K이 흡착된 Si(111)7×7표면에 대한 RHEED 연구

박종윤,이순보,이경원,안기석,신익조,강건아 성균관대학교 1990 論文集 Vol.41 No.2

상온 및 200℃∼600℃의 Si(111) 7×7 표면에 칼륨(K)을 증착하였을 때의 표면격자구조 변화를 RHEED로 관측하였다. K 증착시 Si(111)7×7 기판의 온도가 상온인 경우, 어느 일정한 증착시간(포화덮임률에 도달했다고 추정되는 증착시간)이 지난 후에는 원래의 깨끗한 Si(111)7×7 패턴과 유사한 Si(111) 7×7-K 패턴이 관측되었고, 증착시간을 증가시켜도 RHEED 패턴은 변화하지 않았다. 이것을 annealing하면 350℃까지는 RHEED 패턴에 변화가 없다가 그 이상의 온도가 되면 서서히 원래의 7×7 패턴으로 되돌아가기 시작한다. Si(111) 7×7기판의 온도를 200℃∼600℃로 유지하면서 K을 일정시간(450℃에서 3×1이 형성되는 증착시간)이상 증착시킨 경우에 250℃까지는 상온의 경우와 비슷한 형태의 변형된 7×7 패턴이 관측되고, 300℃∼550℃일때는 3×1, 550℃ 이상에서는 1×1 구조가 관측되었다. 이때 300℃∼550℃에서 형성된 Si(111) 3×1-K 구조는 450℃에서 1분 정도 annealing 하면 항상 Si(111) 1×1-K 구조로 상전이가 일어남을 관측하였다. Potassium adsorbed surface structures of Si(111) 7×7 surface at room and high temperatures(200℃∼600℃) were investigated by RHEED. Potassium adsorption on the Si(111) 7×7 surface to saturated coverage at room temperature changed the RHEED pattern of Si(111) 7×7 to Si(111) 7×7-K. Subsequent heating of the Si(111) 7×7-K surface above 350℃ results in a Si(111) 7×7 with desorbing K. The RHEED pattern of the K-adsorbed on the Si(111) 7×7 surface up to the adsorption temperature of 250℃ was the modified 7×7 pattern, quite similar to that of the Si(111) 7×7-K, observed at room temperature. The 3×1 structure was observed in the temperature of adsorption between 300℃ and 550℃. Regardless of the adsorption temperature, a phase transition always took place from the Si(111) 3×1-K structure to Si(111) 1×1-K after annealing at 450℃ over 1 minute.

Mo-실리사이드 형성 메카니즘에 관한 연구 : Ⅱ. 表面 Morphology와 電氣的 特性 Ⅱ. Surface Morphologies and Electrical Properties

박종윤,한전건,이상균,김기선 성균관대학교 기초과학연구소 1992 論文集 Vol.43 No.2

Mo-disilicide 박막은 n-Si(100) 기판위에 전자선 증착과 이어지는 진공 또는 질소 분위기에서 급속 열처리(RTA : Rapid Thermal Annealing) 장치에 의한 열적 확산(thermal diffusion)법에 의해서 만들어졌다. 이들 박막의 화학적 조성과 morphology는 XRD, AED(ADP), TEM, NOM에 의해서 분리되어졌다. Mo/Si계의 안정된 최종상은 tetragonal-MoSi₂였고, 표면 morphology와 grain size는 상호 의존하며 열처리 온도에 따하서 크기가 증가되었다. 상온에서 증착한 박막에서는 계면에서 얇은 SiO_2 층이 보였고 이 층의 존재로 Si의 확산이 억제됨을 확인하였으며, 기판온도를 400℃로 유지하며 pre-annealing을 120분 동안 부여한 시료에서는 Mo-silicide가 columnar 구조로 성장됨이 보였다. 그리고, 전기적 특성은 sheet 저항과 Schotty 장벽높이가 조사되었는데, 열처리 온도 증가에 따라 감소하는 sheet저항은 grain size에 의존하며, 최저치는 700℃에서 1분 동안 열처리 한 시료의 값인 2.1Ω/□으로 열처리 온도 증가에 대해 더 이상 변화하지 않는 최종적인 값이다. 그러나 Schotty barrier height는 0.56eV로 열처리 온도, 분위기에 따라 변화하지 않으며 hexagonal-과 tetragonal-MoSi₂둘 모두에서 같았다. Molybdenum disilicide films have been prepared onto n-Si(100) substrates with electron-beam deposition and sequently post-annealing by rapid thermal annealing in the ambient of N₂ or vacuum. The chemical compositions and morphology of films were analyzed by XRD, ADP, TEM, and NOM methods. We confirm that the stable phase of Mo/Si system is tetragonal-MoSi₂ phase, and the surface morphology and grain size were depended upon the annealing temperature. There are SiO₂ layers at the interface of MoSi₂ film evaporated at room temperature and the thermal diffusion of Si was interrupted by the layers. However, the thin films with the substrate temperature of 400℃ have growned to the MoSi₂ with columnar structure. We measured the electrical properties, the sheet resistance and Schottky barrier height, of MoSi₂ thin films. The sheet resistance was depended upon the grain size and the smallest value was 2.1Ω/□ at room temperature after annealing at 700℃ for 1 min. The Schottky barrier height was independed upon the annealing temperature and ambient, and was about 0.56eV for hexagonal- and tetragonal-MoSi₂.

