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- 저자 : 이종현 ( Insik Yu (검색결과 4 건)
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류인식,설정훈,신장규,심준환,이종현 ( Insik Yu,Jung Hoon Sul,Jang Kyoo Shin,Jun Hwan Sim,Jong Hyun Lee ) 한국센서학회 1995 센서학회지 Vol.4 No.1
We have developed a silicon etching method by which highly doped layers are selectively etched using stain etching technique. Current supply to the backside contact of silicon wafer and special reactor are not required in this method. Therefore this method is much simpler than anodic reaction method and could be applied to standard VLSI process. In addition, highly doped layers of several wafer structures, including the structures where conventional anodic reaction method cannot be used, could be preferentially etched by this technique. We have also fabricated micromechanical structures such as cantilevers and air-bridges on the n/n^+/n wafer and air-bridges on the p/p^+ wafer using this stain etching technique.
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( 100 ) 실리콘 기판의 결정방향에 따른 다공질 실리콘 형성의 이방성에 관한 연구
류인식,박기열,심준환,신장규,이정희,이종현 ( Insik Yu,Ki Yeul Park,jun hwan Sim,Jang Kyoo Shin,Jung Hee Lee,Jong Hyun Lee ) 한국센서학회 1995 센서학회지 Vol.4 No.4
We have observed anisotropic anodisation process for porous silicon formation. The starting material was (100) silicon n/n^+/n wafer structured by n^+-diffusion on n-type substrate and by subsequent n-epitaxial growth. After the top n-silicon epitaxial layer was etched to open the porous silicon layer(PSL) anodisation window, anodisation takes place only to n^+-buried layer. The process of porous silicon formation on (100) sample was anisotropic, which was evident from that the shapes of the reacted porous silicon layer was all squarelike regardless of the shapes of reaction windows. The experimental results show that the PSL anodisation process does not depend on chemical reaction but does on electrical conduction property, which is hole mobility depending on the crystal direction.
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이종현,신장규,이상룡,천희곤,조찬섭,심준환,류인식,박석홍,허정준,박기열 경북대학교 센서기술연구소 1994 연차보고서 Vol.1994 No.-
자동차의 air-bag 장치에 실용될 수 있는 압저항형 단결정 실리콘 가속도센서 칩을 개발하기 위하여 결정 실리콘 미세구조의 제조방법을 확립하고, 단위공정의 검증을 통하여 일괄공정에 의한 PROTO-TYPE 칩을 만드는 기술을 연구하였다. 단결정 실리콘 미세구조는 선택확산법을 이용하여 정확히 선택된 영역에만 air-gap을 형성하여 미세구조의 측면식각을 방지하는 선택확산법에 의한 실리콘 마이크로머시닝 기술로 제조하였다. 일괄공정을 위한 단위공정확립을 위하여 PROTY-TYPE 8빔 브릿지형 가속도 센서를 제조하였다. 제조된 칩의 가속도에 따른 출력전압은 선형성을 나타내고 있으며, 감도는 약 50 ㎶/V·g로 나타났다. 이 감도는 50G용 가속도센서의 사양을 만족하지 못했다. 이는 공정에 의한 문제라기 보다는 가속도센서의 시뮬레이션에 의해 설계한 구조가 이미 원하는 감도에 못 미친다는 것으로 생각된다. 따라서 2차 공정으로 제조될 가속도센서의 파라미터를 SuperSAP 유한요소 패키지를 이용하여 실리콘 미세구조부의 파라미터에 따른 특성을 시뮬레이션하였다. 설계된 50G용 가속도센서의 mass Pad의 반경 및 빔 길이, 빔 폭, 빔 두께, 그리고 mass의 각 파라미터 값은 700 ㎛, 120 ㎛, 5 ㎛, 1.0 ㎎ 이었다. 반도체 공정기술, 관성질량 제조법 및 선택확산을 이용한 마이크로머시닝을 사용하여 일괄공정으로 8빔 브린지형 가속도센서를 제조하였다. We researched the establishment of the silicon microstructure fabrication technique to develop a piezoresistive type silicon acceleration sensor chip and the technique to make a proto-type chip by the verification of the unit-process. Silicon microstructure is fabricated silicon micro-machining by selective diffusion method. This method prevent a side-etching of microstructure because selective diffused region is only formed an air-gap. We fabricated a proto-type 8-beam bridge-type acceleration sensor to establish the unit-process for the batch-process. The output voltage of the chip represented linearity with acceleration, and the sensitivity was about 50 ㎶/V·g. But this sensitivity dosen't satisfy the requirements of a practical acceleration sensor. The cause of this result is assumed not process problem, but the structure designed by simulation isn't suitable already. Threfore, the characteristics of parameters of the acceleration sensor that will be fabricated by 2nd-process is simulated by SuperSAP finite-element package. The determined parameter values of beam length, beam width, beam thickness, mass, and mass radius are 120 ㎛, 5 ㎛, 1.0 ㎎, and 700 ㎛, respectively. We fabricated 8-beam bridge-type acceleration sensor by batch-process using a semiconductor process technique, proof-mass fabrication method, and micromachinig using selective diffusion.
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설정훈,신장규,심준환,류인식,이종현 경북대학교 센서기술연구소 1994 센서技術學術大會論文集 Vol.5 No.1
스테인 에칭기법을 이용하여 실리콘의 도핑 농도가 높은 영역을 선택적으로 식각하는 방법을 개발하였다. 이 방법은 양극 반응을 이용한 마이코로머시닝 방법에서와 같이 반응 시편의 뒷면에 전극을 연결하거나 특수한 반응기를 이용해 전류를 공급할 필요성이 없으므로 공정 단계가 간단해지고 표준적인 집적회로 공정에서도 응용될 수 있을 것이다. 또한 양극반응에서는 불가능한 n^(+)/p 구조 시편의 선택적인 식각도 가능하다. 본 연구에서는 스테인 에칭기법을 이용하여 n/n^(+)/n 3층 구조의 시편으로 켈틸레버 및 에어 브릿지 등을 실현하므로써 미세기계구조의 제조 가능성을 확인하였다. We have developed a preferential silicon etching method using stain etching technique. Current supply to the backside contact of silicon wafer and special reactor are not required in this method. Therefore this method is much simpler than anodic reaction method and could be applied to standard VLSI process. In addition, the n^(+) layer in n^(+)/p structure could be preferentially etched by this technique, which could not be implemented by anodic reaction method. We have also fabricated micromechanical structures like cantilevers and air-bridges on the n/n^(+)/n wafer using this stain etching technique.
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