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- 저자 : 태현식(Hyun-Sik Tae) (검색결과 3 건)
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정치현(Chi-Hyun Cheong),정혜미(Hye-Mi Jeong),김건우(Kun-Woo Kim),배기형(Ki-Hyoung Bae),태현식(Hyun-Sik Tae),엡츄시킨겐나디(Evtyushkin Gennadiy) 한국항공우주학회 2010 韓國航空宇宙學會誌 Vol.38 No.12
본 논문에서 소개하는 위성 통신 안테나는 대용량 데이터 전송을 위한 위성 송수신 시스템에 응용되어 추가적인 급전부 교체나 다른 기구 형상 변경 없이 X, Ku와 Ka 3중 대역의 전파 신호를 통시에 송수신할 수 있다. 설계된 안테나는 오프셋 파라볼라 안테나 형태로 2중 대역(X/Ka 대역) 급전혼, 단일대역(Ku 대역) 급전혼, 주파수 선택막(FSS : frequency selective surface) 특성을 갖는 부반사판 및 파라볼라 주반사판으로 구성되어 있다. 주반사판의 초점에는 2중 대역 급전혼이 위치하며, FSS 부반사판으로 이미지 초점을 만들어 단일 대역 급전혼이 설치되어 운용된다. 본 안테나는 전기적 특성이 국내 위성 환경에 부합되도록 3차원 EM 시뮬레이터를 이용하여 설계하였고, 측정결과 X/Ku/Ka 대역에서 안테나 이득이 각각 31.6 dBi, 36.8 dBi, 40.8 dBi 이상, 교차편파는 각각 21.7 ㏈, 26.6 ㏈, 그리고 25.2 ㏈ 이상의 특성으로 목표 성능을 만족함을 확인하였다. The design is presented for a SATCOM antenna capable of simultaneous multi-band (X/Ku/Ka-Band) communications without replacement of feed horns or change of other parts in the application as a ground satellite terminal for large data transfer. The antenna is the offset configuration and consists of a dual-band(X/Ka-band) feed horn, a single-band(Ku-band) feed horn, a frequency selective surface(FSS) sub-reflector and a parabolic main-reflector. The antenna has a main reflector defining a prime focus and a frequency selective surface sub-reflector defining an image focus. A dual-band feed and a single-band feed are provided at each of the prime focus and image focus. The antenna is designed using 3D EM simulator and the gains measured in X/KulKa-band of the complete antenna assembly is more than 31.6dBi, 36.8dBi, 40.8dBi, and the cross polarization is 2l.7㏈, 26.6㏈, 25.2㏈, respectively.
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GaN HEMT Die를 이용한 Ku-대역 전력 증폭기 설계 및 제작
김상훈(Sang-Hoon Kim),김보기(Bo-Ki Kim),최진주(Jin-Joo Choi),정병구(Byeoung-Koo Jeong),태현식(Hyun-Sik Tae) 한국전자파학회 2014 한국전자파학회논문지 Vol.25 No.6
본 논문은 GaN(Gallium Nitride) HEMT(High Electron Mobility Transistor) die를 이용하여 Ku-대역 전력 증폭기 설계, 제작 그리고 실험 결과에 대해 기술하였다. 저비용으로 Ku-대역 전력 증폭기를 설계하기 위하여 고가의 알루미나 회로기판 제작 대신 PCB(Printed Circuit Board)를 이용하여 입/출력단 정합 회로를 이용하였다. 측정 결과로는 펄스 모드로 동작시켰을 때 14.8 GHz에서 42.6 dBm의 출력 전력, 37.7 % 드레인 효율 그리고 7.9 dB의 선형 이득을 얻었다. CW(Continuous Wave) 실험 결과로는 39.8 dBm의 출력 전력, 24.1 %의 드레인 효율 그리고 7.2 dB의 선형 이득을 얻을 수 있었다. This paper presents a design and fabrication of Ku-band power amplifier using Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor (GaN HEMT) die. In order to fabricate the low-cost Ku-band power amplifier, a Printed Circuit Board(PCB) was used for input/output matching circuits instead of manufacturing process to use an expensive substrate. The measured output power is 42.6 dBm, the drain efficiency is 37.7 % and the linear gain is 7.9 dB under pulse operation at the frequency of 14.8 GHz. Under the continuous wave(CW) test, the output power is 39.8 dBm, the drain efficiency is 24.1 % and the linear gain is 7.2 dB.
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