충격관내에서의 n-핵산-산소 혼합물의 점화지연에 관한 연구

박종회,최기영,윤석승,최성락 충남대학교 자연과학연구소 1984 忠南科學硏究誌 Vol.11 No.1

The ignition delay of n-hexane-oxygen mixture in a shock tube has been theoretically calculated adapting the ignition reaction model of the H_2-O_2 fuel system at pre-ignition step. It has been presumed that the reaction model for the oxidation of n-butane, which was proposed previously, would be safely applied for the oxidation of n-hexane.

Cs이 흡착된 Si(111)7×7표면에 대한 RHEED연구

박종윤,이순보,이경원,안기석,강건아 성균관대학교 1991 論文集 Vol.42 No.1

Cesium-adsorbed surface structures on Si(111)7×7 were investigated at room and high temperatures(200∼700℃) by RHEED. The RHEED patterns of Si(111) 7×7 was changed to the modified 7×7 and the 1×1 patterns with increasing the deposition times of Cs at RT. It was observed that the structure of the Cs-adsorbed Si (111) 7×7 surface at saturation coverage is the 1×1 structure at RT. The ◁그림삽입▷(원문을 참조하세요) 1 and 1×1 structures appeared successively at the adsorption temperature of 300℃, 350∼400℃ and 450℃, respectively. After subsequent heating of 1×1 surface above 550℃ and of ◁그림삽입▷(원문을 참조하세요) surface above 600℃, each RHEED pattern gradually returned to the original Si(111)7×7 pattern. 상온 및 200∼700℃의 Si(111)7×7 표면에 Cs(Cesium)을 증착하였을 때 표면격자구조의 변화를 RHEED로 관측하였다. Cs 증착시 Si(111)7×7 기판의 온도가 상온인 경우, 포화 덮임률에 도달했다고 추정되는 일정 증착시간 전에는 원래의 깨끗한 Si(111)7×7 패턴과 거의 유사한 변형된(modified) Si(111)7×7-Cs 패턴이 관측되었다. 그후 포화 덮임률에서는 1×1패턴이 관측되고 증착량을 증가시켜도 패턴의 변화는 관측되지 않았다. 이 구조를 다시 annealing시키면 약 550℃부터 서서히 원래의 7×7구조로 되돌아가기 시작한다. Si(111)7×7기판의 온도를 220∼700℃로 유지하면서 Cs을 증착시킨 경우에 약 250℃까지는 상온에서와 비슷한 변형된(modified) 7×7이 관측되고 약 300℃에서는 ◁그림삽입▷(원문을 참조하세요) 350∼400℃ 정도에서는 ◁그림삽입▷(원문을 참조하세요)과 3×1이 겹쳐셔 관측되었다. 그리고 450℃ 이상에서는 1×1구조가 관측되었다. 이때 약 300℃에서 형성된 ◁그림삽입▷(원문을 참조하세요) 350℃에서 형성된 ◁그림삽입▷(원문을 참조하세요) 3+3×1 구조는 약 500℃ 정도까지 다시 annealing함에 따라 다리 1×1구조로 상전이가 일어난후, 약 600℃부터 원래의 7×7의 초격자점들이 나타나기 시작했다. 이들 결과로부터 Si(111)7×7 표면에 Cs을 증착하는 경우에는 일정한 포화 덮임률(saturation coverage)이 있는 것으로 추정되고, 이 덮임률에서 관측된 고온에서의 상전이는 증착량(증착시간)에는 무관하고 온도에만 의존함을 알 수 있었다. 또한 1×1 구조와 ◁그림삽입▷(원문을 참조하세요) 구조에 대하여 Cs의 탈착은 각각 약 550℃와 600℃에서 일어나기 시작하여 700℃에서 완전히 탈착됨을 알 수 있었다.

이온 펌프의 제작과 특성에 관한 연구

박종윤,이순보,부진효,신익조 성균관대학교 기초과학연구소 1990 論文集 Vol.41 No.1

By using theoretical model suggested by H. Hartwig et al., performance of sputter ion pump (SIP) was calculated and a SIP was constructed. Measurement of pumping speed of the SIP has been performed with the differential pumping method. The pumping speed for N_2 gas is 48 l/s, and for Ar gas is 20 l/s. These results agree with the theoreticaly expected values.

고출력 LED의 접합온도 측정회로 설계 및 구현

박종연,유진완 江原大學校 産業技術硏究所 2010 産業技術硏究 Vol.30 No.A

Recently, the LED lighting is widely used to illumination purpose due to its high luminous efficiency and the long life time. However, the light power and lifetime is reduced by junction temperature increment of LED. So it is important to measure the junction temperature accurately. In this paper, we proposed a new design and implementation method of high power LED junction temperature measurement circuit. The proposed circuit has two current sources which are a driving current source and a measurement is verified by experiment, and the result shows that the proposed circuit is appropriate to practical use.

