In-situ Demonstration of Engineered Barrier System (In-DEBS) for Characterization of Coupled THM Behavior in KURT

Geon Young Kim,Jae Owan Lee,Won-Jin Cho,Min-Hoon Baik 한국방사성폐기물학회 2019 방사성폐기물학회지 Vol.17 No.Special

선진핵주기고준위폐기물처분시스템(A-KRS, Advanced Korean Reference Repository System)을 기반으로 한 공학규모 공학적방벽시스템 열-수리-역학적 복합거동 현장시험(In-DEBS, In-situ Demonstration of Engineered Barrier System)은 2012년부터 기획되었다. 한국원자력연구원의 자체기술로 전체 시스템 구성요소를 설계하고 제작하여 2016년 5월 한국원자력 연구원의 지하처분연구시설(KURT, KAERI Underground Research Tunnel)에 설치하였다. 2016년 7월에 정상운영을 시작하여 현재까지 양질의 열-수리-역학 데이터를 생산하고 있다. 이 시험은 국내에서 최초로 설치하여 운영되는 고준위폐기물 심층처분시스템 공학규모 현장시험으로써, 대규모 공학적방벽 제작기술 개발 및 검증, 처분시스템 설치방법 개발 및 검증, 국내산 벤토나이트의 장기 열-수리-역학 거동 자료 확보, 공학적방벽 국내산 벤토나이트 완충재의 열-수리-역학(THM, thermal-hydro-mechanical) 복합거동특성 현장시험 및 THM 복합모델링 기술 검증, 공학적방벽 완충재 THM 특성 측정 및 모니터링 기술 개발 등을 통한 국내 고준위폐기물 심층처분시스템 공학적방벽의 성능검증 기술개발을 최종 목표로 하고 있다. KURT 기반 In-DEBS의 성공적인 설치와 운영을 통해 공학규모 공학적방벽의 제작 및 설치 기술을 확보할 수 있을 뿐 아니라 여기에서 생산되는 데이터를 이용하여 처분기술개발의 핵심 분야인 공학적방벽 THM 복합모델링 기술의 개발 및 검증 능력도 갖추게 될 것이다. 따라서 향후에 수행될 우리나라 고유의 실규모 처분시스템 실증기술 개발을 위한 귀중한 정보를 제공해 줄 것으로 기대된다. Engineering scale in-situ demonstration of engineered barrier system performance (In-DEBS) based on the advanced Korean reference repository system (A-KRS) was planned from 2012. The whole system was designed and manufactured by the Korea Atomic Energy Research Institute (KAERI) and installed in the KAERI Underground Research Tunnel (KURT) in May, 2016. Operation started in July, 2016 and quality thermal, hydro, and mechanical (THM) data have been produced. This is the first engineering scale in-situ test of a deep geological repository system performance for high level radioactive waste disposal in Korea. The main purpose of this test is the development of verification technology for engineered barrier system (EBS) performance of deep geological repository system by demonstration of manufacturing techniques for large scale disposal canisters and buffer, demonstration of installation of unit module of disposal system, acquisition of long-term THM behavior data around domestic bentonite EBS, validation of the modeling techniques for coupled THM behavior, and development and demonstration of monitoring techniques for major parameters in buffer. With the successful installation and operation of In-DEBS, we have secured demonstration and modeling techniques for coupled THM behavior of EBS using in-situ test data, which form the core of Research, Development, and Demonstration (RD&D) for High-level Radioactive Waste (HLW) disposal technology, as well as securing manufacturing and installation technology of engineering scale EBS. It is expected that the results of the In- DEBS test will provide important information for technology development of a future real scale experiments of Korean repository system.

The Clinical Characteristics of Late-Adolescent Onset Schizophrenia in Psychiatric Inpatients

Geon-Ho Bahn(반건호),Ah-Rang Cho(조아랑),Hyun-Chul Baik(백현철),Ki-Tae Kim(김기태),Doh-Joon Yoon(윤도준) 대한생물치료정신의학회 2001 생물치료정신의학 Vol.7 No.1

