[기획보도 부문_제166회 이달의 방송기자상] 교육부총리의 자격 : 〈스트레이트 ‘박순애 장관의 거짓말 또 거짓말’〉 2022년 7월 17일, 31일 방영 MBC 서유정, 최경재 기자

최경재 (사)방송기자연합회 2022 방송기자 Vol.68 No.-

LED용 Sr3MgSi2O8:Eu 청색 형광체의 발광특성

최경재,박정규,김창해,김호건,김경남 한국세라믹학회 2004 한국세라믹학회지 Vol.41 No.8

We have synthesized a Eu2+-activated Sr3MgSi2O8 blue phosphor and investigated an attempt to develop blue LEDs by combining it with a InGaN blue LED chip (λem=405 nm). The InGaN-based Sr3MgSi2O8:Eu LED lamp shows two bands at 405 nm and 460 nm. The 405 nm emission band is due to a radiative recombination from a InGaN active layer. This 405 nm emission was used as an optical transition of the Sr3MgSi2O8:Eu phosphor. The 460 nm emission band is ascribed to a radiative recombination of Eu2+ impurity ions in the Sr3MgSi2O8 host matrix. As a consequence of a preparation of UV Blue LED Lamp using the Sr3MgSi2O8:Eu Blue phosphor, the highest luminescence efficiency was obtained at the ration of epoxy / blue phosphor(1 / 0.202). At this time, the CIE chromaticity was x=0.147 and y=0.0683. Eu2+를 활성제로 Sr3MgSi2O8 청색 형광체를 합성하고, Sr3MgSi2O8:Eu 청색 형광체를 InGaN의 UV chip에 도포하여 청색 LED Lamp를 제조하였다. 제조된 청색 LED Lamp는 405 nm 와 460 nm 에서 두 개의 파장을 나타내고 있다. 405 nm의 파장은 InGaN의 활성영역으로부터의 radiative recombination 때문에 나타나는 피크이다. 여기에서 나오는 405nm의 발광은 본 Sr3MgSi2O8:Eu 청색 형광체의 여기원으로 사용된다. 460 nm에서의 발광 밴드는 Sr3MgSi2O8 모체내에서 Eu2+ 이온의 radiative recombination에 의한 것이다. 발광효율이 좋은 Sr3MgSi2O8:Eu 청색 형광체를 이용하여 UV 청색 LED Lamp를 제조한 결과, 에폭시와 청색 형광체의 무게 비율이 1:0.202에서 가장 좋은 광도값을 얻을 수 있었다. 이 때 색좌표는 CIE x=0.1417, CIE y=0.0683 이었다.

Sulfonylurea is a Non-competitive Inhibitor of Acetohydroxyacid Synthase from Mycobacterium tuberculosis

최경재,노경미,최정도,박전식,원호식,김정림,김정선,윤문영 대한화학회 2006 Bulletin of the Korean Chemical Society Vol.27 No.10

Expression of Acetohydroxyacid Synthase from Bacillus anthracis and Its Potent Inhibitors

최경재,Chien Ngoc Pham,정회일,한성환,최정도,김진흥,윤문영 대한화학회 2007 Bulletin of the Korean Chemical Society Vol.28 No.7

Acetohydroxyacid synthase (AHAS, EC 2. 2. 1. 6) is the enzyme that catalyses the first step in the common pathway of the biosynthesis of the branched chain amino acids, valine, leucine and isoleucine. For the first time, the AHAS gene from Bacillus anthracis was cloned into the expression vector pET28a(+), and was expressed in the E. coli strain BL21(DE3). The purified enzyme was checked on 12% SDS-PAGE to be a single band with molecular weight of 65 kDa. The optimum pH and temperature for B. anthracis AHAS was at pH 7.5 and 37 oC, respectively. Kinetic parameters of B. anthracis were as follows: Km for pyruvate, K0.5 for ThDP and Mg2+ was 4.8, 0.28 and 1.16 mM respectively. AHAS from B. anthracis showed strong resistance to three classes of herbicides, Londax (a sulfonylurea), Cadre (an imidazolinone), and TP (a triazolopyrimidine). These results indicated that these herbicides could be used in the search for new anti-bacterial drugs.

