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선박자동식별시스템을 위한 SOTDMA 알고리즘 성능분석 시스템에 관한 연구
이효성(H.S Lee),이흥호(H.H Lee) 대한전기학회 2006 대한전기학회 학술대회 논문집 Vol.2006 No.10
The AIS(Automatic Identification System) has to be developed SOTDMA(Self-Organized Time Division Multiple Access) Algorithm which is important on wireless communication method because It is based on ITU(International Telecommunication Union) M.1371-1 of the international standard therefore, we need to develop a performance evaluation simulator efficiently to develop and analyze SOTDMA Algorithm. This paper shows the method of designing it. The SOTDMA Algorithm driving state verifies the performance evaluation simulator by IEC(International Electrotechnical Commission) 61993-2. After verifying results the performance evaluation simulator is correctly satisfied with TEC 61993-2. So we expect that it helps not only the AIS technology developed but also verify new SOTDMA Algorithm
주성분 분석을 이용한 이동 불변 이차 신경망의 노드 축소
이봉규(B.K. Lee),이흥호(H.H. Lee),조유근(Y.K Cho) 한국정보과학회 1994 한국정보과학회 학술발표논문집 Vol.21 No.1
신경망의 입력에 수직, 수평 방향으로 이동된 패턴이 입력되면 오인식의 원인이 된다. 표준의 EBP를 사용하는 다층 퍼셉트론은 패턴 픽셀의 값이 신경망의 입력 노드에 직접 입력되므로 위치 이동 문제를 해결하기 어렵다. 2차 신경망은 기하학적으로 관련이 있는 2개 픽셀의 비선형 조합들을 입력으로 가지는 다중 신경망이므로 위치 이동에 무관한 패턴 인식에 사용할 수 있다. 그러나 2차 신경망은 위치 이동만을 고려 하더라도 입력 노드 수가 N²로 증가하기 때문에 구현이 어렵다. 본 논문에서는 입력 패턴 픽셀들의 조합들과 PCA(Principal Component Analysis)를 이용하여 위치 이동에 불변하는 2차 신경망의 입력 노드 수를 축소하는 방법을 제안한다. 제안된 방법으로 입력 패턴 차원 N에 대해서 평균 2/5*N 정도의 입력 노드를 가지는 위치 이동에 불변하는 2차 신경망을 구현할 수 있었다. 축소된 2차 신경망을 위치 이동된 한글 명조체 990자에 대해서 실험한 결과 99.6%의 인식율을 얻었다. 그리고 학습 및 인식에 걸리는 시간도 단축시켰다.
Investigation of Transient Radiation Effects in CMOS IC_S Using the TCAD Simulation and Experiment
오승찬,N. H. Lee,이흥호 한국물리학회 2011 THE JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY Vol.59 No.23
This study carried out an experiment about CMOS ICs that includes the TCAD(technology computer aided design) simulation and SRAM about SRAM cell as the content about transient radiation effects shown as prompt gamma-ray which is a high-energy ionizing radiation emitted due to a nuclear burst being induced to CMOS devices.These experiments were carried out using a pulsed 60 MeV LINAC facility in Pohang Accelerator Laboratory(PAL). The result of TCAD simulations has found that the Latchup phenomena could be checked in more than 7.0 × 10^(11) W/cm^2 and the result of the experiments about CMOS devices has found that temporary errors could be generally checked due to photocurrent and the Latchup phenomena occurring in the partial devices.
300㎑ ZVS Full Bridge PWM 컨버터에 관한 연구
구자광(J . K . Goo),주형준(H . J . Joo),이흥호(H . H . Lee) 대한공업교육학회 1997 대한공업교육학회지 Vol.22 No.1
This Paper is concerned on developing DC-DC converter using ZVS-FB-PWM Converter. The converter output is 28V and regulated by phase shift control methode. MOSFET is used by the main switching device and high frequency transfomer is made for operating at 300kHz switching frequency. When the load vary widely, converter`s ZVS characteristic is expressed by experiment result.