MeV Si 자기 이온주입된 단결정 Silicon내의 결함 거동

조남훈,장기완,서경수,이정용,노재상,Cho, Nam-Hoon,Jang, Ki-Wan,Suh, Kyung-Soo,Lee, Jeoung-Yong,Ro, Jae-Sang 한국재료학회 1996 한국재료학회지 Vol.6 No.7

본 연구에서는 MeV Si 자기 이온주업을 실시하여 주업원자와 모재 원자와의 화학적 영향이 배제된 결함 형성 거동을 관찰하였다. 자기 이온주업을 위하여 Tandem Accelerator가 사용되었고 1~3 MeV의 에너지 범위의 이온주입이 실시되었다. MeV 이온주입된 시편의 격자결함은 표면으로부터 고립된 $R_p$ 근처에 집중된 것이 관찰되었다. 주입에너지 변화에 따른 격자결함 생성 거동을 관찰하기 위하여 조사량을 $1{\times}10^{15}/cm^2$으로 고정하고 주입에너지를 1~3 MeV로 증가하였다. RBS 분석 결과 격자결함의 형성층 깊이는 에너지 증가에 따라 증가하였고 표면층에는 에너지 증가시 더욱 좋은 결정성을 유지하였다. 또한 주입에너지가 일정한 경우 조사량 증가시 $R_p$ 부근에 집중된 결함층의 농도는 증가하였으나 표면부근의 결함농도는 임계조사량 이상에서 포화되는 것이 관찰되었다. XTEM 분석 결과는 RBS의 결과와 잘 일치하였다. XTEM 관찰 결과 이온주업 상태의 결함층은 dark band의 형태로 관찰되었고 열처리시 이차결함은 이곳으로부터 생성되었다. 2MeV $Si^+$ 자기 이온주입시 이차결함이 형성되는 임계조사량은 $3{\times}10^{14}{\sim}5{\times}10^{14}/cm^2$ 사이로 관찰되었다. 열처리시 dark band의 하단부의 위치는 변화하지 않고 상단부만이 제거되었다. 실험을 통하여 얻은 결과들은 Monte-Carlo technique을 이용한 TRIM-code를 사용하여 해석하였다. SIMS 분석을 통하여 이차결함은 모재내에 존재하는 oxygen 불순물을 gettering함을 관찰하였다. In this study MeV Si self ion implantations were done to reveal the intrinsic behavior of defect formation by excluding the possibility of chemical interactions between substrate atoms and dopant ones. Self implantations were conducted using Tandem Accelerator with energy ranges from 1 to 3 MeV. Defect formation by high energy ion implantation has a significant characteristics in that the lattice damage is concentrated near Rp and isolated from the surface. In order to investigate the energy dependence on defect formation, implantation energies were varied from 1 to 3 MeV under a constant dose of $1{\times}10^{15}/cm^2$. RBS channe!ed spectra showed that the depth at which as-implanted damaged layer formed increases as energy increases and that near surface region maintains better crystallinity as energy increases. Cross sectional TEM results agree well with RBS ones. In a TEM image as-implanted damaged layer appears as a dark band, where secondary defects are formed upon annealing. In the case of 2 MeV $Si^+$ self implantation a critical dose for the secondary defect formation was found to be between $3{\times}10^{14}/cm^24$ and $5{\times}10^{14}/cm^2$. Upon annealing the upper layer of the dark band was removed while the bottom part of the dark band did not move. The observed defect behavior by TEM was interpreted by Monte Carlo computer simulations using TRIM-code. SIMS analyses indicated that the secondary defect formed after annealing gettered oxygen impurities existed in silicon.