LED용Mg²⁺·Ba²⁺Co-Doped Sr₂SiO₄:Eu 노란색 형광체의 발광특성

최경재,지순덕,김창해,이상혁,김호건,Choi, Kyoung-Jae,Jee, Soon-Duk,Kim, Chang-Hae,Lee, Sang-Hyuk,Kim, Ho-Kun 한국세라믹학회 2007 한국세라믹학회지 Vol.44 No.3

An improvement for the efficiency of the $Sr_{2}SiO_{4}:Eu$ yellow phosphor under the $450{\sim}470\;nm$ excitation range have been achieved by adding the co-doping element ($Mg^{2+}\;and\;Ba^{2+}$) in the host. White LEDs were fabricated through an integration of an blue (InGaN) chip (${\lambda}_{cm}=450\;nm$) and a blend of two phosphors ($Mg^{2+},\;Ba^{2+}\;co-doped\;Sr_{2}SiO_{4}:Eu$ yellow phosphor+CaS:Eu red phosphor) in a single package. The InGaN-based two phosphor blends ($Mg^{2+},\;Ba^{2+}\;co-doped\;Sr_{2}SiO_{4}:Eu$ yellow phosphor+CaS:Eu red phosphor) LEDs showed three bands at 450 nm, 550 nm and 640 nm, respectively. The 450 nm emission band was due to a radiative recombination from an InGaN active layer. This 450 nm emission was used as an optical transition of the $Mg^{2+},\;Ba^{2+}\;co-doped\;Sr_{2}SiO_{4}:Eu$ yellow phosphor+CaS:Eu red phosphor. As a consequence of a preparation of white LEDs using the $Mg^{2+},\;Ba^{2+}\;co-doped\;Sr_{2}SiO_{4}:Eu$ yellow phosphor+CaS:Eu red phosphor yellow phosphor and CaS:Eu red phosphor, the highest luminescence efficiency was obtained at the 0.03 mol $Ba^{2+}$ concentration. At this time, the white LEDs showed the CCT (5300 K), CRI (89.9) and luminous efficacy (17.34 lm/W).

LED용 Mg2+·Ba2+ Co-Doped Sr2SiO4:Eu 노란색 형광체의 발광특성

최경재,김창해,이상혁,김호건,지순덕 한국세라믹학회 2007 한국세라믹학회지 Vol.44 No.3

An improvement for the efficiency of the Sr2SiO4:Eu yellow phosphor under the 450~470 nm excitation range have been achieved by adding the co-doping element (Mg 2+ and Ba 2+ ) in the host. White LEDs were fabricated through an integration of an blue (InGaN) chip (λem=450 nm) and a blend of two phosphors (Mg 2+ , Ba 2+ co-doped Sr2SiO4:Eu yellow phosphor+CaS:Eu red phosphor) in a single package. The InGaN-based two phosphor blends (Mg 2+ , Ba 2+ co-doped Sr2SiO4:Eu yellow phosphor+CaS:Eu red phosphor) LEDs showed three bands at 450 nm, 550 nm and 640 nm, respectively. The 450 nm emission band was due to a radiative recombination from an InGaN active layer. This 450 nm emission was used as an optical transition of the Mg 2+ , Ba 2+ co-doped Sr2SiO4:Eu yellow phosphor and CaS:Eu red phosphor. As a consequence of a preparation of white LEDs using the Mg 2+ , Ba 2+ codoped Sr2SiO4:Eu yellow phosphor and CaS:Eu red phosphor, the highest luminescence efficiency was obtained at the 0.03 mol Ba2+concentration. At this time, the white LEDs showed the CCT (5300 K), CRI (89.9) and luminous efficacy (17.34 lm/W).

