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아르곤 플라즈마로 처리한 n - GaAs의 표면특성에 관한 Photoreflectance 연구
이동율(Dong-Yul Lee),김인수(In-Soo Kim),김동렬(Dong-Lyeul Kim),김근형(Geun-Hyoung Kim),배인호(In-Ho Bae),김규호(Kyoo-Ho Kim),한병국(Byung-Kuk Han) 한국진공학회(ASCT) 1997 Applied Science and Convergence Technology Vol.6 No.4
Power를 40 W로 고정하고 시간을 5~120초간 변화시켜 아르콘 플라즈마로 처리시킨 n-GaAs(100)의 특성을 photoreflectance(PR) 측정으로 조사하였다. 아르곤 플라즈마 처리시간을 증가시킴에 따라 E。 피크의 세기는 처리시간이 5초일 때 최소로 관측되었으며, 이때 표면전기장(E_S), 순수 캐리어농도(N_D-N_A) 및 표면상태 밀도 (Q_(SS))는 각각 1.05×10^5 V/㎝, 1.31×10^(17) ㎝-³ 및 1.64×10^(-7) C/㎡로 이 값들은 bulk 시료에 비해 약 57.1, 81.4 및 56.9% 감소하였다. 반면에 5초일 때 compensation center 농도(N_A)는 5.57×10^(17) ㎝-³로 최대였다. 그리고 아르곤 플라즈마 처리시 유발된 결함들의 침투깊이는 표면에서 약 450 Å 정도였다. We have investigated the surface characteristics of n-GaAs (100) treated with Ar plasma (40 W, 5~120 sec) by photoreflectance (PR) measurement. With increasing Ar plasma treatment time, the intensity of E。 peak observed to the minimum at 5 sec. The surface electric field (E_S), net carrier concentration (N_D-N_A), and surface state density (Q_(SS)) are 1.05×10^5 V/㎝, 1.31×10^(17) ㎝-³ and 1.64×10^(-7) C/㎡, respectively. These values were about 57.1, 81.4 and 56.9% smaller than those of bulk n-GaAs. On the other hand, the concentration of compensation centers (N_A) was maximum with value of 5.57×10^(17) ㎝-³ at 5 sec. And penetration depth of defects generated after treated with Ar plasma was about 450 Å from surface.
Al0.24Ga0.76As / GaAs 에피층에서의 표면 광전압에 관한 연구
유재인(Jae-In Yu),김도균(Do-Kjun Kim),김근형(Geun-Hyoung Kim),배인호(In-Ho Bae),김인수(In-Soo Kim),한병국(Byung-Kuk Han) 한국진공학회(ASCT) 2000 Applied Science and Convergence Technology Vol.9 No.2
Molecular beam epitaxy(MBE)로 성장시킨 Al_(0.24)Ga_(0.76)As/GaAs 에피층 구조의 표면 광전압을 측정하였다. 측정된 신호로부터 구한 Al_(0.24)Ga_(0.76)As 에피층, GaAs 기판 그리고 GaAs 완충층의 밴드갭 에너지는 각각 1.72, 1.40그리고 1.42 eV이다. 이는 photoreflectance(PR) 측정 결과와 잘 일치하였다. 그리고 Al_(0.24)Ga_(0.76)As에피층이 GaAs 기판의 표면 광전압 세기 보다 약 3배 정도 작게 나타났는데, 이는 캐리어의 이동도 차이로 나타나는 현상으로 해석된다. 또한 표면 광전압의 온도 의존성으로부터 Varshni 식의 계수들을 구하였다. We measured surface photovoltage (SPV) of Al_(0.24)Ga_(0.76)As/GaAs epilayer grown by molecular beam epitaxy (MBE). The band gap energies of Al_(0.24)Ga_(0.76)As epilayer, GaAs substrate and buffer layer obtained from SPY signals are 1.70, 1.40 and 1.42 eV, respectively. There results are in good agreements with photoreflectance (PR) measurement. The measured SPY intensity of GaAs substrate is three times larger than Al_(0.24)Ga_(0.76)Asepilayer by carrier mobility difference. The parameters of Varshni equation were determined from the SPY spectra as a function of temperature.