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개인별 탄소발생 절감량 측정을 위한 안드로이드 어플리케이션 디자인
서영보(Young-Bo Seo),이유성(Yu-Seong Lee),신예성(Ye-Seong Sin),김귀숙(Gwi-Suk Kim),이희성(Hee-Seong Lee),김미혜(Mi-Hye Kim) 한국엔터테인먼트산업학회 2012 한국엔터테인먼트산업학회 학술대회 논문집 Vol.2012 No.5
산업혁명이후 지속적인 온실가스 증가로 인한 기후변화로 환경파괴가 극심해지고 있는 실황(實況)에 정부에서 대안 제도를 도입ㆍ시행하였으나 감축량이 적었다. 이에 개인 탄소량 절감활동 참여를 유도하는 스마트폰 어플리케이션 개발을 하게 되었다. 본 어플리케이션은 안드로이드 OS를 이용하며 QR code 인식 기능과, GPS 모듈을 이용하여 이동 거리를 추적하는 기능을 이용하여 탄소 절감량을 측정한다.
고밀도 플라즈마 CVD 방법에 의한 TiN barrier metal 형성과 특성
최치규,강민성,오경숙,이유성,오대현,황찬용,손종원,이정용,김건호,Choe, Chi-Gyu,Gang, Min-Seong,O, Gyeong-Suk,Lee, Yu-Seong,O, Dae-Hyeon,Hwang, Chan-Yong,Son, Jong-Won,Lee, Jeong-Yong,Kim, Geon-Ho 한국재료학회 1999 한국재료학회지 Vol.9 No.11
TEMAT precursor를 사용하여 다양한 증착 조건으로 ICP-CVD 방법으로 Si(100) 기판 위에 TiN 박막을 형성하였다. 형성된 TiN 박막의 결정상, 미세구조, 그리고 전기적 특성은 XRD, XPS, HRTEM, 그리고 전기적 측정으로 특성을 조사하였다. BI 구조를 갖는 다결정 TiN 박막은 기판의 온도가 $200^{\circ}C$ 이상의 온도에서 형성되었다. TiN(111) 박막은 기판의 온도가 $300^{\circ}C$에서 TEMAT, $\textrm{N}_{2}$, 그리고 Ar 가스의 유량이 10, 5, 그리고 5sccm으로 반응로에 주입할 때 형성되었다. TiN/Si(100) 계면은 TiN과 $\textrm{SiO}_2$사이에 계면반응이 없었으며 평탄하였다. 기판의 온도가 $500^{\circ}C$에서 형성된 TiN 박막의 비저항, carrier 농도와 이동도는 21 $\mu\Omega$cm, 9.5$\times\textrm{10}^{18}\textrm{cm}^{-3}$와 $462.6\textrm{cm}^{2}$/Vs으로 주어졌다. TIN films were prepared on Si(100) substrate by ICP-CVD(inductive1y coupled plasma enhanced chemical vapor deposition) using TEMAT(tetrakis ethylmethamido titanium : Ti$[\textrm{N}\textrm{(CH)}_{3}\textrm{C}_{2}\textrm{H}_{5}]_{4}$) precursor at various deposition conditions. Phase, microstructure, and the electrical properties of TIN films were characterized by x-ray diffraction (XRD), x-ray photoelectron spectroscopy (XPS), high resolution transmission electron microscopy (HRTEM) and electrical measurements. Polycrystalline TiN films with B1 structure were grown at temperatures over $200^{\circ}C$. Preferentially oriented along TiN(111) films were obtained at temperatures over $300^{\circ}C$ with the flow rates of 10, 5, and 5 sccm for TEMAT, $\textrm{N}_{2}$ and Ar gas. The TiN/Si(100) interface was flat and no chemical reaction between TIN and $\textrm{SiO}_2$ was found. The resistivity, carrier concentration and the carrier mobility for the TiN sample prepared at $500^{\circ}C$ are 21 $\mu\Omega$cm, 9.5$\times\textrm{10}^{18}\textrm{cm}^{-3}$ and $462.6\textrm{cm}^{2}$/Vs, respectively.
백색 LED의 광학적 특성 향상을 위한 레이저 경화에 관한 연구
김완호(Wan-Ho Kim),이유성(Yu-Seong Lee),김재필(Jae-Pil Kim),여인선(In-Seon Yeo) 한국조명·전기설비학회 2019 조명·전기설비학회논문지 Vol.33 No.1
In this paper, we studied for improving color uniformity of white LED by using laser curing method. Silicone encapsulant was cured at high speed through the laser curing process, resulting in the improvement of phosphor dispersibility. Luminous flux, color temperature distribution and reliability test of prepared white LED package were evaluated to compare the photo-performance of LED PKG prepared by convection oven or laser curing process. The difference in precipitation speed by encapsulation viscosity and phosphor specific gravity affected the spectrum, color temperature and color uniformity of white LED package. The optical structure with surface light distribution was designed for the uniform laser irradiation and the curing process was carried out using homogenizer. As a result of measurements, through the laser curing process, luminous flux was improved by 6.0% and color temperature was 280K lower and the color temperature distribution was less than 110K. The reliability test of the high-temperature and high-humidity operation life evaluation was improved by 9%.