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김병훈,원용협,Kim, B.H.,Won, Y.H. 한국전자통신연구원 1995 전자통신동향분석 Vol.10 No.1
현재 발표된 공간 광스위치 구조들은 전자 스위치 및 전자 통신 분야에서 많이 이용된 Clos, Benes, Banyan, omega, shuffle network 등을 directional coupler switch, TIR(total internal reflection) switch, cross X switch 등 여러가지 단위 광스위치를 이용하여 고안한 것으로 서로 다른 장단점을 갖고 있다. 따라서 4 X 4나 8 X 8, 또는 그 이상의 확장된 광스위치를 제작하기 위해서는 이러한 기존 구조에 대한 조사 및 분석이 선행되어야 한다. 본 논문은 현재 개발되어 발표된 광스위치의 구조들을 조사하여 특성을 비교하였다.
저장벽 양자우물구조와 비태칭 패브리 - 페로 공명기 구조에 의한 고성능 2×4 S-SEED Array 구현
권오균(O. K. Kwon),최영완(Y. W. Choi),김광준(K. J. Kim),이일항(E. H. Lee),이상훈(S. H. Lee),원용협(Y. H. Won),유형모(H. M. Yoo) 한국광학회 1994 한국광학회지 Vol.5 No.1
GaAs/Al_(0.04)Ga_(0.96)As 다중양자우물 구조를 이용한 반사형 PIN 다이오우드 S-SEED의 설계에 있어 낮은 동작전압, 높은 포화에너지 및 높은 반사율 on/off 강도비를 얻고자 저장벽 양자우물구조와 비대칭 페브리-페로 공명구조를 결합하였다. 2×4 array를 구성하는 S-SEED들은 역방향 동작전압 5V에서 평균적으로 13 이상의 반사율 on/off 강도비 (CR)와 약 24%의 반사율차 (ΔR) 및 91% 이상의 광쌍안정폭 (Δ)을 나타내었다. 공명구조를 이용함으로서 PIN 다이오우드 진성영역내의 양자우물의 주기수를 줄일 수 있어 외부동작전압 없이도 CR~4.7, R~9.2%, ~22%의 향상된 무전압 광쌍안정 동작특성을 얻었다. We designed and fabricated a 2×4 symmetric self electro-optic effect device array using GaAs/Al_(0.04)Ga_(0.96)As extremely shallow quantum wells grown by a molecular beam epitaxy. By employing ESQW and asymmetric Fabry-Perot cavity structure simultaneously, we improved the performances of S-SEED such as on/off contrast ratio (CR), reflectivity change (ΔR), and optical bistability loop width (Δ). The average values of the elements of the 2×4 S-SEED array were CR~13.1, R~24%, and Δ~91%. It was found that the AFP cavity structure enhances the self-biased optical bistability in ESQW-SEED under no external bias. That is due to the decreased intrisic region thickness in AFP-SEED structures, and which increases the built-in electric fields. The zero-biased S-SEED showed CR of ~4.7, R~9%, and Δ~22%.