3극관형 진공게이지 제작 및 최적조건 결정

박래준,배정운,박종윤 성균관대학교 기초과학연구소 1996 論文集 Vol.47 No.2

B-A type hot cathode ionization gauge to measure the UHV(Ultra High Vacuum) was generally used in these days. Whereas, HV(High Vacuum) is still major pressure region in the application of vacuum to the industry. Conventional triode gauge(CTG) is used mainly for measurement in HV region, thus we constructed the modified triode gauge(MTG). In order to find the optimum condition of MTG. We measured I_e vs U_c, I_e vs U_g and U_c, I_e vs U_g and P, I_i vs U_g and P as well as I_i vs P because I_i is depend on pressure(P), filament potential(U_c), grid potential(U_g), filament heating power(Hp), and emission current(I_e). The good linearity of I_i P curve is obtained from ∼10^-6 to ∼10^-4 torr at 5A heating current, 200V grid potential, 40V filament potential and below ∼10^-7 torn at 4.6A.

좌심실 수축기 기능장애를 동반한 양수색전증 1예

박대균,홍경순,두영철,한규록,오동진,유규형,임종윤,고영박,이광학,이영,송원근,김현태 대한순환기학회 1999 Korean Circulation Journal Vol.29 No.8

RBa_2 Cu_3 O_9-x계 화합물의 초전도 성질 : R=Y, Ho, Dy, Gd, Sm, Nd, Er, Yb R=Y, Ho, Dy, Gd, Sm, Nd, Er, Yb

박종윤,이덕원,이상근 성균관대학교 기초과학연구소 1988 論文集 Vol.39 No.1

RBa_2Cu_3O_9-x(R=Y, Ho, Dy, Gd, Sm, Nd, Er, Yb) 산화물은 고상 반응법으로 준비되었으며 90K 근처에서 초전도 천이를 보였다. RBa_2Cu_3O_9-x(R=Y, Ho, Dy)의 결정구조는 XRD로 조사하였으며, 단일상의 orthorhombic tripled perovskite 구조임을 확인했다. RBa_2Cu_3O_9-x(R=Y, Ho, Dy, Gd, Sm)의 조성은 SEM(EDX) 뿐만 아니라 적정 및 중량분석, ICP를 이용하여 비교 조사하였다. RBa_2Cu_3O_9-x oxide compounds(R=Y, Ho, Dy, Gd,Sm, Nd, Er, Yb) were prepared by soild-state reaction and showed superconducting transitions near 90K. Crystal structure of RBa_2Cu_3O_9-x(R=Y, Ho, Dy) was examined by XRD and identified a single phase, orthorhombic, tripled perovskite structure. Chemical composition of RBa_2Cu_3O_9-x(R=Y, Ho, Dy, Gd, Sm) was examined by use of SEM (EDX), titrimetry & gravimetry, and ICP.

EXAFS 법에 의한 Cu_2S 의 원자구조에 관한 연구

박종윤,박준서,이덕원 성균관대학교 기초과학연구소 1989 論文集 Vol.40 No.2

P-형 반도체인 Cu_2S 결정을 두 개의 온도상에 대해 K-흡수 스펙트럼을 수백 eV까지 확장시켜 EXAFS(Extended X-ray Absorption Fine Structure)를 측정하였다. γ-Cu_2S (110℃이하)와 β-Cu_2S(110℃∼470℃)의 구조는 각각 사방정계 구조와 육방정계 구조이다. 분석 방법으로는B.K. Teo, P.A. Lee가 계산한 배면산란 진폭(Backscattering Amplitude), 배면산란으로 인한 위상변위(Backscattering Phase Shift), 중심원자에 의한 위상 변위값(Central Atom Phase Shift)를 이용한 curve fitting method를 사용하였으며, γ-Cu_2S와 β-Cu_2S의 최인접 원자간 거리 (bond-length)는 각각 2.34Å와 2.31Å이었다. 본 실험결과에 따르면 Cu_2S가 상전위(phase transition)함에 따라 최인접 원자간 거리가 변화하지 않는 대부분의 금속이나 반도체와 달리 Cu_2S의 최인접 원자간 거리가 상전위에 따라 변화하였다. The EXAFS cf γ-Cu_2S and β-Cu_2S was measured at the Cu K-absorption edge. The EXAFS was analyzed with curve-fitting method by using backscattering amplitude, backscattering phase shift, and central atom phase shift, which was calculated by B.K. Teo and P.A. Lee. It turned out that the nearest-neighbor-distances(Cu-S) of γ-Cu_2S and β-Cu_2S were 2.34Å and 2.31Å, respectively. XRD(X-Ray Diffraction) was also measured. The structures of γ-Cu_2S and β-Cu_2S were confirmed to be of orthorhombic and hexagonal structure, respectively.