LED용 Ba²⁺ Co-Doped Sr₂SiO₄:Eu 황색 형광체의 발광특성

최경재,박정규,김경남,김창해,김호건,Choi, Kyoung-Jae,Park, Joung-Kyu,Kim, Kyung-Nam,Kim, Chang-Hae,Kim, Ho-Kun 한국세라믹학회 2006 한국세라믹학회지 Vol.43 No.3

We have synthesized a $Eu^{2+}-activated\;{(Sr,Ba)}_2SiO_4$ yellow phosphor and investigated the development of blue LEDs by combining the phosphor with a InGaN blue LED chip (${\lambda}_{em}$=405 nm). The InGaN-based ${(Sr,Ba)}_2SiO_{4}:Eu$ LED lamp shows two bands at 405 nm and 550 nm. The 405 nm emission band is due to a radiative recombination from a InGaN active layer. This 405 nm emission was used as an optical transition of the ${(Sr,Ba)}_2SiO_{4}:Eu$ phosphor. The 550 nm emission band is ascribed to a radiative recombination of $Eu^{2+}$ impurity ions in the ${(Sr,Ba)}_2SiO_4$ host matrix. In the preparation of UV Yellow LED Lamp with ${(Sr,Ba)}_2SiO_{4}:Eu$ yellow phosphor, the highest luminescence efficiency was obtained at the epoxy-to-yellow phosphor ratio of 1:0.45. At this ratio, the CIE chromaticity was x=0.4097 and y=0.5488.

LED용 Ba2+ Co-Doped Sr2SiO4:Eu 황색 형광체의 발광특성

최경재,박정규,김창해,김호건,김경남 한국세라믹학회 2006 한국세라믹학회지 Vol.43 No.3

We have synthesized a Eu2+-activated (Sr,Ba)2SiO4 yellow phosphor and investigated the development of blue LEDs by combining the phosphor with a InGaN blue LED chip (λem=405 nm). The InGaN-based (Sr,Ba)2SiO4:Eu LED lamp shows two bands at 405 nm and 550 nm. The 405 nm emission band is due to a radiative recombination from a InGaN active layer. This 405 nm emission was used as an optical transition of the (Sr,Ba)2SiO4:Eu phosphor. The 550 nm emission band is ascribed to a radiative recombination of Eu2+ impurity ions in the (Sr,Ba)2SiO4 host matrix. In the preparation of UV Yellow LED Lamp with (Sr,Ba)2SiO4:Eu yellow phosphor, the highest luminescence efficiency was obtained at the epoxy-to-yellow phosphor ratio of 1:0.45. At this ratio, the CIE chromaticity was x=0.4097 and y=0.5488. Eu2+를 활성제로 (Sr,Ba)2SiO4 황색 형광체를 합성하고, (Sr,Ba)2SiO4:Eu 황색 형광체를 InGaN(405 nm)의 UV chip에 도포하여 황색 LED Lamp를 제조하였다. 제조된 황색 LED Lamp는 405 nm 와 550 nm 에서 두 개의 파장을 나타내고 있다. 405 nm의 파장은 InGaN의 활성영역으로부터의 radiative recombination 때문에 나타나는 피크이다. 여기에서 나오는 405nm의 발광은 (Sr,Ba)2SiO4:Eu 황색 형광체의 여기원으로 사용된다. 550 nm에서의 발광 밴드는 (Sr,Ba)2SiO4 모체내에서 Eu2+ 이온의 radiative recombination에 의한 것이다. 발광효율이 좋은 (Sr,Ba)2SiO4:Eu 황색 형광체를 이용하여 UV 황색 LED Lamp를 제조한 결과, 에폭시와 황색 형광체의 무게 비율이 1:0.45에서 가장 좋은 광도값을 얻을 수 있었다. 이 때 색좌표는 CIE x=0.4097, CIE y=0.5488이었다.

도시고형폐기물 소각재(MSWI)의 carbonation 전·후의 특성차이 연구

최경재,조호용,안세웅,이상엽,박진원 한국폐기물자원순환학회(구 한국폐기물학회) 2016 한국폐기물자원순환학회 춘계학술발표논문집 Vol.2016 No.-

