and PVP/Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>.</P>