졸-겔 법으로 성장시킨 Nb가 첨가된 Bi₄Ti₃O₁₂ 박막의 미세구조와 전기적 성질

김상수,장기완,한창희,이호섭,김원정,최은경,박문흠,Kim, Sang-Su,Jang, Ki-Wan,Han, Chang-Hee,Lee, Ho-Sueb,Kim, Won-Jeong,Choi, Eun-Kyung,Park, Mun-Heum 한국재료학회 2003 한국재료학회지 Vol.13 No.5

Bismuth layered structure ferroelectric thin films, $Bi_4$$Ti_3$$O_{12}$ / (BTO) and Nb-doped BTO (BTN) were prepared on the Pt(111)/Ti/$SiO_2$/Si(100) substrates by a sol-gel route. We investigated the Nb-doping effect on the grain orientation and ferroelectric properties. $Nb^{5+}$ ion substitution for $Ti^{4+}$ ion in perovskite layers of BTO decreased the degree of c-axis orientation and increased the remanent polarization (2Pr). The fatigue resistance of Nb-doped BTO thin film was shown to be superior to that of BTO, and the leakage current of Nb-doped BTO thin film was decreased about 1 order of magnitude compared with BTO. The improvement of ferroelectric properties with $Nb^{5+}$ doping in BTO could be attributed to the changes in space charge densities and grain orientation in the thin film.

3 MeV P+ 이온주입된 실리콘의 열처리에 따른 X - ray Rocking Curve 분석

조남훈(Nam-Hoon Cho),장기완(Ki-Wan Jang),김창수(Chang-Soo Kim),이정용(Jeong-Yong Lee),노재상(Jae-Sang Ro) 한국진공학회(ASCT) 1995 Applied Science and Convergence Technology Vol.4 No.1

고에너지 이온주입시 격자결함의 생성 및 열처리 거동이 double crystal X-ray 와 단면 TEM을 사용하여 연구되었다. 3 MeV P^+ 이온주입한 실리콘의 DCXRD 분석 결과 조사량 증가에 따라 모재 내의 변형량은 증가하였다. HRTEM 분석 결과 고에너지 이온주입시 결함은 표연 부근에 회박하고 Rp 부근에 집중되어 있었다. 또한 이온주입 상태의 결함층은 dark band의 형태로 존재하였으며 열처리시 이차결함은 이곳으로부터 생성됨이 관찰되었다. 3 MeV P^+, 1×10^(15)/㎠의 조건으로 이온주입된 실리콘 시편의 열처리에 따른 X-ray rocking curve 분석을 통하여 열처리 온도가 550℃에서 700℃로 증가함에 따라 모재 내부의 최대 변형량이 7×10^(-4)에서 2.9×10^(-4)으로 감소함이 관찰되었다. 특히 550℃ 열처리한 시편의 경우 표면으로부터~1.5 ㎛ 영역에 작은 변형층이 넓게 잔존하였으며 열처리 온도를 700℃로 증가한 경우 제거되었다. 이온주입시 생성된 일차결함들은 700℃ 열처리시 60˚전위와 <112> 막대 모양 결함, 1000℃ 열처리시 <110> 방향의 전위루프로 열처리 조건에 따라 여러 가지 모양의 이차결함으로 변화하였다. 고에너지 이온주입에 의해 발생한 이차결함은 고온에서도 안정하여 고온 열처리에 의한 제거가 용이하지 않았다. High energy ion induced damage and its annealing behavior were investigated using double crystal X-ray diffraction and cross sectional transmission electron microscopy. Results of DCXRD for 3 MeV P^+ implanted silicon indicated that the total lattice strain increases as ion dose increases. HRTEM observations confirmed that as-implanted damages are rare near the surface region but are concentrated around Rp. In a TEM image as-implanted damage layer appears as a dark band, where secondary defects are formed upon annealing. X-ray rocking curve analyses indicated that the maximum lattice (+) strain decreases from 7×10^(-4) to 2.9×10^(-4) as annealing temperature increases from 550℃ to 700℃. for 3 MeV P^+ implanted silicon at a dose of 1×10^(15)/㎠. Especially near the surface region, small amount of lattice strain was observed from the surface to ~1.5 ㎛ after annealing at 550℃, while it disappears by 700℃ annealing. Primary defects by implantation changes into secondary defects with various morphologies according to annealing temperatures such as 60° dislocations and <112> rodlike defects at 700℃, and <110> dislocation loops at l000℃. Once secondary defects are formed, they were stable and were difficult to be removed by thermal annealing in the case of high energy ion implantation.