MSW(Municipal Solid Waste, 도시고형폐기물)의 처리 방법 중 소각은 배출 되어야 하는 폐기물의 부피를 크 기를 효과적으로 줄이는 동시에, 소각 중 열 회수와 전기를 생산할 수 있다는 장점이 있다. 그러나 소각 후 나오는 ash에는 Heavy metal 및 해로운 물질들이 규정 된 농도 이상으로 함유되어 있으므로, 이를 그대로 매립하는 경우 침출수에 의해 주변 토양이 오염 되는 문제가 생긴다. 게다가 ash를 건축자재로 재활용 하여 이용하더라도 포함 된 성분 중 portlandite (Cα(OH)₂) 및 soluble salt들로 인하여 콘크리트의 강도가 영향을 받을 수 있으므로 ash를 안정화시킬 필요가 있다. 본 연구에서는 MSWI(municipal solid waste incinerator)의 bottom ash와 fly ash를 carbonation 안정화 시키 는 방법으로, Nα₂CO₃ addition 방법 및 CO₂ bubbling 방법을 사용하였다. 그리고 CO₂ carbonation 전·후의 결과들을 비교, 분석해보고 accelerated carbonation이 폐기물 처리 시 제시되는 문제들을 해결할 수 있을 것인지 검토하고 있다. 그리고 MSWI가 carbonation하는 동안의 CO₂ 흡수량도 분석하여 CCU(Carbon Capture & Utilization)로서의 가능성도 확인해 보았다.

자회선 여기용 청색 및 황색 형광체의 발광특성

최경재,김호건,박정규,김창해,김경남 한국세라믹학회 2006 한국세라믹학회지 Vol.43 No.5

We have synthesized a Eu2+-activated Sr3MgSi2O8 blue phosphor and (Sr,Ba)2SiO4 yellow phosphor and prepared white LEDs by combining these phosphors with a InGaN UV LED chip. Three distinct emission bands from the InGaN-based LED and the two phosphors are clearly observed at 405 nm, 460 nm and at around 560 nm, respectively. The 405 nm emission band is due to a radiative recombination from a InGaN active layer. This blue emission was used as an optical transition of the Sr3MgSi2O8:Eu blue phosphor and (Sr,Ba)2SiO4:Eu yellow phosphor. The 460 nm and 560 nm emission band is ascribed to a radiative recombination of Eu2+ impurity ions in the Sr3MgSi2O8 and (Sr,Ba)2SiO4 host matrix. As a consequence of a preparation of UV White LED Lamp using the Sr3MgSi2O8:Eu blue phosphor and (Sr,Ba)2SiO4:Eu yellow phosphor, the highest luminescence efficiency was obtained at the ration of epoxy / two phosphor(1 / 0.2361). At this time, the CIE chromaticity was CIE x=0.3140 , CIE y=0.3201 and CCT(6500K). Eu2+를 활성제로 Sr3MgSi2O8 청색 형광체와 (Sr,Ba)2SiO4 황색 형광체를 합성하고, Sr3MgSi2O8:Eu 청색 형광체와 (Sr,Ba)2SiO4:Eu 황색 형광체를 InGaN의 UV 칩에 도포하여 백색 LED 램프를 제조하였다. 제조된 백색 LED 램프는 405 nm 와 460 nm, 560 nm에서 세 개의 파장을 나타내고 있다. 405 nm의 파장은 InGaN의 활성영역으로부터의 radiative recombination 때문에 나타나는 피크이다. 여기에서 나오는 405nm의 발광은 Sr3MgSi2O8:Eu 청색 형광체와 (Sr,Ba)2SiO4:Eu 황색 형광체의 여기원으로 사용된다. 460 nm와 560 nm에서의 발광 밴드는 Sr3MgSi2O8와 (Sr,Ba)2SiO4 모체내에서 Eu2+ 이온의 radiative recombination에 의한 것이다. 발광효율이 좋은 Sr3MgSi2O8:Eu 청색 형광체와 (Sr,Ba)2SiO4:Eu 황색 형광체를 이용하여 UV 백색 LED 램프를 제조한 결과, 에폭시와 혼합 형광체의 비율이 1: 0.2361 일 때, GaN(460 nm) LED chip에 황색 형광체(YAG:Ce)를 도포하여 구현한 백색 LED의 색좌표와 색온도(CCT)가 비슷하였다. 이 때 색좌표는 CIE x=0.3140, CIE y=0.3201이고, 색온도(CCT)는 6500K이다.