목적 : 후기 청소년기에 발병한 정신분열증 입원환자의 임상경과 및 특성을 찾아보고자 한다. 방법 : 1988년부터 1999년까지 경희대학부속병원 신경정신과에 입원한 후기청소년기 발병 정신분열증 환자 148명의 환자병록지를 검토하였다. 진단은 DSM-Ⅲ-R에 준하였다. 결과 : 1) 성별 : 남 : 여= 91명 : 57명(61.5% : 38.5%). 2) 사회경제 상태 : Ⅱ-6명(4.1%), Ⅲ-69명(46.6%), Ⅳ-64명(43.2%), Ⅴ-3명(2%). 3) 형제자매수 : 아버지 형제자매 4.8±2.0명, 어머니 형제자매 5.2±2.0명, 환자 형제자매 2.5±1.4명. 4) 병전성격 : 내향적 68.7%, 외향적 17.0%, 고지식 7.5%, 신경질적/참을성 없음 4.8%, 완벽추구 2.0%. 5) 발병양상 : 급성 48.6% 만성/지연형 51.4%. 6) 입원시 나이 : 218.0±21.6개월. 7) 발병시 나이 : 201.9±24.07개윌. 8) 주증상 : 망상 82.4%, 음성증상 70.9%, 환각 66.9%, 공격성/난폭함 43.2%. 9) 퇴원시 호전 정도 : 약간 호전 42.9%, 상당히 호전 36.1%, 변화 없음 21.1%. 10) 약물용량(chlorpromazine등가량) : 715.4±477.8㎎/日. 11) 치료방법 : chlorpromazine 86명, haloperidol 85명, thioridazine 23명, risperidone 13명, perphenazine 10명, pimozide 7명, clozapine 1명, ECT 3명. 12) 전체지능/언어성지능/동작성지능 : 90.76±16.73/94.12±16.75/87.34±17.29. 13) │VIQ-PIQ│≥15=44명/전체 91명(48%). 14) 환각증세는 지능저하에 영향을 미침(p<0.05). 결론 : 대상환자의 절반가량이 급성발병이었다. 공격성향과 난폭함이 주증상중의 하나였다. 지능검사상 VIQ와 PIQ의 차이가 유의미한 것은 이들 환자에서 뇌기능장애를 시사하는 소견이 될 수 있다. 정신병리 중 환각이 있는 군이 없는 군에 비해 유일하게 지능저하를 보였다.

Introduction of the IAEA URF Network and Role of the KAERI

Geon Young Kim,Kyungsu Kim,Min-Hoon Baik,Young-Chul Choi 한국방사성폐기물학회 2018 한국방사성폐기물학회 학술논문요약집 Vol.2018 No.05

전하 트랩 플래시 메모리 셀의 프로그램 특성 모델: 전기장 의존 전하 센트로이드

김건웅(Geon-Woong Kim),백승재(Seung Jae Baik) 대한전자공학회 2020 대한전자공학회 학술대회 Vol.2020 No.8

전하 트랩 플래시 셀의 프로그램/이레이즈 모델링 및 응용

김건웅(Geon Woong Kim),백승재(Seung Jae Baik) 대한전자공학회 2021 대한전자공학회 학술대회 Vol.2021 No.6

We present a modeling of program/erase characteristics in charge trap flash memory cells, and simulate program/erase characteristics of charge trap flash cells. The presented model is based on the product of mobility and lifetime that represent drift transport in charge trap dielectric. Charge detrapping is assumed to follow Poole-Frenkel formalism, which introduced trap energy extraction from erase characteristics.

한국원자력연구원 지하처분연구시설(KURT) 현황 및 역할

김건영(Geon Young Kim),김경수(Kyungsu Kim),조원진(Won-Jin Cho),백민훈(Min-Hoon Baik) 대한지질학회 2017 대한지질학회 학술대회 Vol.2017 No.10

밴드 엔지니어링을 통해 터널링 전류의 온/오프 비율을 최대화하는 방법에 관한 연구

김건웅(Geon-Woong Kim),백승재(Seung Jae Baik) 대한전자공학회 2019 대한전자공학회 학술대회 Vol.2019 No.11

Tunneling probabilities and tunneling currents with various energy band profiles are calculated. which gives a concept design for device scaling of charge trap flash (CTF). We have assumed five different energy band profiles based on compositional variations of SiO₂ and Si₃N₄ that is most favorable material combination as a tunneling dielectric in flash memories. As a result, we found that monotonic compositional grading with SiO₂ on the channel side gives the largest on/off ratio in tunneling current, in other words, the fastest program/erase operation with longest charge retention can be realized using that band profiling on the tunnel layer of CTF.

OTS 선택 소자가 있는 상변화 메모리의 컴팩트 모델을 활용한 회로 시뮬레이션

심건호(Geon-Ho Sim),백승재(Seung-Jae Baik) 대한전자공학회 2021 대한전자공학회 학술대회 Vol.2021 No.6

A compact model was proposed for circuit simulation of a Phase Change Memory (PCM) with an Ovonic Threshold Switch (OTS) selector. The OTS model is controlled by shallow and deep traps. [1] The PCM model is controlled by temperature, melting, crystallization, and resistance modules. [2] In this paper, a circuit simulation was performed in a cell with a crossbar array structure using this model.

