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표대승 ( Dae Seong Pyo ),조준환 ( Jun Hwan Jo ),홍표환 ( Pyo Hwan Hong ),이종현 ( Jong Hyun Lee ),김봉환 ( Bong Hwan Kim ),조찬섭 ( Chan Seob Cho ) 한국센서학회 2013 센서학회지 Vol.22 No.6
In this paper, we found surface shapes are affected by several parameters of RIE, such as RF power, pressure, temp, and process times. The reflectance of pyramid and half sphere structures show differences among shapes, size, height, and depth of those structures. We made about 1㎛ pyramid and half sphere shapes of silicon surface with RIE. For comparing the reflectance, pyramid and half sphere structures are fabricated with same height. Pyramid structure cell shows higher cell efficiency of 12.5% by 1.1% than one of half sphere structure of 11.4%. The light absorption is more increased through the pyramid structure than half sphere structure.
LCD 공정용 C<sub>3</sub>F<sub>6</sub> 가스를 이용한 Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub> 박막 식각공정 및 배출가스에 관한 연구
전성찬,공대영,표대승,최호윤,조찬섭,김봉환,이종현,Jeon, S.C.,Kong, D.Y.,Pyo, D.S.,Choi, H.Y.,Cho, C.S.,Kim, B.H.,Lee, J.H. 한국진공학회 2012 Applied Science and Convergence Technology Vol.21 No.4
$SF_6$ 가스는 반도체 및 디스플레이 제조공정 중 건식식각 공정에서 널리 사용되는 가스이다. 하지만 $SF_6$ 가스는 대표적인 온실가스로서 지구 온난화에 큰 영향을 끼치기 때문에 반도체 및 디스플레이 공정에서 $SF_6$ 가스를 대체할 수 있는 가스의 연구가 필요한 상황이다. 그 후보군으로 떠오르고 있는 가스 중의 하나가 바로 $C_3F_6$ 가스이다. 이 가스를 이용하여 $Si_3N_4$ 박막을 건식식각 방법인 Reactive Ion Etching 공정을 수행하여 식각 특성에 관하여 연구하였으며, 흡착제 Zeolite 5A를 이용하여 식각공정 중 배출되는 가스 성분을 감소시켰다. Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition 장비를 이용하여 500 nm 두께의$Si_3N_4$ 박막을 증착하였으며, 노광 공정을 통해 패터닝을 한 후 Reactive Ion Etching 공정을 수행하였다. 그리고 Scanning Electron Microscope 장비를 이용하여 $Si_3N_4$ 박막의 식각된 단면과 식각율을 확인하였다. 또한 공정 후 흡착제 Zeolite 5A를 통과하기 전과 후에 배출되는 가스를 포집하여 Gas Chromatograph-Mass Spectrophotometry 장비를 이용하여 가스 성분을 측정 및 비교하였다. $SF_6$ gas is widely used for dry etching process of semiconductor and display fabrication process. But $SF_6$ gas is considered for typical greenhouse gas for global warming. So it is necessary to research relating to $SF_6$ alternatives reducing greenhouse effect in semiconductor and display. $C_3F_6$ gas is one of the promising candidates for it. We studied about etch characteristics by performing Reactive Ion Etching process of dry etching and reduced gas element exhausted on etching process using absorbent Zeolite 5A. $Si_3N_4$ thin film was deposited to 500 nm with Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition and we performed Reactive Ion Etching process after patterning through photolithography process. It was observed that the etch rate and the etched surface of $Si_3N_4$ thin film with Scanning Electron Microscope pictures. And we measured and compared the exhausted gas before and after the absorbent using Gas Chromatograph-Mass Spectrophotometry.
LCD 공정용 C3F6 가스를 이용한 Si3N4 박막 식각공정 및 배출가스에 관한 연구
전성찬,공대영,표대승,최호윤,조찬섭,김봉환,이종현 한국진공학회 2012 Applied Science and Convergence Technology Vol.21 No.4
SF6 gas is widely used for dry etching process of semiconductor and display fabrication process. But SF6 gas is considered for typical greenhouse gas for global warming. So it is necessary to research relating to SF6 alternatives reducing greenhouse effect in semiconductor and display. C3F6 gas is one of the promising candidates for it. We studied about etch characteristics by performing Reactive Ion Etching process of dry etching and reduced gas element exhausted on etching process using absorbent Zeolite 5A. Si3N4 thin film was deposited to 500 nm with Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition and we performed Reactive Ion Etching process after patterning through photolithography process. It was observed that the etch rate and the etched surface of Si3N4 thin film with Scanning Electron Microscope pictures. And we measured and compared the exhausted gas before and after the absorbent using Gas Chromatograph-Mass Spectrophotometry. SF6 가스는 반도체 및 디스플레이 제조공정 중 건식식각 공정에서 널리 사용되는 가스이다. 하지만 SF6 가스는 대표적인 온실가스로서 지구 온난화에 큰 영향을 끼치기 때문에 반도체 및 디스플레이 공정에서 SF6 가스를 대체할 수 있는 가스의 연구가필요한 상황이다. 그 후보군으로 떠오르고 있는 가스 중의 하나가 바로 C3F6 가스이다. 이 가스를 이용하여 Si3N4 박막을 건식식각 방법인 Reactive Ion Etching 공정을 수행하여 식각 특성에 관하여 연구하였으며, 흡착제 Zeolite 5A를 이용하여 식각공정 중 배출되는 가스 성분을 감소시켰다. Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition 장비를 이용하여 500 nm 두께의Si3N4 박막을 증착하였으며, 노광 공정을 통해 패터닝을 한 후 Reactive Ion Etching 공정을 수행하였다. 그리고 Scanning Electron Microscope 장비를 이용하여 Si3N4 박막의 식각된 단면과 식각율을 확인하였다. 또한 공정 후 흡착제 Zeolite 5A 를 통과하기 전과 후에 배출되는 가스를 포집하여 Gas Chromatograph-Mass Spectrophotometry 장비를 이용하여 가스 성분을 측정 및 비교하였다.
