http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.
변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.
USB Type-C 응용을 위한 Embedded Flash IP 설계
김영희(Young-Hee Kim),이다솔(Da-Sol Lee),김홍주(Hongzhou Jin),이도규(Do-Gyu Lee),하판봉(Pan-Bong Ha) 한국정보전자통신기술학회 2019 한국정보전자통신기술학회논문지 Vol.12 No.3
본 논문에서는 110nm eFlash 셀을 사용한 512Kb eFlash IP를 설계하였다. eFlash 셀의 프로그램, 지우기와 읽기 동작을 만족시키는 row 구동회로(CG/SL 구동회로), write BL 구동회로( write BL 스위치 회로와 PBL 스위치 선택 회로), read BL 스위치 회로와 read BL S/A 회로와 같은 eFlash 코어회로(Core circuit)를 제안하였다. 그리고 프로그램 모드에서 9.5V와 erase 모드에서 11.5V의 VPP(Boosted Voltage) 전압을 공급하는 VPP 전압 발생기 회로는 기존의 단위 전하펌프 회로로 cross-coupled NMOS 트랜지스터를 사용하는 대신 body 전압을 ground에 연결된 12V NMOS 소자인 NMOS 프리차징 트랜지스터의 게이트 노드 전압을 부스팅하는 회로를 새롭게 제안하여 VPP 단위 전하펌프의 프리차징 노드를 정상적으로 VIN(Input Voltage) 전압으로 프리차징 시켜서 VPP 전하펌프 회로의 펌핑 전류를 증가시켰다. 펌핑 커패시터로는 PMOS 펌핑 커패시터에 비해 펌핑전류가 크고 레이아웃 면적이 작은 12V native NMOS 펌핑 커패시터를 사용하였다. 한편 110nm eFlash 공정을 기반으로 설계된 512Kb eFlash 메모리 IP의 레이아웃 면적은 933.22㎛ × 925㎛ (=0.8632㎟)이다. In this paper, we design a 512Kb eFlash IP using 110nm eFlash cells. We proposed eFlash core circuit such as row driver circuit (CG/SL driver circuit), write BL driver circuit (write BL switch circuit and PBL switch select circuit), read BL switch circuit, and read BL S/A circuit which satisfy eFlash cell program, erase and read operation. In addition, instead of using a cross-coupled NMOS transistor as a conventional unit charge pump circuit, we propose a circuit boosting the gate of the 12V NMOS precharging transistor whose body is GND, so that the precharging node of the VPP unit charge pump is normally precharged to the voltage of VIN and thus the pumping current is increased in the VPP (boosted voltage) voltage generator circuit supplying the VPP voltage of 9.5V in the program mode and that of 11.5V in the erase mode. A 12V native NMOS pumping capacitor with a bigger pumping current and a smaller layout area than a PMOS pumping capacitor was used as the pumping capacitor. On the other hand, the layout area of the 512Kb eFlash memory IP designed based on the 110nm eFlash process is 933.22μm × 925μm (=0.8632㎟).