MeO-PEG-OMe를 사용한 benzo-[1,4]-oxazinone 화합물의 마이크로웨이브 합성

임재민,감경희,김신형,장기완,신동수,Lim, Jae-Min,Gam, Gyung-Hee,Kim, Shin-Hyuong,Jang, Ki-Wan,Shin, Dong-Soo 대한화학회 2012 대한화학회지 Vol.56 No.4

마이크로웨이브를 이용한 가열 방법과 MeO-PEG-OMe를 용매로 사용하여, benzo-[1,4]-oxazinone의 효율적인 one-pot 합성방법을 개발하였으며, 개발한 합성방법을 이용하여, 8 가지의 benzo-[1,4]-oxazinone 화합물과 1H-pyrido[2,3-b][1,4]-oxazin-2-(3H)-one을 좋은 수율로 합성하였다. Efficient one-pot microwave-assisted synthesis of various benzo-[1,4]-oxazinones via Smiles rearrangement is described. Treatment of 2-chloroacetamide, substituted 2-chlorophenols and cesium carbonate in MeO-PEG-OMe (2,000) as solvent afforded the corresponding benzo-[1,4]-oxazinones and 1H-pyrido[2,3-b][1,4]-oxazin-2-(3H)-one as moderate yield.

다결정을 이용한 실온에서의 분광 홀버닝 광메모리 구현에 관한 연구

조재헌,백운식,장기완 경희대학교 레이저공학연구소 2001 레이저공학 Vol.12 No.-

The extremely high data densities can be obtained by spectral holeburning, so persistent holeburning has been studied on crystal that doped sm2+ ions at room temperature. To improve performance of persistent spectral holeburning system, we replace a dye laser system by our Littman type external cavity tunable laser diode system.

Arachidonic acid 대사산물의 골흡수능

김형섭,오귀옥,장기완 대한구강생물학회 1991 International Journal of Oral Biology Vol.15 No.2

This experiment was performed to study the effect of the arachidonic acid metabolites(PGE_2, LTB_4, HETEs) on the bone resorption in the organ culture. The observed results were as follows: 1. PGE_2, at concentration of 10^-6M, increased ^45Ca release significantly after 72 hours of culture. 2. LTB_4 or HETEs, at all concentrations, had no effect on the bone resorption after 72 hours of culture. 3. LTB_4 or HETEs did not change the bone resorbing activity of PGE_2 bone resorption after 72 hours of culture.

Luminescent Properties of Organic Electroluminescent Devices Using Alq₃and TPD Materials with CuPc, Buffer Layer

Back, Gern-Ho,Shin, Dong-Soo,Lee, Yong-Ill,Back, Seung-Chan,Jang, Ki-Wan,Kiyoshi Yase 昌原大學校 基礎科學硏究所 2000 基礎科學硏究所論文集 Vol.12 No.-

The optical properties of electroluminescent device(EL) fabricated using Alq3, (8-hydroxyquinoline)aluminum) and TPD (N,N'-bis(-3-methylphenyl)-(1,1'-biphenyl)-4,4'-diamine) with CuPc (copper phthalocyanine) buffer layer were investigated. The triple-layered EL device consists of five layers, ITO/CuPc/TPD/Alq3/Al and the cell was fabricated by vacuum evaporation method. We obtained a turn-on voltage at 5 V and the maximum emission peak at 525 nm from the measurement of EL spectrum, and EL intensities on the granularity tend to increase with the increasing the temperature of the CuPc substrate.