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        셀 수준의 진화 프레임워크를 통한 인공개체의 행동로직 진화

        정보선(Bo-Sun Jung),정성훈(Sung Hoon Jung) 한국지능시스템학회 2015 한국지능시스템학회논문지 Vol.25 No.1

        본 논문에서는 셀 수준의 진화 프레임워크를 이용하여 인공개체의 행동로직을 진화하는 연구를 수행하였다. 이를 위하여 셀 수준의 진화 프레임을 구현하였으며 이 프레임 상에서 인공개체가 먹이를 먹기 위해 행동로직을 진화하는 것을 살펴보았다. 인공개체의 행동로직 진화를 관찰하기 위하여 행동결정 로직 프레임을 제안하여 적용하였다. 테스트결과 인공개체가 빠른 세대 내에 먹이를 잘 먹는 로직으로 진화하는 것을 관찰할 수 있었다. 또한 여러 번의 실험을 통하여 대부분의 실험에서 거의 동일한 행동양식을 보이는 것으로 진화하는 것을 확인할 수 있었다. 본 논문에서 제안한 방법은 기존의 진화 알고리즘을 이용한 알고리즘이나 하드웨어의 진화와는 다른 방법으로서 기본적으로 접근 방법에 차이점이 있다. 이런 결과로 보았을 때 본 논문에서 제안한 프레임워크가 셀 수준의 진화를 관찰해볼 수 있는 좋은 도구가 될 수 있음을 알 수 있다. In this paper, we studied the evolution of behavioral logic of artificial individuals using cell-level evolution framework. We first implemented cell-level evolution framework and then investigated the evolution of behavioral logic that artificial individuals ate foods on the framework. A logic frame for behavioral decisions of artificial individuals was devised and applied to the framework. From extensive tests, we found that most artificial individuals could evolve the behavioral logic that they could eat food in a short generation. It was also confirmed that most behavioral logics showed nearly same behaviors of artificial individuals in most tests. Our method has the differences from existing algorithms using evolutionary algorithms and evolvable hardwares in that it is a basically different approach. These results showed that our framework could be a good tool for investigating the evolution of artificial individuals in a cell-level.

      • KCI등재

        인공개체 진화에서 행위기억회로의 적응적 진화

        정보선(Bo-Sun Jung),정성훈(Sung Hoon Jung) 대한전자공학회 2016 전자공학회논문지 Vol.53 No.3

        본 논문에서는 인공개체의 진화를 셀 수준에서 모사하는 프레임워크 상에서 인공개체가 자신의 행위를 기억하는 회로가 있는 경우 환경에 어떻게 적응적으로 진화하는지를 연구하였다. 이는 기존에 제안한 인공개체가 단순히 현재 상황 입력에 대한 대응행위를 결정하고 행동하는 것에서 나아가 자신의 이전의 행위를 기억할 경우 어떤 진보된 대응행위로 진화할 수 있는지 그리고 이전 행위를 기억하지 못하는 인공개체에 비하여 어떤 장점을 갖는지를 분석할 수 있다. 이러한 분석을 위하여 특정먹이패턴에서 다양한 실험을 수행하고 그 결과를 살펴보았다. 먼저 이전 행동을 4단계까지 기억하는 개체와 기억회로가 없는 개체부터 3단계까지 기억하는 개체별로 경쟁력 실험을 해보았다. 그 결과 대부분 4단계까지 기억하는 개체가 우수하였다. 그러나 2단계까지 기억하는 개체가 4단계까지 기억하는 개체보다 더 우수했는데, 이는 실험한 먹이패턴 하에서는 2단계까지 기억하는 개체가 더 빨리 좋은 행위를 갖는 개체로 진화되기 때문으로 분석되었다. 두 번째로 모든 개체를 같이 진화시킨 실험에서도 T2 가 가장 우수한 결과를 보였다. 이를 통하여 행위기억회로를 갖는 개체가 더 우수하며 먹이패턴 복잡도에 적합한 단계까지 기억하는 개체가 가장 좋은 결과를 보임을 확인하였다. This paper investigates how artificial individuals with behavioral memory circuits adaptively evolve with respect to given environments on a cell-level simulation framework simulating artificial individuals. This makes it possible for us to analyse the advantages of artificial individuals with behavioral memory circuits against the simple artificial individuals that can do only simple reactions with respect to the environments and to know which advanced reactions are possible. In order to do this analysis, we experimented various tests on a specific prey pattern and examined the results. As a first experiment, we tested that artificial individuals with four memory steps competed against from those without memory step to those with three memory steps. Experimental results showed that the artificial individuals with four memory steps were superior to most others. However, artificial individuals with two memory steps were better than those with four memory steps. This was caused that the artificial individuals with two memory steps could evolve faster than those of four memory steps. In a second experiment that all types of artificial individuals are simultaneously evolved, the artificial individuals with two memory steps also showed the best result in the experiment. We could conclude that the artificial individuals with memory was better than those without memory and the best memory steps of artificial individuals were depended on the complexity of prey patterns.

      • 무선 가입자망 단말기용 전력 증폭기 설계

        손병문,구연건,정보선 弘益大學校 科學技術硏究所 1998 科學技術硏究論文集 Vol.9 No.2

        A high power amplifier module has been developed for the WLL terminals. The module is designed by 3 stage topology using HBT, AlGaAs/GaAs HFET and GaAs MESFET. Stanford microdevices HBT MMIC amplifier with a good linearity, Stanford microdevices AlGaAs/GaAs HFET with high gam, and NEC GaAs MESFET are used to the input stage, the driver stage and the output stage respectively. The output power is 33dBm, the norminal gain is 33dB and the 3rd order intermodulation distortion is -30dBc for the operation frequency range of 2300∼2330 MHz. The experimental results of the high power amplifier are met to the standard specification required for the WLL terminals.

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