LCD 공정용 C₃F₆ 가스를 이용한 Si₃N₄박막 식각공정 및 배출가스에 관한 연구
전성찬(S. C. Jeon),공대영(D. Y. Kong),표대승(D. S. Pyo),최호윤(H. Y. Choi),조찬섭(C. S. Cho),김봉환(B. H. Kim),이종현(J. H. Lee) 한국진공학회(ASCT) 2012 Applied Science and Convergence Technology Vol.21 No.4
SF? 가스는 반도체 및 디스플레이 제조공정 중 건식식각 공정에서 널리 사용되는 가스이다. 하지만 SF? 가스는 대표적인 온실가스로서 지구 온난화에 큰 영향을 끼치기 때문에 반도체 및 디스플레이 공정에서 SF? 가스를 대체할 수 있는 가스의 연구가 필요한 상황이다. 그 후보군으로 떠오르고 있는 가스 중의 하나가 바로 C₃F? 가스이다. 이 가스를 이용하여 Si3N4 박막을 건식식각 방법인 Reactive Ion Etching 공정을 수행하여 식각 특성에 관하여 연구하였으며, 흡착제 Zeolite 5A를 이용하여 식각공정 중 배출되는 가스 성분을 감소시켰다. Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition 장비를 이용하여 500 ㎚ 두께의 Si₃N₄ 박막을 증착하였으며, 노광 공정을 통해 패터닝을 한 후 Reactive Ion Etching 공정을 수행하였다. 그리고 Scanning Electron Microscope 장비를 이용하여 Si₃N₄ 박막의 식각된 단면과 식각율을 확인하였다. 또한 공정 후 흡착제 Zeolite 5A를 통과하기 전과 후에 배출되는 가스를 포집하여 Gas Chromatograph-Mass Spectrophotometry 장비를 이용하여 가스 성분을 측정 및 비교하였다. SF? gas is widely used for dry etching process of semiconductor and display fabrication process. But SF? gas is considered for typical greenhouse gas for global warming. So it is necessary to research relating to SF? alternatives reducing greenhouse effect in semiconductor and display. C₃F? gas is one of the promising candidates for it. We studied about etch characteristics by performing Reactive Ion Etching process of dry etching and reduced gas element exhausted on etching process using absorbent Zeolite 5A. Si₃N₄ thin film was deposited to 500 ㎚ with Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition and we performed Reactive Ion Etching process after patterning through photolithography process. It was observed that the etch rate and the etched surface of Si₃N₄ thin film with Scanning Electron Microscope pictures. And we measured and compared the exhausted gas before and after the absorbent using Gas Chromatograph-Mass Spectrophotometry.
다양한 동작신호의 사용에 따른 연동형 마이크로 펌프의 성능 향상
홍표환 ( Pyo Hwan Hong ),정동건 ( Dong Geon Jung ),표대승 ( Dae Seong Pyo ),이종현 ( Jong Hyun Lee ),조찬섭 ( Chan Seob Cho ),김봉환 ( Bong Hwan Kim ) 한국센서학회 2013 센서학회지 Vol.22 No.6
This paper described the development of electrostatically driven peristaltic micropump. The proposed micropump consists of a flexible membrane and a single chamber which electrodes are inserted. The single chamber is divided into smaller cells by the electrodes. The fabricated micropump was operated with four electrodes in the membrane and a various phase sequencing actuation. We studied the changes in the flow rate corresponding to the actuating signal applied to the micropump under the zero hydraulic pressure difference between lnlet port and outlet port. The pump was operated from 60 to 130 V. Whereas the maximum flow rate in basic actuating signal is about 83 μ1/min at 15 Hz, the maximum flow rate in optimized actuating signal is about 114 μl/min at 10 Hz.
강현일,양대승,노선표 한국스포츠리서치 2001 한국 스포츠 리서치 Vol.12 No.4
To study how the various practice conditions influence to the serve of table tennis, the first and second grades every 10 students of middle school in K city were divided into three groups: constant, serial, and random group and examined the table tennis service achievement in acquisition stage, retention stage, and transfer stage for 4 weeks, got results the following. 1. In aquisition operation stage, constant group showed more excellent achievement than serial and random group. 2. In retention operation stage, there was no difference among constant and serial , random group(p>05). 3. In transfer operation stage, there was also no difference among constant and serial , random group(p>05). According to the conclusion of these results, statistically retention group doesn't show a noticeable significant difference in retention and transfer stage. But compared in the simple average value, it shows an excellent achievement. So table tennis leaders should try to find a solution for the problem of the table tennis serve. Therefore leaders of learning site have to prepare the ways to make learners experience various achievement problems.