The Clinical Characteristics of Late-Adolescent Onset Schizophrenia in Psychiatric Inpatients

Bahn, Geon-Ho,Cho, Ah-Rang,Baik, Hyun-Chul,Kim, Ki-Tae,Yoon, Doh-Joon 대한생물치료정신의학회 2001 생물치료정신의학 Vol.7 No.1

목 적 : 후기 청소년기에 발병한 정신분열증 입원환자의 임상경과 및 특성을 찾아보고자 한다. 방 법 : 1988년부터 1999년까지 경희대학부속병원 신경정신과에 입원한 후기청소년기 발병 정신분열증 환자 148명의 환자병록지를 검토하였다. 진단은 DSM-III-R에 준하였다. 결 과 : 1) 성별 : 남 : 여= 91명 : 57명 (61.5% : 38.5%). 2) 사회경제 상태 : II-6명(4.1%), III-69명(46.6%), IV-64명(43.2%), V-3명(2%). 3) 형제자매수 : 아버지 형제자매 4.8±2.0명, 어머니 형제자매 5.2±2.0명, 환자 형제자매 2.5±1.4명. 4) 병전성격 : 내향적 68.7%, 외향적 17.0%, 고지식 7.5%, 신경질적/참을성 없음 4.8%, 완벽추구 2.0%. 5) 발병양상 : 급성 48.6% 만성/지연형 51.4%. 6) 입원시 나이 : 218.0±21.6개월. 7) 발병시 나이 : 201.9±24.0개월. 8) 주증상 : 망상 82.4%, 음성증상 70.9%, 환각 66.9%, 공격성/난폭함 43.2%. 9) 퇴원시 호전 정도 : 약간 호전 42.9%, 상당히 호전 36.1%, 변화 없음 21.1%. 10) 약물용량(chlorpromazine등가량) : 715.4 ±477.8mg/日. 11) 치료방법 : chlorpromazine 86명, haloperidol 85명, thioridazine 23명, risperidone 13명, perphenazine 10명, pimozide 7명, clozapine 1명, ECT 3명. 12) 전체지능/언어성지능/동작성지능 : 90.76±16.73/94.12±16.75/87.34±17.29. 13) |VIQ-PIQ|≥15 =44명/전체 91명 (48%) 14) 환각증세는 지능저하에 영향을 미침(p<0.05) 결 론 : 대상환자의 절반가량이 급성발병이었다. 공격성향과 난폭함이 주증상중의 하나였다. 지능검사상 VIQ와 PIQ의 차이가 유의미한 것은 이들 환자에서 뇌기능장애를 시사하는 소견이 될 수 있다. 정신병리 중 환각이 있는 군이 없는 군에 비해 유일하게 지능저하를 보였다.

전하 트랩 플래시 셀의 이레이즈 모델링 및 응용

김건웅(Geon Woong Kim),백승재(Seung Jae Baik) 대한전자공학회 2022 전자공학회논문지 Vol.59 No.1

낸드 플래시 용량 증가를 위해 적층 기술 개발뿐만 아니라 단위 메모리 셀인 전하 트랩 플래시(CTF: Charge Trap Flash)의 스케일링 기술 개발이 필요하다. 전하 트랩 플래시의 스케일링 방향은 고유전율 유전 박막 등의 신소재 개발로 이루어질 것으로 보이며, 이 연구에서는 고유전율 박막을 적용한 전하 트랩 플래시 셀의 이레이즈 동작 시뮬레이션 모델을 제시한다. 본 모델은 평균 트랩 거리, 드리프트 속도, 캐리어 수명을 사용하여 트랩 층에 주입된 전하들의 이동을 직관적으로 이해하기 쉽게 나타낸 모델이다. CTF 커패시터 소자들에서의 시뮬레이션 결과를 실험 측정값과 비교하여 트랩 층의 주요 파라미터인 트랩에너지를 추출할 수 있다. 시뮬레이션 결과의 해석으로부터 얻은 트랩 층의 전자/정공 트랩 에너지는 각각 Si₃N₄(1.42, 0.93 eV), 비정질 HfO₂(1.00, 1.13 eV), 다결정질 HfO₂(1.10, 1.14 eV)이다. For scaling of NAND flash, it is necessary to develop not only stacking technology but also scaling technology for charge trap flash (CTF), which is a unit memory cell. The scaling direction of the charge trap flash is expected to consist of the development of new materials such as high-k dielectric films, and in this study, presents a simulation model of the erase operation of a charge trap flash cell to which a high-k thin film is applied. This model uses the average trap distance, drift velocity, and carrier lifetime to intuitively and easily understand the movement of charges injected into the trap layer. The trap energy, which is a major parameter of the trap layer, can be extracted by comparing the simulation results and experimental measurements in the CTF capacitor devices. The electron/hole trap energies of the trap layer obtained from the analysis of the simulation results were Si₃N₄(1.42, 0.93 eV), HfO₂_amorphous(1.00, 1.13 eV), HfO₂_polycrystalline(1.10, 1.14 eV), respectively.